【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
技术介绍
1、有机发光二极管(organic light emitting display，oled)以及基于发光二极管(light emitting diode，led)等技术的平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、笔记本电脑和台式电脑等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。但目前的显示面板的版图空间利用率较低。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种显示面板和显示装置，以提高显示面板的版图空间利用率。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括：
3、衬底；
4、在所述衬底的一侧层叠设置的第一有源层和多个导电层；其中，所述第一有源层和所述多个导电层用于构成多个像素单元，所述像素单元中包括沿第一方向镜像对称的两个像素电路；
5、其中，所述像素电路包括：驱动晶体管和至少一个辅助晶体管；所述第一有源层包括分属于各所述像素电路的多个第一有源区，所述第一有源区包括沿第一方向排列的第一有源部和第二有源部，所述第一有源部包括所述驱动晶体管的沟道区，所述第二有源部包括所述辅助晶体管的沟道区；同一所述像素单元中，两个所述第二有源部相邻且间隔设置；
6、所述多个导电层中包括：第一导电层，设置于所述第一有源层远离所述衬底的一侧；所述第一导电层包括分属于各所述像素电路的多个第一栅极结构；各所述第一栅极结构在所述衬底上的正投影分
7、可选地，所述第一栅极结构在所述衬底上的正投影面积大于所述第一有源区在所述衬底上的正投影面积；
8、优选地，所述第一栅极结构在所述衬底上的正投影的外轮廓包围所述第一有源区在所述衬底上的正投影的外轮廓；
9、所述第一栅极结构在所述衬底上的正投影的外轮廓包括：沿第二方向延伸且靠近所述第一栅极结构所在像素单元的中线的第一边沿；所述第一有源区在所述衬底上的正投影的外轮廓包括：沿所述第二方向延伸且靠近所述第一有源区所在像素单元的中线的第二边沿；其中，所述第二方向与所述第一方向垂直；所述中线沿所述第二方向延伸，且所述像素单元中的两个所述像素电路沿所述中线呈镜像对称；同一所述像素电路中的所述第一边沿与所述第二边沿之间的间距大于或等于1微米。
10、可选地，所述第一有源区中，所述驱动晶体管的沟道区连接各所述辅助晶体管的沟道区；
11、优选地，所述第一有源部包括沿所述第一方向依次连接的第一矩形区、c型区和第二矩形区；所述第二有源部连接于所述第二矩形区远离所述c型区的一侧；
12、优选地，所述驱动晶体管的沟道区宽度大于或等于所述辅助晶体管的沟道区宽度。
13、可选地，所述像素电路包括两个所述辅助晶体管，分别为第一晶体管和第二晶体管；所述第二有源部包括沿所述第二方向排列的所述第一晶体管的沟道区和所述第二晶体管的沟道区；
14、优选地，所述第一晶体管的沟道区宽度等于所述第二晶体管的沟道区宽度，所述第一晶体管的沟道区长度等于所述第二晶体管的沟道区长度；
15、优选地，所述第二有源部中，所述第一晶体管的沟道区与所述第二晶体管的沟道区连接；
16、优选地，所述第二有源部中，所述第一晶体管的沟道区与所述第二晶体管的沟道区部分交叠；
17、优选地，所述第二有源部为矩形；
18、所述第二矩形区中沿所述第一方向延伸的第一对称轴的延长线，与所述第二有源部中沿所述第一方向延伸的第二对称轴重叠；所述第二有源部中，所述第一晶体管的沟道区与所述第二晶体管的沟道区沿所述第二对称轴对称；
19、优选地，所述第二有源部沿所述第一方向的宽度大于或等于2微米；
20、所述第二有源部沿所述第二方向的长度大于所述第二有源部沿所述第一方向的宽度。
21、可选地，所述像素电路还包括存储电容；所述多个导电层中还包括：第二导电层，设置于所述第一导电层远离所述衬底的一侧；
22、其中，所述第一栅极结构复用为所述存储电容的第一电极；所述存储电容的第二电极设置于所述第二导电层；同一所述存储电容中，所述第一电极在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影至少部分交叠；
23、优选地，同一所述像素单元中，两个所述存储电容的第二电极连接。
24、可选地，所述像素电路包括两个所述辅助晶体管，分别为第一晶体管和第二晶体管；所述驱动晶体管的沟道区分别连接所述第一晶体管的沟道区和所述第二晶体管的沟道区；所述驱动晶体管的第二极位于所述第一有源层，且连接于所述第一有源部远离所述第二有源部的一侧；所述第一晶体管的第一极位于所述第一有源层，且连接所述第一晶体管的沟道区；所述第二晶体管的第一极位于所述第一有源层，且连接所述第二晶体管的沟道区；
25、所述像素电路还包括：多个第一类型开关晶体管，所述第一类型开关晶体管的第一极、沟道区和第二极依次连接，且均位于所述第一有源层；所述第一类型开关晶体管的栅极位于所述第一导电层，所述第一类型开关晶体管的栅极在所述衬底上的正投影与所述第一类型开关晶体管的沟道区在所述衬底上的正投影至少部分交叠；
