System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种全石英封装的表贴晶振及其形成方法技术_技高网

一种全石英封装的表贴晶振及其形成方法技术

技术编号:44996876 阅读:1 留言:0更新日期:2025-04-15 17:10
本发明专利技术提供一种全石英封装的表贴晶振及其形成方法,该表贴晶振包括:底板、盖板和晶圆,晶圆设置在底板和盖板之间,其中,底板、盖板和晶圆均由石英材料制成并且晶圆的正反两面的电极区通过侧面电极相互连接;表贴晶振的形成方法包括:用石英材料制作底板、盖板和晶圆,将晶圆设置在底板和盖板之间,将晶圆与底板键合,以及将晶圆与盖板键合。根据本发明专利技术的表贴晶振热稳定性更强、适用范围更广,能够降低产品不良率、提高加工效率,并且可以进一步缩小元器件的尺寸,降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元器件领域,具体而言,涉及一种全石英封装的表贴晶振及其形成方法


技术介绍

1、表贴晶振是一种表贴式的石英晶体谐振器,凭借其高性能、抗震性强以及精度稳定等优势被广泛应用于消费电子、汽车工业、航空航天等领域。目前,表贴晶振的封装方式主要有陶瓷封装、塑料封装等,但这类异质封装方案由于所选用的封装材料与中间层材料不同,进而引发了热膨胀系数不一致的问题,导致产品的热稳定性明显降低,极大地限制了产品的应用范围。

2、采用传统技术进行封装的表贴晶振所使用的封装材料成本较高,且厚度较厚、体积已很难再缩小,只能作为独立器件使用,无法应用于系统级封装(system in package)产品之中,这对电子元器件向小型化方向发展形成了阻碍。

3、此外,现有的表贴晶振的振动主体所在的晶圆层的正反两面电极区的互联方式为通孔互联,然而通孔区域与振动主体区域的面积往往不一致,因此在进行通孔区域与振动主体的同时加工时很难保证二者能够被全部通透,结果是部分通孔不完全通透,无法形成有效电连接,最终影响器件性能,导致产品不良率升高、成本增加。


技术实现思路

1、针对相关技术中存在的改进需求,本专利技术实施例提供一种全石英封装的表贴晶振及其形成方法。

2、本专利技术提供一种全石英封装的表贴晶振,包括:

3、底板,盖板和晶圆,设置在所述底板和所述盖板之间;

4、所述底板、所述盖板和所述晶圆均由石英材料制成,并且

5、所述晶圆的正反两面的电极区通过侧面电极相互连接。

6、根据本专利技术公开的表贴晶振,所述底板的正反两面分别设有第一薄膜电极和第二薄膜电极,所述底板还设有第一石英通孔,并且所述底板经由所述第一石英通孔与所述第一薄膜电极和所述第二薄膜电极相连。

7、根据本专利技术公开的表贴晶振,所述盖板的正反两面分别设有第三薄膜电极和第四薄膜电极,所述盖板还设有第二石英通孔,并且所述盖板经由所述第二石英通孔与所述第三薄膜电极和所述第四薄膜电极相连。

8、根据本专利技术公开的表贴晶振,所述晶圆的正反两面分别设有第一金属键合区和第二金属键合区,所述晶圆还包括振动主体,所述振动主体与所述第一金属键合区和所述第二金属键合区连接。

9、根据本专利技术公开的表贴晶振,所述第一金属键合区包括第一金属键合区第一电极区、第一金属键合区第二电极区和第一金属键合区接地区,所述第二金属键合区包括第二金属键合区第一电极区、第二金属键合区第二电极区和第二金属键合区接地区,并且所述第一金属键合区第一电极区通过第一侧面电极与所述第二金属键合区第一电极区连接,所述第一金属键合区第二电极区通过第二侧面电极与所述第二金属键合区第二电极区连接。

10、本专利技术公开一种全石英封装的表贴晶振的形成方法,包括:

11、制作底板、盖板和晶圆;其中,所述底板、所述盖板和所述晶圆均由石英材料制成,并且所述晶圆的正反两面的电极区通过侧面电极相互连接;

12、将所述晶圆设置在所述底板和所述盖板之间;

13、将所述晶圆与所述底板键合;

14、将所述晶圆与所述盖板键合。

15、根据本专利技术公开的形成方法,所述底板通过以下步骤制作而成:

16、在所述底板的正反两面分别设置第一薄膜电极和第二薄膜电极,在所述底板中形成第一石英通孔,并且将所述底板经由所述第一石英通孔与所述第一薄膜电极和所述第二薄膜电极相连。

17、根据本专利技术公开的形成方法,所述盖板通过以下步骤制作而成:

18、在所述盖板的正反两面分别设置第三薄膜电极和第四薄膜电极,在所述盖板中形成第二石英通孔,并且将所述盖板经由所述第二石英通孔与所述第三薄膜电极和所述第四薄膜电极相连。

