【技术实现步骤摘要】
本技术涉及模拟集成电路技术，具体但不限于涉及一种ldo控制电路、ldo电源。
技术介绍
1、低压差线性稳压器(ldo，low dropout regulator)具有低成本、低功耗以及外围电路简单等优点，使其在电源管理系统中发挥着至关重要的作用。ldo常用在电池供电的设备和便携式的电子产品中，其工作电压较低，一般电源电压为5v左右。在芯片设计中，需要一个稳定的ldo电源用来给芯片供电，常见的电源分为开环和闭环两种方式，如图1和图2所示。
2、开环控制中，通过稳压管d1把nmos n1的gate钳位在vz，那么vdd＝vz-vgs。在常用的cmos工艺中，稳压管不是标准器件，需要增加额外的光照层次才能得到性能好的稳压管，因此通常用几个串联的gate-drain短接的nmos即vgs作钳位。如图1所示，由于nmos的vgs随温度和工艺偏差有较大范围的波动，所述开环控制虽然结构简单但性能较差。
3、如图2所示，闭环控制包括运放op、nmos驱动管和电阻r1、r2。运放op用于放大电阻r1、r2的反馈电压与基准电压vbg的差值，输出信号控制nmos驱动管的栅极；nmos驱动管根据其栅极电压的变化，改变流过nmos驱动管的电流，从而调节输出电压；电阻r1和r2起分压作用，产生运放op负输入端的反馈电压信号。所述闭环控制通过基准电压vbg和输出电压vdd的电阻分压经运放闭环控制nmos的gate，能得到随温度和工艺变化很小的vd。如图2所示，所述闭环控制需要使用单独的运放进行控制，闭环控制电路较复杂，在晶圆尺寸较小的
4、有鉴于此，需要提供一种新的结构，以期解决上述至少部分问题。
技术实现思路
1、针对现有技术中的一个或多个问题，本技术提出了一种ldo控制电路、ldo电源，用于解决现有技术中控制电路性能差、结构复杂的问题。
2、实现本技术目的的技术解决方案为：
3、本技术公开了一种ldo控制电路，包括：
4、带隙电路，其第一端耦接电流镜的控制信号输出端，第二端接入ldo输出反馈信号，第三端耦接调节电路的第一端；所述带隙电路用于获取ldo输出反馈信号并输出至调节电路；
5、调节电路，其第一端耦接带隙电路的第三端，第二端耦接电流镜的第二端；所述调节电路用于根据ldo输出反馈信号生成调节信号并输出至电流镜；
6、电流镜，其第一端接入输入电压，第二端耦接调节电路的第二端，第三端作为控制信号输出端耦接ldo输出电压端；所述电流镜用于根据调节信号比例生成控制信号。
7、优选的，所述ldo控制电路还包括第四pmos管，其栅极耦接带隙电路的第三端，源极耦接电流镜的第三端，漏极耦接调节电路的第一端。
8、优选的，所述调节电路包括第一nmos管、第二nmos管和第三电阻，其中，第一nmos管的栅极耦接第二nmos管的漏极，第一nmos管的漏极耦接电流镜的第二端，第一nmos管的源极耦接第三电阻的第一端和第二nmos管的栅极，第三电阻的另一端接地，第二nmos管的源极接地。
9、优选的，所述调节电路还包括第四电阻，第四电阻的一端耦接输入电压，另一端耦接第一nmos管的栅极和第二nmos管的漏极。
10、优选的，所述带隙电路包括第五pmos管、第六pmos管、第一三极管、第二三极管、第五电阻和第六电阻，其中，第五pmos管的源极和第六pmos管的源极均耦接电流镜的输出端并作为输出电压端，第五pmos管的栅极和第六pmos管的栅极相连并耦接第六pmos管的漏极和第二三极管的集电极，第五pmos管的漏极连接第四pmos管的栅极和第一三极管的集电极；第一三极管和第二三极管的基极相连并耦接ldo输出反馈端，第一三极管的发射极连接第五电阻的一端和第六电阻的一端，第二三极管的发射极连接第五电阻的另一端，第六电阻的另一端接地。
11、优选的，所述电流镜为1:k电流镜。
12、优选的，所述电流镜包括第一pmos管和第二pmos管，其中，第一pmos管和第二pmos管的源极相连并连接输入电压，第一pmos管和第二pmos管的栅极相连并连接第一pmos管的漏极和调节电路的第二端，第二pmos管的漏极为控制信号输出端耦接ldo输出电压端。
13、本技术还公开了一种ldo控制电路，包括第一pmos管、第二pmos管、第四pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第三电阻、第四电阻、第五pmos管、第六pmos管、第一三极管、第二三极管、第五电阻和第六电阻；其中：
14、第一pmos管和第二pmos管的源极相连并连接输入电压，第一pmos管和第二pmos管的栅极相连并连接第一pmos管的漏极和第一nmos管的漏极，第二pmos管的漏极耦接第四pmos管的源极并作为输出电压端；
15、第一nmos管的栅极耦接第二nmos管的漏极和第四电阻的一端，第四电阻的另一端耦接输入电压，第一nmos管的源极耦接第四pmos管的漏极、第三电阻的第一端和第二nmos管的栅极，第三电阻的另一端接地，第二nmos管的源极接地；