26、优选地，多个所述第一类型开关晶体管中包括：第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；所述第三晶体管的第一极连接至数据线，所述第三晶体管的第二极连接所述第一晶体管的第一极；所述第四晶体管的第一极通过第一连接线连接所述存储电容的第二电极，所述存储电容的第二电极连接第一电源线；所述第四晶体管的第二极连接所述第二晶体管的第一极；所述第五晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，所述第五晶体管的第二极连接所述第六晶体管的第二极，所述第六晶体管的第一极通过第二连接线连接第一初始化信号线；
27、其中，所述多个导电层还包括：在所述第二导电层远离所述衬底一侧依次层叠设置的第三导电层和第四导电层；所述数据线和所述第一电源线均位于所述第四导电层；所述第一初始化信号线、所述第一连接线和所述第二连接线均位于所述第三导电层；所述第一初始化信号线沿所述第一方向延伸；
28、优选地，各所述像素单元在所述显示面板中阵列排布；所述第一导电层还包括：多条第一扫描线、多条第二扫描线和多条发光控制信号线；各所述第一扫描线、各所述第二扫描线和各所述发光控制信号线均沿所述第一方向延伸，且沿第二方向排列；所述第一方向与所述第二方向垂直；
29、其中，同一行各所述像素电路中所述第三晶体管的栅极均位于同一条所述第一扫描线上；同一行各所述像素电路中所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的栅极均位于同一条所述发光控制信号线上；同一行各所述像素电路中所述第六晶体管的栅极均位于同一条所述第二扫描线上；同一行各所述像素电路中所述第六晶体管的第一极连接本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极结构在所述衬底上的正投影面积大于所述第一有源区在所述衬底上的正投影面积；
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源区中，所述驱动晶体管的沟道区连接各所述辅助晶体管的沟道区；
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括两个所述辅助晶体管，分别为第一晶体管和第二晶体管；所述第二有源部包括沿所述第二方向排列的所述第一晶体管的沟道区和所述第二晶体管的沟道区；
5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括存储电容；所述多个导电层中还包括：第二导电层，设置于所述第一导电层远离所述衬底的一侧；
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括两个所述辅助晶体管，分别为第一晶体管和第二晶体管；所述驱动晶体管的沟道区分别连接所述第一晶体管的沟道区和所述第二晶体管的沟道区；所述驱动晶体管的第二极位于所述第一有源层，且连接于所述第一有源部远离所述第二有源部的一侧；所
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括：多个第二类型开关晶体管；所述多个导电层还包括设置于所述第二导电层和所述第三导电层之间的第五导电层；所述显示面板还包括设置于所述第二导电层和所述第五导电层之间的第二有源层；
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，同一行所述像素电路中，所述第二初始化信号线、所述第三扫描线、所述第一扫描线、所述第四扫描线、所述第一栅极结构、所述发光控制信号线、所述第二扫描线和所述第一初始化信号线沿所述第二方向依次排布；
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，多个所述第一类型开关晶体管中还包括：第九晶体管；所述第九晶体管的栅极位于所述第二扫描线上；所述第九晶体管的第一极连接第三初始化信号线，所述第九晶体管的第二极通过第六连接线连接所述第四晶体管的第二极；
10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-9中任一项所述的显示面板。
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极结构在所述衬底上的正投影面积大于所述第一有源区在所述衬底上的正投影面积；
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源区中，所述驱动晶体管的沟道区连接各所述辅助晶体管的沟道区；
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括两个所述辅助晶体管，分别为第一晶体管和第二晶体管；所述第二有源部包括沿所述第二方向排列的所述第一晶体管的沟道区和所述第二晶体管的沟道区；
5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括存储电容；所述多个导电层中还包括：第二导电层，设置于所述第一导电层远离所述衬底的一侧；
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括两个所述辅助晶体管，分别为第一晶体管和第二晶体管；所述驱动晶体管的沟道区分别连接所述第一晶体管的沟道区和所述第二晶体管的沟道区；所述驱动晶体管的第二极位于所述第一有源层，且连接于所述第一有源部远离所述第二有源部的一侧；...
【专利技术属性】
技术研发人员：李长清，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。