System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种复合薄膜及其制备方法、发光器件及显示装置制造方法及图纸_技高网

一种复合薄膜及其制备方法、发光器件及显示装置制造方法及图纸

技术编号:45004105 阅读:0 留言:0更新日期:2025-04-15 17:19
本申请属于光电器件技术领域,涉及一种复合薄膜,包括层叠设置的第一薄膜与第二薄膜;第一薄膜的材料选自掺杂第一掺杂元素的ⅢA‑ⅤA族化合物,其中,掺杂第一掺杂元素的ⅢA‑ⅤA族化合物的化学式为A<subgt;a</subgt;T<subgt;1‑b</subgt;X<subgt;b</subgt;,其中,A为ⅢA族元素,T为ⅤA族元素,X为第一掺杂元素,且0<a≤1,0.01≤b≤5,其中,第一掺杂元素为主族元素;第二薄膜的材料选自掺杂第二掺杂元素的铋系化合物,其中,掺杂第二掺杂元素的铋系化合物的化学式为Bi<subgt;X</subgt;M<subgt;y</subgt;O<subgt;z</subgt;,其中,Bi为铋元素,M为第二掺杂元素,O为氧元素,且1≤x<3,0<y≤1,1≤z≤6,其中,第二掺杂元素为主族元素。本申请还涉及一种复合薄膜制备方法、发光器件及显示装置。本申请提供的技术方案能够提高载流子传输能力。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电器件,更具体地,涉及一种复合薄膜、一种复合薄膜的制备方法、一种发光器件以及一种显示装置。


技术介绍

1、近年来,随着显示技术的快速发展,以半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(qled)受到了广泛的关注。其色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点使得量子点发光二极管在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。

2、现有ito电极上一般会制备一层空穴注入层聚乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)和空穴传输层tfb,pvk等薄膜,虽然pedot:pss的homo能级与ito功函数良好的匹配,使得其实现空穴的有效注入和传输,但是pedot:pss呈酸性且稳定性较差,容易腐蚀电极及空穴传输层薄膜,使得光学器件寿命较差。


技术实现思路

1、本申请实施例所要解决的技术问题是现有的空穴功能层容易腐蚀电极,导致光学器件寿命差。

2、为了解决上述技术问题,本申请实施例提供一种复合薄膜,采用了如下所述的技术方案:

3、一种复合薄膜,包括:层叠设置的第一薄膜与第二薄膜;

4、所述第一薄膜的材料选自掺杂第一掺杂元素的ⅲa-ⅴa族化合物,其中,所述掺杂第一掺杂元素的ⅲa-ⅴa族化合物的化学式为aat1-bxb,其中,a为ⅲa族元素,t为ⅴa族元素,x为第一掺杂元素,且0<a≤1,0.01≤b≤5,其中,所述第一掺杂元素为主族元素;

5、所述第二薄膜的材料选自掺杂第二掺杂元素的铋系化合物,其中,所述掺杂第二掺杂元素的铋系化合物的化学式为bixmyoz,其中,bi为铋元素,m为第二掺杂元素,o为氧元素,且1≤x<3,0<y≤1,1≤z≤6,其中,所述第二掺杂元素为主族元素。

6、进一步的,所述第二掺杂元素的原子半径小于1埃;和/或,

7、所述第二掺杂元素的掺杂质量百分比为1~10wt%;和/或,

8、所述第一薄膜的厚度范围为30~50nm;和/或,

9、所述第二薄膜的厚度范围为30~50nm。

10、进一步的,所述ⅲ-ⅴ族化合物选自inp、inas、insb、a1n、alp、alas、alsb、gan、gap、a1np、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ganp、ganas、gapas、gapsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnas、gaaln、gaalpas、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp中的至少一种;和/或,

11、所述第一掺杂元素选自铋元素;和/或,

12、所述第二掺杂元素选自ⅲa族元素,所述ⅲa族元素选自硼、铝、镓、铟、铊的其中一种。

13、本申请实施例还提供一种复合薄膜的制备方法,采用了如下所述的技术方案:

14、一种复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:

15、提供衬底;

16、提供第一墨水,通过所述第一墨水在所述衬底上形成第一薄膜,其中,所述第一墨水包括掺杂第一掺杂元素的ⅲa-ⅴa族化合物与溶剂;

17、提供第二墨水,通过所述第二墨水在所述第一薄膜上形成第二薄膜,其中,所述第二墨水包括掺杂第二掺杂元素的铋系化合物与溶剂。进一步的,通过所述第一墨水在所述衬底上形成第一薄膜,包括以下步骤:

18、将铋盐、第二掺杂元素化合物与取代元素化合物加入反应溶剂中,形成掺杂第二掺杂元素的铋系化合物前驱体溶液;

