【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体芯片及其形成方法。
技术介绍
1、在芯片制造过程中，在晶圆完成正面工艺后，需要在晶圆正面贴附正面保护膜，以避免在晶圆背面减薄时对晶圆正面造成划伤。接着，对晶圆的背面进行减薄处理，将所述晶圆的厚度减薄至预设厚度。之后，去除晶圆正面的所述正面保护膜，并对晶圆的背面进行化学腐蚀处理，以去除背面因研磨产生的粗糙纹路，从而有效的减小晶圆背面的接触电阻。然后，在晶圆的背面形成背面金属层。根据芯片的用途不同在晶圆背面形成的所述背面金属层的厚度也有所不同。在形成背面金属层之后，需要对晶圆进行切割，以形成单颗独立的半导体芯片，以便于后续对芯片进行封装等处理。但是，当所述背面金属层的厚度较厚时，在采用刀片切割晶圆后，会在形成的单颗芯片的边缘产生缺角或者隐裂等问题，影响半导体芯片的质量，从而降低了半导体生产的良率。
2、因此，如何避免切割后形成的半导体芯片的边缘出现缺角或者隐裂等问题，改善半导体芯片的质量，从而提高半导体生产的良率，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体芯片及其形成方法，用于避免切割后形成的半导体芯片的边缘出现缺角或者隐裂等问题，改善半导体芯片的质量，从而提高半导体生产的良率。
2、根据一些实施例，本专利技术提供了一种半导体芯片的形成方法，包括如下步骤：
3、提供一晶圆，所述晶圆包括沿第一方向相对分布的正面和背面，于所述晶圆的所述背面形成背面金属层，所述晶圆的所述正面具有间隔排
4、采用切割刀沿所述切割道切割所述晶圆，形成延伸至所述晶圆内部的第一切割槽；
5、采用激光沿所述第一切割槽切割所述背面金属层，形成与所述第一切割槽连通且沿所述第一方向贯穿所述背面金属层的第二切割槽，所述第一切割槽和所述第二切割槽将所述晶圆分隔为多个衬底并将所述背面金属层分隔为多个背面导电层，以形成包括所述衬底、位于所述衬底上方的所述正面器件结构以及位于所述衬底下方的所述背面导电层的半导体芯片。
6、在一些实施例中，于所述晶圆的所述背面形成背面金属层的具体步骤包括：
7、采用物理气相沉积工艺沉积金属钛、金属铝、金属镍和金属银中的任一种或者两种以上的组合至所述晶圆的所述背面，形成所述背面金属层。
8、在一些实施例中，所述背面金属层沿所述第一方向的厚度大于或者等于8μm。
9、在一些实施例中，采用切割刀沿所述切割道切割所述晶圆之前，还包括如下步骤：
10、形成覆盖所述背面金属层背离所述晶圆的表面的保护膜。
11、在一些实施例中，所述第一切割槽的宽度大于或者等于15μm。
12、在一些实施例中，采用切割刀沿所述切割道切割所述晶圆，形成延伸至所述晶圆内部的第一切割槽的具体步骤包括：
13、采用切割刀沿所述切割道切割所述晶圆，形成延伸至所述晶圆内部的第一切割槽，且所述第一切割槽的底部剩余的所述晶圆沿所述第一方向的厚度大于或者等于3μm；和/或
14、采用切割刀沿所述切割道切割所述晶圆，形成沿所述第一方向贯穿所述晶圆且暴露所述背面金属层的表面的第一切割槽。
15、在一些实施例中，采用激光沿所述第一切割槽切割所述背面金属层，形成与所述第一切割槽连通且沿所述第一方向贯穿所述背面金属层的第二切割槽的具体步骤包括：
16、采用激光沿所述第一切割槽切割所述背面金属层，形成宽度小于所述第一切割槽的所述第二切割槽。
17、在一些实施例中，采用激光沿所述第一切割槽切割所述背面金属层的具体步骤包括：
18、采用斑束宽度为3μm～7μm的激光沿所述第一切割槽切割所述背面金属层。
19、根据另一些实施例，本专利技术还提供了一种半导体芯片，采用如上所述的半导体芯片的形成方法形成；所述半导体芯片包括：
20、衬底，所述衬底包括沿第一方向相对分布的第一主面和第二主面；
21、正面器件结构，沿所述第一方向位于所述衬底的所述第一主面上；
22、背面导电层，沿所述第一方向位于所述衬底的所述第二主面上。
23、在一些实施例中，所述背面导电层沿所述第一方向的厚度大于或者等于8μm。
24、本专利技术提供的半导体芯片及其形成方法，在切割晶圆形成半导体芯片的过程中，先采用切割刀沿切割道切割至少部分的晶圆，再采用激光切割所述晶圆背面的背面金属层，不仅避免了切割刀切割所述背面金属层的过程中易被金属材料包裹而导致的刀片钝化的问题，提高了切割质量，避免了切割后形成的半导体芯片的边缘产生崩边、隐裂等问题，而且避免了单独采用激光切割导致的半导体芯片侧面发黑和热效应等问题，改善了半导体芯片的外观及半导体芯片的性能，提高了半导体生产的良率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体芯片的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，于所述晶圆的所述背面形成背面金属层的具体步骤包括：
3.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，所述背面金属层沿所述第一方向的厚度大于或者等于8μm。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，采用切割刀沿所述切割道切割所述晶圆之前，还包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，所述第一切割槽的宽度大于或者等于15μm。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，采用切割刀沿所述切割道切割所述晶圆，形成延伸至所述晶圆内部的第一切割槽的具体步骤包括：
7.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，采用激光沿所述第一切割槽切割所述背面金属层，形成与所述第一切割槽连通且沿所述第一方向贯穿所述背面金属层的第二切割槽的具体步骤包括：
8.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，采用激光沿所述第
9.一种半导体芯片，其特征在于，采用如权利要求1所述的半导体芯片的形成方法形成；所述半导体芯片包括：
10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于，所述背面导电层沿所述第一方向的厚度大于或者等于8μm。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，于所述晶圆的所述背面形成背面金属层的具体步骤包括：
3.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，所述背面金属层沿所述第一方向的厚度大于或者等于8μm。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，采用切割刀沿所述切割道切割所述晶圆之前，还包括如下步骤：
5.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，所述第一切割槽的宽度大于或者等于15μm。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片的形成方法，其特征在于，采用切割刀沿所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：何勇，刘贵明，解海江，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。