【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体材料、用于制备所述半导体材料的层的方法以及包含所述半导体材料的有机半导体器件。本专利技术还涉及一种化合物。
技术介绍
0、专利技术背景
1、作为自发光器件的诸如有机发光二极管oled的有机半导体器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性和色彩再现。典型的oled包含顺序层叠在基底上的阳极、空穴传输层htl、发光层eml、电子传输层etl和阴极。在这方面，htl、eml和etl是由有机化合物形成的薄膜。
2、当将电压施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴通过htl移动到eml，并且从阴极注入的电子通过etl移动到eml。空穴和电子在eml中重组以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发光。空穴和电子的注入和流动应当平衡，使得具有上述结构的oled具有优异的效率和/或长的寿命。
3、有机发光二极管的性能可受有机半导体层的特性影响，并且其中可受有机半导体层的有机材料的特性影响。
4、特别地，需要开发能够增加电子迁移率并且同时增加电化学稳定性的有机半导体层，使得诸如有机发光二极管的有机半导体器件可以应用于大尺寸平板显示器。
5、此外，需要开发一种能够在更高电流密度下并因此在更高亮度下具有延长的使用寿命的有机半导体层。特别地，需要开发一种能够降低例如移动显示器件的工作电压的有机半导体材料或半导体层，降低工作电压对于降低功耗和延长电池寿命非常重要。
6、因此，本专利技术的目的是提供有机半导体器件和用于制备所述有机半导体器件的
技术实现思路
1、该目的通过包含第一有机化合物的半导体材料来实现，其中第一有机化合物包含：
2、- 至少一个包含至少一个芳族环的电荷传输结构部分；和
3、- 至少一个由下式(1)表示的基团：
4、(1)
5、其中
6、- 波浪线“”表示由式(1)表示的基团与第一有机化合物的剩余结构键合的位置；并且
7、- r1和r2独立地选自h和ch3。
8、电荷传输结构部分可以独立地选自：
9、- 包含至少两个杂原子的杂芳族结构部分；
10、- 包含至少两个、优选至少三个稠合芳族环的芳基基团；和
11、- 包含至少两个、优选至少三个稠合芳族环的杂芳基基团。
12、包含至少两个杂原子的杂芳族结构部分可以独立地选自二嗪、三嗪、喹唑啉、喹喔啉、苯并喹唑啉、苯并喹喔啉、氮杂咔唑、氮杂二苯并呋喃、氮杂二苯并噻吩、萘啶、苯并咪唑、苯并𫫇唑、苯并噻唑、咪唑并吡啶和咪唑并嘧啶。
13、包含至少两个稠合芳族环的芳基基团可以独立地选自蒽、菲和芘。
14、包含至少两个稠合芳族环的杂芳基基团可以独立地选自氮杂蒽、氮杂菲、二氮杂蒽、二氮杂菲、苯并吖啶和二苯并吖啶。
15、r1和r2可以选择相同。
16、第一有机化合物可以由下式(2)表示：
17、 (2)
18、其中
19、r1和r2独立地选自h和ch3；
20、a为电荷传输结构部分；并且
21、l为直接键或间隔基。
22、l可以选自芳亚基和杂芳亚基。
23、l可以选自苯亚基和1,1'-联苯-二基。
24、半导体材料还可以包含n型电子掺杂剂。
25、该目的还通过一种用于制备根据本专利技术的半导体材料的层的方法来实现，所述方法包括将第一有机化合物沉积在固体载体上的步骤。
26、该目的还通过一种有机半导体器件来实现，所述有机半导体器件包括至少一个包含根据本专利技术的半导体材料的层。
27、包含半导体材料的层可以是电子传输层、电子注入层或电子产生层。
28、有机半导体器件可以是有机二极管、有机晶体管、有机太阳能电池或有机发光二极管。
29、所述目的还通过一种化合物来实现，所述化合物包含：
30、- 至少一个包含至少一个芳族环的电荷传输结构部分，其中所述电荷传输结构部分独立地选自：
31、- 包含至少两个杂原子的杂芳族部分；
32、- 包含至少三个稠合芳族环的芳基基团；和
33、- 包含至少三个稠合芳族环的杂芳基基团；
34、和
35、- 至少一个由下式(1)表示的基团：
36、(1a)
37、其中
38、- 波浪线“”表示由式(1)表示的基团与第一有机化合物的剩余结构键合的位置；并且
39、- 且r1和r2独立地选自h和ch3。
40、所述目的还通过一种化合物来实现，所述化合物包含：
41、- 至少一个包含至少一个芳族环的电荷传输结构部分，其中所述电荷传输结构部分独立地选自：
42、- 包含至少两个杂原子的杂芳族部分；
43、- 包含至少两个稠合芳族环的芳基基团；和
44、- 包含至少两个稠合芳族环的杂芳基基团；
