System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 芯片封装结构及其形成方法技术_技高网

芯片封装结构及其形成方法技术

技术编号:44981013 阅读:1 留言:0更新日期:2025-04-15 17:00
提供了芯片封装结构。芯片封装结构包括布线衬底。芯片封装结构包括位于布线衬底上方的芯片结构。芯片封装结构包括位于布线衬底上方并且围绕芯片结构的第一环结构,其中,第一环结构的第一热膨胀系数小于布线衬底的第二热膨胀系数。芯片封装结构包括位于第一环结构上方的防翘曲结构。防翘曲结构的第三热膨胀系数大于第一环结构的第一热膨胀系数。本公开的实施例还提供了形成芯片封装结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及芯片封装结构及其形成方法


技术介绍

1、半导体器件用于各种电子应用中,诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或者介电层、导电层、和半导体材料层,并且使用光刻工艺和蚀刻工艺对各个材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件,来制造半导体器件。

2、通常在半导体晶圆上制造许多集成电路。晶圆的管芯可以经过加工和封装。由于芯片封装结构可能需要包括具有不同热膨胀系数(cte)的芯片和布线衬底,因此形成可靠的芯片封装结构是个挑战。


技术实现思路

1、本公开的一些实施例提供了一种芯片封装结构,该芯片封装结构包括:布线衬底;芯片结构,位于布线衬底上方;第一环结构,位于布线衬底上方并且围绕芯片结构,其中,第一环结构的第一热膨胀系数小于布线衬底的第二热膨胀系数;以及防翘曲结构,位于第一环结构上方,其中,防翘曲结构的第三热膨胀系数大于第一环结构的第一热膨胀系数。

2、本公开的另一些实施例提供了一种芯片封装结构,该芯片封装结构包括:布线衬底;芯片结构,位于布线衬底上方;环结构,位于布线衬底上方并且围绕芯片结构,其中,环结构的第一热膨胀系数小于布线衬底的第二热膨胀系数;以及防翘曲结构,位于环结构上方,其中,防翘曲结构的第三热膨胀系数大于布线衬底的第二热膨胀系数。

3、本公开的又一实施例提供了一种形成芯片封装结构的方法,该方法包括:将芯片结构接合到布线衬底;将环结构接合到布线衬底,其中,环结构围绕芯片结构,并且环结构的第一热膨胀系数小于布线衬底的第二热膨胀系数;以及将防翘曲结构接合到环结构,其中,防翘曲结构的第三热膨胀系数大于环结构的第一热膨胀系数。

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【技术保护点】

1.一种芯片封装结构,包括:

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其中,所述防翘曲结构包括围绕所述芯片结构的环结构。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,还包括:

4.根据权利要求3所述的芯片封装结构,还包括:

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其中,所述第一环结构的第一刚性大于所述布线衬底的第二刚性。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其中,所述防翘曲结构包括覆盖所述芯片结构和所述第一环结构的盖结构。

7.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其中,所述防翘曲结构暴露了所述第一环结构的顶表面的部分。

8.根据权利要求1所述的芯片封装结构,还包括:

9.一种芯片封装结构,包括:

10.一种形成芯片封装结构的方法,包括:

【技术特征摘要】

1.一种芯片封装结构,包括:

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其中,所述防翘曲结构包括围绕所述芯片结构的环结构。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,还包括:

4.根据权利要求3所述的芯片封装结构,还包括:

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其中,所述第一环结构的第一刚性大于所述布线衬底的第二刚性。

【专利技术属性】
技术研发人员:蓝竣彦王裕勋王卜郑礼辉施应庆
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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