16、第五pmos管的源极和第六pmos管的源极均耦接第二pmos管的漏极，第五pmos管的栅极和第六pmos管的栅极相连并耦接第六pmos管的漏极和第二三极管的集电极，第五pmos管的漏极耦接第四pmos管的栅极和第一三极管的集电极，第一三极管和第二三极管的基极相连并耦接ldo输出反馈端，第一三极管的发射极连接第五电阻的一端和第六电阻的一端，第二三极管的发射极连接第五电阻的另一端，第六电阻的另一端接地。
17、本技术还公开了一种ldo电源，包括pmos驱动管、第一反馈电阻、第二反馈电阻以及如上述任一所述的ldo控制电路，其中，pmos驱动管的栅极耦接其漏极和第一反馈电阻的一端，pmos驱动管的源极作为ldo输出电压端并耦接电流镜的第三端，第一反馈电阻的另一端耦接带隙电路的第二端和第二反馈电阻的一端，第二反馈电阻的另一端接地。
18、本技术采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：
19、1、本技术的ldo控制电路通过复用带隙电路，无需使用单独的运放，实现了ldo输出电压的闭环控制。
20、2、本技术的ldo控制电路通过带隙环路产生内部供电电源，提高了系统的一致性。
21、3、本技术的ldo控制电路结构简单，简化了现有的电路设计，省去传统的单独运放，成本低，同时具有较好的性能。
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1.一种LDO控制电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的LDO控制电路，其特征在于，所述LDO控制电路还包括第四PMOS管，其栅极耦接带隙电路(1)的第三端，源极耦接电流镜(2)的第三端，漏极耦接调节电路(3)的第一端。
3.根据权利要求1或2所述的LDO控制电路，其特征在于，所述调节电路(3)包括第一NMOS管、第二NMOS管和第三电阻，其中，第一NMOS管的栅极耦接第二NMOS管的漏极，第一NMOS管的漏极耦接电流镜(2)的第二端，第一NMOS管的源极耦接第三电阻的第一端和第二NMOS管的栅极，第三电阻的另一端接地，第二NMOS管的源极接地。
4.根据权利要求3所述的LDO控制电路，其特征在于，所述调节电路(3)还包括第四电阻，第四电阻的一端耦接输入电压，另一端耦接第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极。
5.根据权利要求1或2所述的LDO控制电路，其特征在于，所述带隙电路(1)包括第五PMOS管、第六PMOS管、第一三极管、第二三极管、第五电阻和第六电阻，其中，第五PMOS管的源极和第六PMOS管的源极均耦接电
6.根据权利要求1或2所述的LDO控制电路，其特征在于，所述电流镜(2)为1:K电流镜。
7.根据权利要求1或2所述的LDO控制电路，其特征在于，所述电流镜(2)包括第一PMOS管和第二PMOS管，其中，第一PMOS管和第二PMOS管的源极相连并连接输入电压，第一PMOS管和第二PMOS管的栅极相连并连接第一PMOS管的漏极和调节电路的第二端，第二PMOS管的漏极为控制信号输出端耦接LDO输出电压端。
8.一种LDO电源，其特征在于，包括PMOS驱动管、第一反馈电阻、第二反馈电阻以及如权利要求1-7任一所述的LDO控制电路，其中，PMOS驱动管的栅极耦接其漏极和第一反馈电阻的一端，PMOS驱动管的源极作为LDO输出电压端并耦接电流镜(2)的第三端，第一反馈电阻的另一端耦接带隙电路(1)的第二端和第二反馈电阻的一端，第二反馈电阻的另一端接地。
...【技术特征摘要】
1.一种ldo控制电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的ldo控制电路，其特征在于，所述ldo控制电路还包括第四pmos管，其栅极耦接带隙电路(1)的第三端，源极耦接电流镜(2)的第三端，漏极耦接调节电路(3)的第一端。
3.根据权利要求1或2所述的ldo控制电路，其特征在于，所述调节电路(3)包括第一nmos管、第二nmos管和第三电阻，其中，第一nmos管的栅极耦接第二nmos管的漏极，第一nmos管的漏极耦接电流镜(2)的第二端，第一nmos管的源极耦接第三电阻的第一端和第二nmos管的栅极，第三电阻的另一端接地，第二nmos管的源极接地。
4.根据权利要求3所述的ldo控制电路，其特征在于，所述调节电路(3)还包括第四电阻，第四电阻的一端耦接输入电压，另一端耦接第一nmos管的栅极和第二nmos管的漏极。
5.根据权利要求1或2所述的ldo控制电路，其特征在于，所述带隙电路(1)包括第五pmos管、第六pmos管、第一三极管、第二三极管、第五电阻和第六电阻，其中，第五pmos管的源极和第六pmos管的源极均耦接电流镜(2)的输出端并作为输出电压端，第五pmos管的栅极和第六pmos管的栅极相连...
【专利技术属性】
技术研发人员：王曙光，白浪，
申请(专利权)人：厦门市必易微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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