【技术实现步骤摘要】
各种实施方式总体可以涉及电子装置，更具体地，涉及半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。
技术介绍
1、为了满足顾客的需求(例如，良好的性能、低价格等)，可能需要提高半导体存储器装置的集成度。因为半导体存储器装置的集成度可能是决定半导体存储器装置的价格的重要因素，所以可能特别需要提高的集成度。
2、例如，当半导体存储器装置可以包括多个存储器单元时，存储器单元可以布置成三维结构，以减少存储器单元的占用面积。可以开发包括上述结构的三维半导体存储器装置。
技术实现思路
1、在本公开的一个实施方式中，半导体存储器装置可以包括栅极叠层和多个沟道结构。栅极叠层可以包括彼此隔开的多个层叠的导电图案。多个沟道结构可以穿过栅极叠层形成。每一个沟道结构可以包括第一沟道柱、第二沟道柱和栅极绝缘层。第一沟道柱可以穿过除了最上面的导电图案之外的导电图案形成。第二沟道柱可以穿过最上面的导电图案形成。第二沟道柱可以被配置成与第一沟道柱接触。栅极绝缘层可以插置在最上面的导电图案与第一沟道柱和第二沟道柱之间。
2、在本公开的一个实施方式中，半导体存储器装置可以包括栅极叠层、多个沟道结构和多个接触插塞。栅极叠层可以包括彼此隔开的多个层叠的导电图案。多个沟道结构可以穿过栅极叠层形成。多个接触插塞可以形成在栅极叠层上。多个接触插塞可以分别与多个沟道结构交叠。每一个沟道结构可以包括第一沟道柱、存储器层、第二沟道柱和栅极绝缘层。第一沟道柱可以穿过导电图案的一部分形成。存储器层可以被配置为围绕第
3、在本公开的一个实施方式中，根据制造半导体存储器装置的方法，可以形成层叠层，该层叠层可以包括交替层叠的牺牲层和第一层间绝缘层。牺牲层可以位于层叠层的最上层。可以穿过层叠层形成多个沟道孔。可以在每一个沟道孔中形成第一沟道柱。可以在具有第一沟道柱的层叠层上形成模制层。模制层可以包括被配置为部分暴露第一沟道柱的模制孔。可以在模制孔中形成第二沟道柱。然后可以移除模制层和层叠层的最上层处的牺牲层。
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1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二沟道柱位于所述第一沟道柱的中央部分处。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构还包括围绕所述第一沟道柱的底表面和侧表面的存储器层，并且所述存储器层包括延伸到所述第二沟道柱的上端和面对所述第二沟道柱的侧壁并且与所述第二沟道柱的所述侧壁隔开的侧壁。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述与接触插塞相邻的导电层包括至少两个板图案，并且所述与接触插塞相邻的导电层突出以填充所述存储器层的所述上端与所述第二沟道柱之间的空间。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述栅极叠层还包括穿透所述与接触插塞相邻的导电层的至少一个隔离层，并且所述与接触插塞相邻的导电层通过所述隔离层而被划分为在同一高度上彼此隔开的至少两个图案。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一沟道柱包括：
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二沟道柱的厚度比所述与接触插
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述接触插塞的直径比所述第二沟道柱的直径更宽。
9.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述栅极叠层还包括穿透所述第三导电层的至少一个隔离层，并且所述第三导电层通过所述隔离层而被划分为在同一高度上彼此隔开的至少两个图案。
11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离层从所述第三导电层突出，并且所述隔离层的一部分位于相邻布置的所述接触插塞之间。
12.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第二沟道柱的上部区域插入到所述接触插塞的下部区域中。
13.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第二沟道柱包括形成在所述第二沟道柱的上部区域处的结区，并且所述结区的一部分插入到所述接触插塞的下部区域中。
14.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第一沟道柱包括：
15.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述存储器层包括延伸到所述第二沟道柱的上端以及面对所述第二沟道柱的侧壁并且与所述第二沟道柱的所述侧壁隔开的侧壁。
16.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，所述第三导电层包括至少两个板图案，并且与所述第一沟道柱交叠的所述第三导电层突出以填充所述存储器层的所述上端和所述第二沟道柱之间的空间。
17.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述接触插塞的直径比所述第二沟道柱的直径更宽。
18.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第二沟道柱位于所述第一沟道柱的中央部分处。
19.一种半导体存储器系统，所述半导体存储器系统包括：
20.根据权利要求19所述的半导体存储器系统，其中，所述半导体存储器系统还包括与所述第二沟道柱接触的接触插塞，并且
21.根据权利要求20所述的半导体存储器系统，所述半导体存储器系统还包括：
22.一种制造半导体存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：
23.根据权利要求22所述的方法，其中，形成所述第一沟道柱的步骤包括以下步骤：
24.根据权利要求23所述的方法，其中，形成所述第二沟道柱的步骤包括以下步骤：
25.根据权利要求22所述的方法，其中，形成所述导电层的步骤包括以下步骤：
26.根据权利要求25所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
27.根据权利要求25所述的方法，其中，利用所述导电层部分填充所述第二沟道柱之间的空间的步骤包括以下步骤：
28.根据权利要求25所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
29.根据权利要求28所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
30.根据权利要求29所述的方法，其中，所述第二沟道柱的所述结区插入到所述接触插塞的下端中。
31.根据权利要求22所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二沟道柱位于所述第一沟道柱的中央部分处。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构还包括围绕所述第一沟道柱的底表面和侧表面的存储器层，并且所述存储器层包括延伸到所述第二沟道柱的上端和面对所述第二沟道柱的侧壁并且与所述第二沟道柱的所述侧壁隔开的侧壁。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述与接触插塞相邻的导电层包括至少两个板图案，并且所述与接触插塞相邻的导电层突出以填充所述存储器层的所述上端与所述第二沟道柱之间的空间。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述栅极叠层还包括穿透所述与接触插塞相邻的导电层的至少一个隔离层，并且所述与接触插塞相邻的导电层通过所述隔离层而被划分为在同一高度上彼此隔开的至少两个图案。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一沟道柱包括：
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二沟道柱的厚度比所述与接触插塞相邻的导电层的厚度更厚，并且所述第二沟道柱的上部区域从所述与接触插塞相邻的导电层的上表面突出，且所述第二沟道柱的下部区域从所述与接触插塞相邻的导电层的底表面突出，并且
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述接触插塞的直径比所述第二沟道柱的直径更宽。
9.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述栅极叠层还包括穿透所述第三导电层的至少一个隔离层，并且所述第三导电层通过所述隔离层而被划分为在同一高度上彼此隔开的至少两个图案。
11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离层从所述第三导电层突出，并且所述隔离层的一部分位于相邻布置的所述接触插塞之间。
12.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第二沟道柱的上部区域插入到所述接触插塞的下部区域中。
13.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第二沟道柱包括形成在所述第二沟...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑基昶，金南局，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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