19、经过第一处理后,得到掺杂第二掺杂元素的铋系化合物沉淀;

20、将所述掺杂第二掺杂元素的铋系层状化合物沉淀溶解于溶剂中,形成第二墨水;

21、通过所述第二墨水在所述第一薄膜上形成第二薄膜。

22、进一步的,所述将铋盐、第二掺杂元素化合物、取代元素化合物加入反应溶剂中,形成掺杂第二掺杂元素的铋系化合物前驱体溶液,具体包括:

23、将铋盐、第二掺杂元素化合物、取代元素化合物溶于酸性溶液中,形成混合溶液;

24、向混合溶液中加入碱性溶液,并搅拌至透明液体,形成掺杂第二掺杂元素的铋系化合物;

25、或,将铋盐溶解于有机溶剂中,形成第一溶液;

26、将第二掺杂元素化合物、取代元素化合物与极性溶剂混合后,形成第二溶液;

27、将第一溶液与第二溶液混合后,向混合溶液中加入碱性溶液,形成掺杂第二掺杂元素的铋系化合物前驱液。

28、进一步的,所述铋盐选自磷酸铋、硫酸铋中的至少一种;和/或,

29、所述取代元素化合物选自钒化合物、硅化合物的其中一种;和/或,

30、所述第二掺杂元素化合物选自硼化合物、铝化合物、镓化合物的其中一种;和/或,

31、所述溶剂选自甲醇、乙醇、乙二醇、丙三醇、丁醇、dmf、dmso中的至少一种和/或,

32、所述有机溶剂选自甘油水溶液或浓硝酸中的至少一种;和/或,

33、所述极性溶剂选自去离子水或氨水中的至少一种;和/或,

34、所述碱性溶液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液或氢氧化锂中的至少一种。

35、本申请实施例还提供一种发光器件,采用了如下所述的技术方案:

36、一种发光器件,包括依次层叠的阳极层、复合膜层、发光层、复合膜层、阴极;或

37、包括依次层叠的阳极层、发光层、复合膜层、阴极层;或

38、包括依次层叠的阳极层、复合膜层、发光层、复合膜层、阴极层;

39、其中,所述复合膜层采用上述复合薄膜或由上述复合薄膜的制备方法制备得到。

40、进一步的,所述阳极层和/或阴极层的材料包括金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种,所述金属包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一种或多种;所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种;所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物,包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一种或多种,或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极,所述复合电极包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一种或多种;和/或,

41、所述发光层为量子点发光层或有机发光层;其中,所述量子点发光层的材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种,单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种,其中,ii-vi族化合物包括但不限于是cds、cdse、cdte、zns、znse本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合薄膜,其特征在于,包括层叠设置的第一薄膜与第二薄膜;

2.根据权利要求1所述的复合薄膜,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的复合薄膜,其特征在于,所述ⅢA-ⅤA族化合物选自InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、A1NP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、GaNP、GaNAs、GaPAs、GaPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNAs、GaAlN、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP中的至少一种;和/或,

4.一种复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

5.根据权利要求4所述的复合薄膜的制备方法,其特征在于,通过所述第一墨水在所述衬底上形成第一薄膜,包括:

6.根据权利要求5所述的复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述将铋盐、第二掺杂元素化合物、取代元素化合物加入反应溶剂中,形成掺杂的铋系化合物前驱体溶液,具体包括:

7.根据权利要求6所述的复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述铋盐选自磷酸铋、硫酸铋中的至少一种;和/或,

8.一种发光器件,其特征在于,包括依次层叠的阳极层、复合膜层、发光层、阴极层;或

9.根据权利要求8所述的发光器件,其特征在于,所述阳极层和/或阴极层的材料包括金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种,所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种;所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种;所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物,包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种,或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极,所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种;和/或,

10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8或9所述的发光器件。

...

【技术特征摘要】

1.一种复合薄膜,其特征在于,包括层叠设置的第一薄膜与第二薄膜;

2.根据权利要求1所述的复合薄膜,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的复合薄膜,其特征在于,所述ⅲa-ⅴa族化合物选自inp、inas、insb、aln、alp、alas、alsb、gan、gap、a1np、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ganp、ganas、gapas、gapsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnas、gaaln、gaalpas、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp中的至少一种;和/或,

4.一种复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

5.根据权利要求4所述的复合薄膜的制备方法,其特征在于,通过所述第一墨水在所述衬底上形成第一薄膜,包括:

6.根据权利要求5所述的复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述将铋盐、第二掺杂元素化合物、取代元素化合物加入反应溶剂中,形成掺杂的铋系化合物前驱体溶液,具体包括:

7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱佩陈亚文
申请(专利权)人:广东聚华印刷显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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