19、根据本专利技术公开的形成方法,所述晶圆通过以下步骤制作而成:

20、在所述晶圆的正反两面分别设置第一金属键合区和第二金属键合区,在所述晶圆上设置振动主体,将所述振动主体与所述第一金属键合区和所述第二金属键合区连接。

21、根据本专利技术公开的形成方法,所述第一金属键合区包括第一金属键合区第一电极区、第一金属键合区第二电极区和第一金属键合区接地区,所述第二金属键合区包括第二金属键合区第一电极区、第二金属键合区第二电极区和第二金属键合区接地区,并且所述第一金属键合区第一电极区通过第一侧面电极与所述第二金属键合区第一电极区连接,所述第一金属键合区第二电极区通过第二侧面电极与所述第二金属键合区第二电极区连接。

22、本专利技术提供的全石英封装的表贴晶振及其形成方法,表贴晶振使用全石英封装材料并采用晶圆级封装方法,可以进一步缩小元器件的尺寸,更利于系统级封装,并且适于大批量生产,有助于进一步降低成本。

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【技术保护点】

1.一种全石英封装的表贴晶振,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的表贴晶振,其特征在于,所述底板的正反两面分别设有第一薄膜电极和第二薄膜电极,所述底板还设有第一石英通孔,并且所述底板经由所述第一石英通孔与所述第一薄膜电极和所述第二薄膜电极相连。

3.根据权利要求1所述的表贴晶振,其特征在于,所述盖板的正反两面分别设有第三薄膜电极和第四薄膜电极,所述盖板还设有第二石英通孔,并且所述盖板经由所述第二石英通孔与所述第三薄膜电极和所述第四薄膜电极相连。

4.根据权利要求1所述的表贴晶振,其特征在于,所述晶圆的正反两面分别设有第一金属键合区和第二金属键合区,所述晶圆还包括振动主体,所述振动主体与所述第一金属键合区和所述第二金属键合区连接。

5.根据权利要求4所述的表贴晶振,其特征在于,所述第一金属键合区包括第一金属键合区第一电极区、第一金属键合区第二电极区和第一金属键合区接地区,所述第二金属键合区包括第二金属键合区第一电极区、第二金属键合区第二电极区和第二金属键合区接地区,并且所述第一金属键合区第一电极区通过第一侧面电极与所述第二金属键合区第一电极区连接,所述第一金属键合区第二电极区通过第二侧面电极与所述第二金属键合区第二电极区连接。

6.一种全石英封装的表贴晶振的形成方法,其特征在于,包括:

7.根据权利要求6所述的形成方法,其特征在于,所述底板通过以下步骤制作而成:

8.根据权利要求6所述的形成方法,其特征在于,所述盖板通过以下步骤制作而成:

9.根据权利要求6所述的形成方法,其特征在于,所述晶圆通过以下步骤制作而成:

10.根据权利要求9所述的形成方法,其特征在于,所述第一金属键合区包括第一金属键合区第一电极区、第一金属键合区第二电极区和第一金属键合区接地区,所述第二金属键合区包括第二金属键合区第一电极区、第二金属键合区第二电极区和第二金属键合区接地区,并且所述第一金属键合区第一电极区通过第一侧面电极与所述第二金属键合区第一电极区连接,所述第一金属键合区第二电极区通过第二侧面电极与所述第二金属键合区第二电极区连接。

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【技术特征摘要】

1.一种全石英封装的表贴晶振,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的表贴晶振,其特征在于,所述底板的正反两面分别设有第一薄膜电极和第二薄膜电极,所述底板还设有第一石英通孔,并且所述底板经由所述第一石英通孔与所述第一薄膜电极和所述第二薄膜电极相连。

3.根据权利要求1所述的表贴晶振,其特征在于,所述盖板的正反两面分别设有第三薄膜电极和第四薄膜电极,所述盖板还设有第二石英通孔,并且所述盖板经由所述第二石英通孔与所述第三薄膜电极和所述第四薄膜电极相连。

4.根据权利要求1所述的表贴晶振,其特征在于,所述晶圆的正反两面分别设有第一金属键合区和第二金属键合区,所述晶圆还包括振动主体,所述振动主体与所述第一金属键合区和所述第二金属键合区连接。

5.根据权利要求4所述的表贴晶振,其特征在于,所述第一金属键合区包括第一金属键合区第一电极区、第一金属键合区第二电极区和第一金属键合区接地区,所述第二金属键合区包括第二金属键合区第一电极区、第二金属键合区第二电极区和第二金属键合区接地...

【专利技术属性】
技术研发人员:石帅王颖白忆楠张晓昱谷华锋裴志强张琳琳尚帅
申请(专利权)人:北京晨晶电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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