【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及制造半导体存储器件的方法，更具体地，涉及制造三维半导体存储器件的方法。
技术介绍
1、对电子产品小型化、多功能和高性能的需求需要高容量半导体存储器件。因为常规二维半导体存储器件的集成度主要由单位存储单元占据的面积决定，所以提高二维半导体存储器件的集成度受超高集成半导体制造工艺的物理限制所限。因此，作为提高集成度的解决方案，具有在垂直方向上堆叠的多个存储单元的三维半导体存储器件受到关注。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了制造具有改善的可靠性和集成的半导体存储器件的方法。
2、根据本专利技术构思的一些实施方式，提供了一种制造半导体存储器件的方法。该制造半导体存储器件的方法包括：在衬底上形成具有多个开口的金属籽晶图案；从衬底和金属籽晶图案形成金属硅化物图案；在衬底和金属硅化物图案之间的界面处沿垂直方向生长单晶半导体图案，其中，垂直方向垂直于衬底；以及在金属硅化物图案和单晶半导体图案之间的界面处沿垂直方向生长牺牲半导体图案。
3、根据本专利技术构思的一些实施方式，提供了一种制造半导体存储器件的方法。该制造半导体存储器件的方法包括：在衬底上形成金属籽晶图案；从衬底和金属籽晶图案形成金属硅化物图案；通过加热金属硅化物图案形成金属-半导体材料的共熔层；以及通过从共熔层的底表面一个接一个交替地生长多个单晶半导体图案中的相应单晶半导体图案和多个牺牲半导体图案中的相应牺牲半导体图案来形成具有暴露衬底的多个垂直孔的图案化模堆叠。
4、根据本专利
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1.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属硅化物图案包括金(Au)，以及
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一反应气体进一步包括第一蚀刻组合物，所述第一蚀刻组合物配置为去除沉积在所述衬底上的杂质。
5.根据权利要求1所述的方法，
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述金属硅化物图案包括金(Au)，以及
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单晶半导体图案的侧壁和所述牺牲半导体图案的侧壁垂直于所述衬底的顶表面。
8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个垂直孔中的每个的水平宽度是恒定的，而不管在所述垂直方向上到所述衬底的距离如何。
10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：
11.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述图案化模堆叠的限定所述多个垂直孔的内侧壁垂
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个单晶半导体图案和所述多个牺牲半导体图案在远离所述衬底的顶表面的方向上外延生长。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述共熔层在约250℃至约1500℃的温度范围内执行。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述共熔层中金属的原子数与原子总数的比率是约0.1至约0.3。
16.根据权利要求11所述的方法，
17.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：
18.根据权利要求17所述的方法，
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述多个单晶半导体图案和所述多个牺牲半导体图案在远离所述衬底的所述顶表面的方向上外延生长。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述共熔层中金属的原子数与原子总数的比率是约0.1至约0.3。
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属硅化物图案包括金(au)，以及
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一反应气体进一步包括第一蚀刻组合物，所述第一蚀刻组合物配置为去除沉积在所述衬底上的杂质。
5.根据权利要求1所述的方法，
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述金属硅化物图案包括金(au)，以及
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单晶半导体图案的侧壁和所述牺牲半导体图案的侧壁垂直于所述衬底的顶表面。
8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个垂直孔中的每个的水平宽度是恒定的，而不管在所述垂直方向上到所述衬底的距离如何。
10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：
11.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：
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