45、和
46、- 至少一个由下式(1)表示的基团：
47、(1b)
48、其中
49、- 波浪线“”表示由式(i)表示的基团与第一有机化合物的剩余结构键合的位置；
50、- r1和r2独立地选自h和ch3，并且
51、- r1和r2中的至少一者为ch3。
52、令人惊奇的是，发现根据本专利技术的半导体材料和根据本专利技术的化合物以及根据本专利技术的有机半导体器件解决了本专利技术的根本问题，使得器件在各个方面均优于现有技术已知的有机电致发光器件，特别是在效率、工作电压和/或寿命方面优于现有技术已知的有机电致发光器件。此外，我们发现，根据本专利技术的化合物表现出特别好的加工性能，特别是在真空热蒸发(vte)制造过程中良好的热稳定性和令人惊讶的低蒸发温度。
53、半导体材料
54、根据一个方面，本专利技术涉及一种包含第一有机化合物的半导体材料。所述第一有机化合物包含：(1.) 至少一个包含至少一个芳族环的电荷传输结构部分；和(2.) 至少一个由下式(1)表示的基团：
55、(1)
56、其中，波浪线“”表示由式(1)表示的基团与第一有机化合物的剩余结构键合的位置；并且r1和r2各自独立地选自h和ch3。
57、电荷传输结构部分可以是包含具有合适能级的分子前线轨道的结构部分，尤其用于将电荷从包含第一有机化合物的层转移到相邻层。
58、例如，第一有机化合物可以是在有机半导体器件的层中的基质化合物。在这种情况下，如果前线轨道能级与相邻层(以与包含第一有机化合物的层接触的方式布置)中的基质化合物的前线轨本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体材料，所述半导体材料包含第一有机化合物，其中所述第一有机化合物包含：
2.根据权利要求1所述的半导体材料，其中所述电荷传输结构部分独立地选自：
3.根据权利要求1或2所述的半导体材料，其中所述包含至少两个杂原子的芳族杂环部分独立地选自二嗪、三嗪、喹唑啉、喹喔啉、苯并喹唑啉、苯并喹喔啉、氮杂咔唑、氮杂二苯并呋喃、氮杂二苯并噻吩、萘啶、苯并咪唑、苯并𫫇唑、苯并噻唑、咪唑并吡啶和咪唑并嘧啶。
4.根据权利要求2或3所述的半导体材料，其中所述包含至少两个稠合芳族环的芳基基团独立地选自蒽、菲和芘。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的半导体材料，其中所述包含至少两个稠合芳族环的杂芳基基团独立地选自氮杂蒽、氮杂菲、二氮杂蒽、二氮杂菲、苯并吖啶和二苯并吖啶。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体材料，其中R1和R2选择相同。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体材料，其中所述第一有机化合物由下式(2)表示：
8.根据权利要求7所述的半导体材料，其中L选自芳亚基和杂芳亚基。
<...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体材料，所述半导体材料包含第一有机化合物，其中所述第一有机化合物包含：
2.根据权利要求1所述的半导体材料，其中所述电荷传输结构部分独立地选自：
3.根据权利要求1或2所述的半导体材料，其中所述包含至少两个杂原子的芳族杂环部分独立地选自二嗪、三嗪、喹唑啉、喹喔啉、苯并喹唑啉、苯并喹喔啉、氮杂咔唑、氮杂二苯并呋喃、氮杂二苯并噻吩、萘啶、苯并咪唑、苯并𫫇唑、苯并噻唑、咪唑并吡啶和咪唑并嘧啶。
4.根据权利要求2或3所述的半导体材料，其中所述包含至少两个稠合芳族环的芳基基团独立地选自蒽、菲和芘。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的半导体材料，其中所述包含至少两个稠合芳族环的杂芳基基团独立地选自氮杂蒽、氮杂菲、二氮杂蒽、二氮杂菲、苯并吖啶和二苯并吖啶。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体材料，其中r1和r2选择相同。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体材料，其中所述第一有机化合物由下式(2)表示：...
【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·斯坦内特，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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