System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示,尤其涉及一种挡板及曝光装置、基板曝光方法。
技术介绍
1、在amoled(active-matrix organic light-emitting diode,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)显示屏制造技术中,阵列衬底需要采用曝光装置曝光的方式在基板上进行图案化,由于曝光机曝光有效区域的限制,需采用拼接曝光方式进行曝光。
2、但目前的拼接曝光方案存在基板利用率低,基板边缘不良风险高的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此,本申请的目的在于提出一种挡板,能够提高基板拼接曝光时的利用率,降低基板边缘不良风险。
2、基于上述目的,本申请提供了一种挡板,用于基板曝光,所述基板包括待曝光区和待遮挡区,所述待曝光区包括至少一个目标曝光区,所述待遮挡区至少部分包围所述目标曝光区,所述挡板包括:
3、透光区域和非透光区域;
4、在对所述基板进行曝光时,所述透光区域在所述基板上的正投影至少部分覆盖所述目标曝光区在所述基板上的正投影,所述非透光区域在所述基板上的正投影覆盖所述待遮挡区在所述基板上的正投影。
5、在其中一个实施例中,在对所述基板进行曝光时,所述透光区域在所述基板上的正投影的边缘上的任意一点到所述目标曝光区的最小距离大于等于曝光装置的灰区宽度和曝光装置的精度误差之和。
6、在其中一个实施例中,在对所述基板进行曝光时,所述透光区域在所述基板上的正投影的边缘上的任意两点到所述目标曝光区的最小距离
7、在其中一个实施例中,所述基板包括至少两个拼接曝光区,两个所述拼接曝光区包括公共区域,所述待遮挡区在所述基板上的正投影和所述目标曝光区在所述基板上的正投影位于所述公共区域在所述基板上的正投影内。
8、在其中一个实施例中,所述待曝光区还包括面板区,所述面板区在所述基板上的正投影与所述目标曝光区在所述基板上的正投影无交叠;
9、优选地,所述基板包括多个所述待曝光区,每个所述待曝光区包括多个所述面板区。
10、在其中一个实施例中,所述透光区域和非透光区域在所述基板上的正投影组合为矩形。
11、优选地,所述目标曝光区的形状包括圆形、矩形、梯形、凹字形、凸字形中的至少一种。
12、在其中一个实施例中,所述透光区域位于所述非透光区域的边缘;
13、优选地,所述挡板包括多个所述非透光区域,多个所述非透光区域沿所述挡板的长度方向排列;
14、优选地,所述非透光区域沿所述挡板的长度方向延伸的两个相对的边缘均设置有所述透光区域。
15、在其中一个实施例中,所述目标曝光区用于形成标记点或测试点。
16、基于同样的专利技术构思,本申请还公开了一种曝光装置,其包括:
17、曝光光源,以及上述任意一项所述的挡板。
18、基于同样的专利技术构思,本申请还公开了一种基板曝光方法,该方法包括:
19、提供一挡板,所述挡板包括透光区域和非透光区域;
20、将所述挡板置于掩膜版与曝光光源之间的目标位置,基板置于所述掩膜版远离所述曝光光源的一侧;其中,所述基板包括待曝光区和待遮挡区,所述待曝光区包括至少一个目标曝光区,所述待遮挡区至少部分包围所述目标曝光区,所述透光区域在所述基板上的正投影至少部分覆盖所述目标曝光区在所述基板上的正投影,所述非透光区域在所述基板上的正投影覆盖所述待遮挡区在所述基板上的正投影;
21、利用所述曝光光源对所述基板进行曝光;其中,所述透光区域透过射向所述目标曝光区的光,所述非透光区域遮挡射向所述待遮挡区的光。
22、与现有技术相比,本申请提供的挡板包括透光区域和非透光区域,在对基板进行曝光时,透光区域在基板上的正投影至少部分覆盖目标曝光区在基板上的正投影,非透光区域在基板上的正投影覆盖待遮挡区在基板上的正投影,有利于大幅减小面板间的排版间距,提高基板的利用率,降低基板边缘不良风险。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种挡板,用于基板曝光,所述基板包括待曝光区和待遮挡区,所述待曝光区包括至少一个目标曝光区,所述待遮挡区至少部分包围所述目标曝光区,其特征在于,所述挡板包括:
2.根据权利要求1所述的挡板,其特征在于,在对所述基板进行曝光时,所述透光区域在所述基板上的正投影的边缘上的任意一点到所述目标曝光区的最小距离大于等于曝光装置的灰区宽度和曝光装置的精度误差之和。
3.根据权利要求2所述的挡板,其特征在于,在对所述基板进行曝光时,所述透光区域在所述基板上的正投影的边缘上的任意两点到所述目标曝光区的最小距离相等。
4.根据权利要求1所述的挡板,其特征在于,所述基板包括至少两个拼接曝光区,两个所述拼接曝光区包括公共区域,所述待遮挡区在所述基板上的正投影和所述目标曝光区在所述基板上的正投影位于所述公共区域在所述基板上的正投影内。
5.根据权利要求1所述的挡板,其特征在于,所述待曝光区还包括面板区,所述面板区在所述基板上的正投影与所述目标曝光区在所述基板上的正投影无交叠;
6.根据权利要求1所述的挡板,其特征在于,所述透光区域和非透光区
7.根据权利要求1所述的挡板,其特征在于,所述透光区域位于所述非透光区域的边缘;
8.根据权利要求1所述的挡板,其特征在于,所述目标曝光区用于形成标记点或测试点。
9.一种曝光装置,其特征在于,包括:
10.一种基板曝光方法,其特征在于,包括:
...【技术特征摘要】
1.一种挡板,用于基板曝光,所述基板包括待曝光区和待遮挡区,所述待曝光区包括至少一个目标曝光区,所述待遮挡区至少部分包围所述目标曝光区,其特征在于,所述挡板包括:
2.根据权利要求1所述的挡板,其特征在于,在对所述基板进行曝光时,所述透光区域在所述基板上的正投影的边缘上的任意一点到所述目标曝光区的最小距离大于等于曝光装置的灰区宽度和曝光装置的精度误差之和。
3.根据权利要求2所述的挡板,其特征在于,在对所述基板进行曝光时,所述透光区域在所述基板上的正投影的边缘上的任意两点到所述目标曝光区的最小距离相等。
4.根据权利要求1所述的挡板,其特征在于,所述基板包括至少两个拼接曝光区,两个所述拼接曝光区包括公共区域,所述待遮挡...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐玉枫,葛一飞,周皓月,范柳彬,冯士振,付佳,陈源源,许智鹏,
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。