在本申请中描述的熔丝阵列（４０）由于其为交叉点体系结构因此非常紧凑，并且使用很少的半导体面积。所公开的交叉点体系结构减少了必须水平地或垂直地穿过每个位单元（例如，５０和６０）的导体的数目。结果，显著减少了每个位单元所需的面积。在一个实施例中，在各个字线（７０、７２、７４）和位线（８０、８２、８４）上的所选的一组电压用来对熔丝（６０－６８）编程以产生具有阻抗的更紧密分布的被编程的熔丝。类似地，在各个字线（７０、７２、７４）和位线（８０、８２、８４）上的所选的一组电压用来读取熔丝（６０－６８）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
地址译码电路46对地址进行译码并且才艮据地址的值给位 线选择电路42和字线选择电路48提供控制信息。位线选择电路42使用 该控制信息来确定选择哪一个或哪几个位线80、 82、 84。字线选择电 路48使用该控制信息来确定选择哪一个或哪几个字线70、 72、 74。在 所示出的实施例中，在熔丝编程期间每次仅选择一个位线80、 82、 84 和一个字线70、 72、 74。可替代实施例在编程期间可以选择任意数目 的位线和任意数目的字线。在所示出的实施例中，在熔丝读取期间每 次选择多个位线80、 82、 84和一个字线70、 72、 74。可替代实施例在 存储器20的读取期间可以选择任意数目的位线和任意数目的字线。0018现在将描述图l的连接。图l示出了集成电路10的一个实 施例。在所示出的实施例中，集成电路10具有双向耦接到外部总线接 口12、其它电路14、处理器16、地址产生电路18和存储器20的总线22， 以便允许在这些各种电路块之间通信。外部总线接口 12可以经由端子 24 (例如，管脚、凸块(bump)或者任何类型的适当的导电装置) 耦接到集成电路10外部的电路。其它电路14可以经由端子26 (例如，管脚、凸块或者任何类型的适当的导电装置)耦接到集成电路10外部的电路。处理器16可以经由端子28 (例如，管脚、凸块或者任^r类型的适当的导电装置)耦接到集成电路10外部的电路。可替代实施例可 能不具有端子24、 26和/或28中的一个或多个。其它电路14可以是任何 类型的电路，例如，存储器、计时器、通信电路、驱动器(例如，液 晶显示驱动器)、模数转换器、数模转换器、其他处理器或者用于执 行任何期望功能的任何其它期望的电路。0019在所示出的实施例中，存储器20经由地址导体或信号30 和数据信号32耦接到总线22。存储器20还可以从总线22接收一个或多 个控制信号(例如，读/写信号)。用于控制对存储器的读取和写入访 问的这种控制信号是本领域中公知的。在所示出的实施例中，地址导 体30耦接到地址译码电路46。地址译码电路46对输入的地址信号30进 行译码并且作为响应给位线选择电路提供信号。作为响应，位线选择电路42给编程/读取电路44提供信号，指出哪些位线要被选择用于编程 或读取操作。然后编程/读取电路44在位线80、 82和84上提供适当的电 压以在所选位线上实现所期望的读取或编程操作。响应于对输入的地 址信号30的译码，地址译码电路46还给字线选择电路48提供信号。作 为响应，字线选择电路48在字线70、 72和74上提供适当的电压以在所 选字线上实现所期望的读取或编程操作。在所示出的实施例中，第四单元包含n沟道晶体管53， n 沟道晶体管53具有耦接到字线72的第一电流电极并且具有耦接到节 点92的第二电流电极和控制电极。第四单元还包含熔丝63,熔丝63具 有耦接到节点92的第一端子并且具有耦接到位线80的第二端子。存储 阵列40还包含第五单元。在所示出的实施例中，第五单元包含n沟道 晶体管54, n沟道晶体管54具有耦接到字线72的第一电流电极并且具 有耦接到节点93的第二电流电极和控制电极。第五单元还包含熔丝 64，熔丝64具有耦接到节点93的第一端子并且具有耦接到位线82的第 二端子。存储阵列40可以具有耦接到字线72的任何期望且适当数目的 单元。在所示出的实施例中，存储阵列40还包含第六单元。在所示出 的实施例中，第六单元包含n沟道晶体管55， n沟道晶体管55具有耦接 到字线72的第一电流电极并且具有耦接到熔丝65的第一端子的第二 电流电极和控制电极。熔丝65的第二端子耦接到位线84。