【技术实现步骤摘要】
本揭示的一实施例是关于一种记忆体装置及操作记忆体的方法，特别是关于一种磁阻式随机存取记忆体装置及操作磁阻式随机存取记忆体的方法。
技术介绍
1、非挥发性记忆体为在无电力存在情况下保持数据的记忆体。磁阻式随机存取记忆体(magnetoresistive random-access memory，mram)为使用磁性储存元件来储存数据的非挥发性随机存取记忆体(random access memory，ram)技术。mram装置包括mram单元的阵列，mram单元中的每一者实施为用以储存二进位数据值的单一位元单元。每一mram单元包括由一对铁磁层形成的磁性穿隧接合面(“mtj”或“mtj元件”)，该对铁磁层由薄的绝缘层分离。两个层包括在固定磁场对准方向上永久磁化的磁性层(此层亦被称作钉扎层)，及可改变地磁化的磁性层(此层被称作自由层)。
2、可改变地磁化的磁性层相对于永久磁化层在两个定向中的一者上可被磁化。两个定向由通过mtj的叠置层截然不同的串联电阻特征化。可改变层的磁场定向可与永久磁体层的定向相同地对准(并行)，或可改变层的磁场可与永久磁体层的定向直接相对地对准(反并行)。并行对准状态具有相对较低电阻，即低逻辑状态“0”。反并行对准状态具有高电阻，即高逻辑状态“1”。如自其相对较高或较低电阻感测的此等两个状态表示记忆体中位元的不同二进位逻辑值。
技术实现思路
1、在一些实施例中，提供一种操作记忆体的方法，包含以下步骤：提供多个磁阻式随机存取记忆体单元；将此些磁阻式随机存取
2、在一些实施例中，提供一种记忆体装置，包含：磁阻式随机存取记忆体单元的第一群组，第一群组包括第一磁阻式随机存取记忆体单元；磁阻式随机存取记忆体单元的第二群组，第二群组包括第二磁阻式随机存取记忆体单元；及感测放大器，其用以比较第一磁阻式随机存取记忆体单元的第一读取电流与第一参考值且比较第二磁阻式随机存取记忆体单元的第二读取电流与不同于第一参考值的第二参考值。
3、在一些实施例中，提供一种操作记忆体的方法，包含以下步骤：提供多个磁阻式随机存取记忆体单元；将此些磁阻式随机存取记忆体单元分割成多个群组，此些群组包括具有此些第一磁阻式随机存取记忆体单元的第一群组及具有此些第二磁阻式随机存取记忆体单元的第二群组；比较此些第一磁阻式随机存取记忆体单元中每一者及此些第二磁阻式随机存取记忆体单元中每一者的基本读取电流与基本参考值；基于比较，将此些第一磁阻式随机存取记忆体单元中的多个所选择磁阻式随机存取记忆体单元自第一状态写入至一第二状态；基于比较，将此些第二磁阻式随机存取记忆体单元中的多个所选择磁阻式随机存取记忆体单元自第一状态写入至第二状态；比较此些第一磁阻式随机存取记忆体单元中每一者的第一读取电流与不同于基本参考值的第一参考值；及比较此些第二磁阻式随机存取记忆体单元中每一者的第二读取电流与不同于基本参考值及第一参考值的第二参考值。
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1.一种操作记忆体的方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一状态是一反并行状态及该第二状态是一并行状态。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该基本参考值根据(Ip+Iap)/2判定，其中Ip为一并行状态曲线的一峰值读取电流，且Iap为一反并行状态曲线的一峰值读取电流。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该第一参考值根据(Ip+Iap)/2+m判定，其中m为一预定参考增量。
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该第二参考值根据Ip-n判定，其中n为一预定参考减量。
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：
8.一种记忆体装置，其特征在于，包含：
9.一种操作记忆体的方法，其特征在于，包含以下步骤：
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种操作记忆体的方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一状态是一反并行状态及该第二状态是一并行状态。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该基本参考值根据(ip+iap)/2判定，其中ip为一并行状态曲线的一峰值读取电流，且iap为一反并行状态曲线的一峰值读取电流。
5.如权利要求3所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：池育德，李嘉富，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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