【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于flash memory处理，特别涉及一种防止flash memory意外掉电导致破坏程序的方法及其控制电路。
技术介绍
1、flash memory存储系统的程序,一旦程序损坏或丢失，会造成整个系统完全崩溃。为防止程序损坏，flash memory厂商都会提供一个写保护功能管脚write protect，简称wp。不同的flash memory厂商提供的wp管脚有的是低电平有效，有的是高电平有效。低电平有效，即低电平时，flash memory进入写保护状态，此时不允许对flash memory进行写操作。另一种是高电平有效，处理方法类似。对于flash memory的wp这个管脚的用法，以wp低电平的flash memory为例，用一个gpio控制wp电平，当升级程序或需要往flash memory写数据时，gpio输出高电平，可以对flash memory进行写操作，当写操作结束，gpio输出低电平，flash memory进入写保护状态，不能写入数据。参见图1示例。
2、一般flash memory标称的工作电压是3.6-2.7v，上述技术方案在供电正常的情况下没有问题，但是如果flash memory发生意外掉电，flash memory的供电电压掉到2.7v以下时，flash memory处于不稳定的工作状态，这时数据线上的数据有可能是错误的，而此时mcu正在对flash memory进行写操作，mcu不知道flash memory已经掉电，来不及发出低电平，让flash memory进入写
3、此外，常用的技术术语包括：
4、flash memory：flash memory也叫闪存，是属于内存器件的一种，闪存是一种非易失性(non-volatile)内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
5、gpio：general purpose input/output pin，芯片的通用输入输出引脚。wp：writeprotect，简称wp，低电平有效，即低电平时，flash memory进入写保护状态，此时不允许对flash memory进行写操作。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本申请的目的在于：旨在用硬件的方式，对flash memory的wp管脚进行控制，当意外掉电时，能够快速对wp脚进行写保护控制，防止错误数据写入flashmemory。
2、具体地，本专利技术提供一种防止flash memory意外掉电导致破坏程序的方法，所述方法包括以下步骤：
3、s1，设电阻r1和电阻r2串联并且分别接+3.3v和接地，形成电阻分压，其中r2上的电压记为vref，vref的计算公式如下
4、
5、vref电压值可取0＜vref＜3.3v之间的一个值，取电阻r1阻值1k，r2阻值10k，代入上述公式计算得vref值是3v；
6、s2，设所述电阻分压后产生的vref电压接一电压比较器的v-端，所述电压比较器的v+端接flash memory的供电flash_3.3v，flash_3.3v的的电压是3.3v；
7、s3，所述电压比较器的vout端接flash memory的wp管脚，简称wp，低电平有效，即低电平时，flash memory进入写保护状态，此时不允许对flash memory进行写操作，利用电压比较器的特性，监测flash memory的供电电压flash_3.3v，当监测到flash_3.3v的电压由3.3v下降到3v以下时，电压比较器vout端马上发出低电平信号给flash memory的wp管脚，让flash memory进入写保护状态，不让错误数据写入，保护程序。
8、所述电压比较器的特性进一步包括：
9、电压比较器比较两个电压的大小，当v+＞v-时，电压比较器输出端vout是vcc，高电平h；当v+＜v-时，电压比较器输出端vout是0v，低电平l。
10、所述步骤s3进一步包括：
11、在flash memory的供电正常的情况下，v+端是flash_3.3v，电压是3.3v，v-端是3v，即v+＞v-，电压比较器输出端vout是3.3v，高电平h，这时flash memory的wp不处于写保护状态，flash memory可随时写入；当mcu正在对flash memory进行写操作时，flashmemory的供电flash_3.3v突然发生意外掉电，v+端的flash_3.3v由3.3v掉到3v以下时，这时flash_3.3v的电压是3-2.7v之间，即v+＜v-时，电压比较器输出端vout是0v，低电平，这时flash memory的wp被拉低，flash memory进入写保护状态。
12、所述方法中，flash标称的工作电压是3.6-2.7v，即flash在工作电压是3.6-2.7v时，是处于稳定的工作状态，当flash_3.3v掉到3v以下时，这时flash_3.3v的电压是3-2.7v之间，flash memory的wp被拉低，进入写保护状态，不接收数据线上的数据；当flash_3.3v掉到2.7v以下时，flash memory已经处于不稳定的工作状态，这时即使数据线上的数据是错的，但是flash memory已经进入写保护状态，不接收数据线上错误的数据，从而保护程序不被破坏。
13、所述flash标称的工作电压是3.6-2.7v。
14、还涉及一种防止flash memory意外掉电导致程序被破坏的控制电路，所述控制电路适用于上述任一所述的方法，所述控制电路至少包括：一个电阻r1，另一个电阻r2，一个电压比较器，所述电压比较器vout端连接flash memory的wp管脚；mcu与flash memory连接。
15、由此，本申请的优势在于：方法简便，利用电压比较器的特性，监测flash供电电压，当监测供电电压下降，电压比较器马上发出低电平信号，让flash memory进入写保护状态，不让错误数据写入，保护程序。
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1.一种防止Flash memory意外掉电导致破坏程序的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种防止Flash memory意外掉电导致破坏程序的方法，其特征在于，所述电压比较器的特性进一步包括：
3.根据权利要求2所述的一种防止Flash memory意外掉电导致破坏程序的方法，其特征在于，所述步骤S3进一步包括：
4.根据权利要求3所述的一种防止Flash memory意外掉电导致破坏程序的方法，其特征在于，所述方法中，Flash标称的工作电压是3.6-2.7V，即Flash在工作电压是3.6-2.7V时，是处于稳定的工作状态，当FLASH_3.3V掉到3V以下时,这时FLASH_3.3V的电压是3-2.7V之间，Flash memory的WP被拉低，进入写保护状态，不接收数据线上的数据；当FLASH_3.3V掉到2.7V以下时，Flash memory已经处于不稳定的工作状态，这时即使数据线上的数据是错的，但是Flash memory已经进入写保护状态，不接收数据线上错误的数据，从而保护程序不被破坏。>
5.根据权利要求1所述的一种防止Flash memory意外掉电导致破坏程序的方法，其特征在于，所述Flash标称的工作电压是3.6-2.7V。
6.一种防止Flash memory意外掉电导致破坏程序的控制电路，其特征在于，所述控制电路适用于上述权利要求1-5任一所述的方法，所述控制电路至少包括：
...【技术特征摘要】
1.一种防止flash memory意外掉电导致破坏程序的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种防止flash memory意外掉电导致破坏程序的方法，其特征在于，所述电压比较器的特性进一步包括：
3.根据权利要求2所述的一种防止flash memory意外掉电导致破坏程序的方法，其特征在于，所述步骤s3进一步包括：
4.根据权利要求3所述的一种防止flash memory意外掉电导致破坏程序的方法，其特征在于，所述方法中，flash标称的工作电压是3.6-2.7v，即flash在工作电压是3.6-2.7v时，是处于稳定的工作状态，当flash_3.3v掉到3v以下时,这时flash...
【专利技术属性】
技术研发人员：任科飞，
申请(专利权)人：北京君正集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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