流程401从步骤408进行到步骤410,在步骤410中选择一 个或多个位线(例如，附图说明图1的位线80、 82、 84)。参考图l，在所示出 的实施例中，位线选择电路42可以执行该功能。在可替代实施例中， 该功能可以由不同的电路以不同的方式来执行。流程401从步骤410进行到步骤412，在步骤412中在所选 的位线上提供位线读取电压。在本专利技术一个实施例中，提供在所选位 线上的位线读取电压近似等于第二电源电压(VDD)，对于所示出的 实施例，其约为1.2伏。对于第二电源电压，可替代实施例可以使用不 同的电压。对于位线读取电压，可替代实施例可以使用不同的电压。 当它们相关联的单元或熔丝不被读取时，可以将任何未选位线驱动到 任何适当的电压(例如，第二电源电压VDD)。对于第二电源电压， 可替代实施例可以使用不同的电压。对于未选位线，可替代实施例可 以使用不同的电压。流程401从步骤412进行到步骤414，在步骤414中读取耦 接到所选字线和所选位线的一个或多个熔丝(例如，图l的熔丝60-68 中的一个或多个)。在一个实施例中，在所选位线上的电流的幅度被 用来执行该读取。在可替代实施例中，可以以不同的方式来感测或读 取一个或多个熔丝60-68的状态。参考图l中示出的实施例，与编程/的和未选的位线上提供ii当的电压。^^线选择电路48^T以用来在所选 的和未选的字线上提供适当的电压。在可替代实施例中，给位线和字 线提供适当电压的功能可以由与图l中示出的电路不同的电路以不同的方式来执行。图1中示出的电路仅仅意图作为实现图4方法的电路的 一个可能的实施例。许多其它电路可以用来实现图4的方法。流程从 步骤414进行到结束椭圆416，在结束椭圆416中该流程结束。流程401 的可替代实施例可以使用与图4中示出的步骤相比更少、更多或者不 同的步骤。0043图5以示意图形式示出了根据本专利技术一个实施例的存储 器20的一部分。图5的目的是示出可以读取存储器20中的熔丝60-68(参 见图l)的一种可能的方式。可替代实施例可以使用不同的方法。在 所示出的实施例中，已经确定了要读取熔丝60和61。请注意，在所示 出的实施例中，熔丝60和64已经4皮编程而熔丝61和63没有净皮编程。为 了读取熔丝60和61，选择两个位线(位线80和82)和一个字线(字线 70)。其是耦接到熔丝60和61以及晶体管50和51的位线和字线。将近 似等于第一电源电压(在一个实施例中约为地或VSS)的电压提供给 所选字线70。在本实施例中，将近似等于第二电源电压(在一个实施 例中约为VDD)的电压提供给均为未选字线的剩余字线(例如，72)。 请注意，可替代实施例可以选择在读取访问期间每次选择多于一个字 线。将近似等于第二电源电压(在一个实施例中约为VDD)的电压提 供给所选位线80和82。当不读取它们相关联的单元时，可以将任何未 选位线驱动到任何适当的电压(例如，地)。例如，在一个实施例中， 可以将未选位线驱动到约第一电源电压(在一个实施例中约为地)。 可替代实施例可以在未选位线(例如图1中的位线84)上使用不同的 电压。请注意，可替代实施例可以选择在编程期间每次选择任意数目 的位线。某些实施例可以选择一个位线和多个字线，而另一些实施例 可以选择一个字线和多个位线。还有其它实施例可以选择位线的一个 子集和字线的一个子集。如适用，上述实施例中的一些可以^使用各种不同的信息 处理系统来实现。例如，虽然图l及其讨论描述了一个示例性的信息 处理本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于对第一熔丝编程的方法，该方法包含如下步骤： 提供以阵列方式布置的多个熔丝，该阵列包含多个熔丝字线和位线，其中该多个熔丝包含第一熔丝； 将第一电压提供到所选的字线； 将第二电压提供到未选的字线，其中第二电压的幅度大于 第一电压的幅度；以及 将第三电压提供到所选的位线，其中第三电压的幅度大于第二电压的幅度；以及 其中响应于提供第一、第二和第三电压的步骤而对第一熔丝编程。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：AB霍夫勒，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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