【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例是关于半导体技术，特别是关于存储器装置及其制造方法。
技术介绍
1、为了追求更低的成本并维持产品的性能，在目前形成存储器装置(例如，包含埋入式字线(buried word line)的动态随机存取存储器(dynamic random-access memory；dram))的工艺中，由于器件尺寸不断缩小，工艺的宽裕度也随之降低。举例来说，在形成埋入式字线时，金属或是阻挡层可能会残留在埋入式字线的沟槽侧壁的介电层上，这可能会对存储器装置产生不必要的影响并造成电性上的问题(诸如降低可靠度或产生漏电流)。因此，业界仍需要改善存储器装置的制造方法，来达到维持存储器装置的良率的目标。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种存储器装置的制造方法，包含提供基板；形成介电层于基板上；执行图案化工艺以形成沟槽贯穿介电层至基板；形成第一导体层于沟槽的底部且埋置于基板中；顺应地形成第一阻挡层于沟槽中且覆盖介电层的侧壁及第一导体层的顶表面；执行清洗工艺以移除第一阻挡层位于介电层的侧壁上的一部份，且第一阻挡层残留于第一导体层的顶表面上；形成第二阻挡层于第一导体层上方且与第一阻挡层接触；以及形成第二导体层以填充沟槽。
2、本专利技术实施例提供了一种存储器装置，包含基板；第一导体层，埋置于基板中；第一阻挡层，设置于第一导体层的顶表面上；第二阻挡层，设置于第一阻挡层的顶表面上；以及第二导体层，设置于第二阻挡层上，其中第二阻挡层在元素检测中含氯。
3、专利技术实施例借由
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1.一种存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该第二阻挡层仅覆盖于该第一阻挡层上而不覆盖该介电层的侧壁。
3.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，在执行该清洗工艺之后且在形成该第二阻挡层之前，更包括：
4.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该第一阻挡层是使用物理气相沉积工艺所形成。
5.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该第二阻挡层是使用原子层沉积工艺所形成。
6.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该清洗工艺包括低温硫酸过氧化氢混合液清洗工艺。
7.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该第一阻挡层的厚度大于该第二阻挡层的厚度。
8.一种存储器装置，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻挡层在元素检测中不含氯。
10.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻挡层的厚度大于该第二阻挡层的厚
11.如权利要求10所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻挡层的厚度对该第二阻挡层的厚度的比例为3：1至4：1。
12.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第二阻挡层与该第二导体层的底表面直接接触而不与该第二导体层的侧壁接触。
13.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该第一阻挡层在该基板上的垂直投影的面积等于该第二阻挡层在该基板上的垂直投影的面积。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该第二阻挡层仅覆盖于该第一阻挡层上而不覆盖该介电层的侧壁。
3.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，在执行该清洗工艺之后且在形成该第二阻挡层之前，更包括：
4.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该第一阻挡层是使用物理气相沉积工艺所形成。
5.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该第二阻挡层是使用原子层沉积工艺所形成。
6.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，该清洗工艺包括低温硫酸过氧化氢混合液清洗工艺。
7.如权利要求1所述的存储器装置的制造方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈品宏，吴佳纹，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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