一种发光器件的制备方法及发光器件技术

技术编号：44974999 阅读：4 留言：0更新日期：2025-04-15 16:57

本发明专利技术公开了一种发光器件的制备方法及发光器件，发光器件的制备方法包括：提供衬底；于衬底的正面形成第一掩膜层，并图形化处理第一掩膜层，以在第一掩膜层中形成多个正面掩膜开口；基于图形化处理后的第一掩膜层，在衬底的正面生长半导体外延层，并在生长半导体外延层过程中掺杂第一元素，以形成多个第一发光单元和多个第二发光单元；其中，第一发光单元的第一元素的组分占比不同于第二发光单元的第一元素的组分占比；将衬底倒置在转置基板上，暴露出衬底的背面；在衬底的背面形成多个第三发光单元。提高了发光器件的生产良率，以及器件中发光单元的寿命和可靠性。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种发光器件的制备方法及发光器件。

技术介绍

1、micro-led采用蓝光发光结构激发红色和绿色量子点实现全彩显示。相较于传统led显示具有更高的画面亮度、更高的画面对比度、更丰富的暗场细节、更精准的色彩还原等特点。

2、在相关技术中，led中的发光层利用荧光粉或量子点做波长转换实现。这种方法的劣势是荧光粉或量子点寿命短和光转换效率存在问题，且单色led分别制作再转移至驱动基板上，工艺繁琐，致使得到的产品良率较低。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供了一种发光器件的制备方法及发光器件，以提高发光器件的生产良率，以及器件中发光单元的寿命和可靠性。

2、根据本专利技术的一方面，提供了一种发光器件的制备方法，包括：

3、提供衬底；所述衬底包括相对的正面和背面；

4、于所述衬底的正面形成第一掩膜层，并图形化处理所述第一掩膜层以在所述第一掩膜层中形成多个正面掩膜开口；

5、基于图形化处理后的第一掩膜层，在所述衬底的正面生长半导体外延层，并在生长所述半导体外延层过程中掺杂第一元素，以形成多个第一发光单元和多个第二发光单元；其中，所述第一发光单元的第一元素的组分占比不同于所述第二发光单元的第一元素的组分占比；

6、将所述衬底倒置在转置基板上，暴露出所述衬底的背面；

7、在所述衬底的背面形成多个第三发光单元。

8、根据本专利技术的另一方面，提供了一种发光器件，包括：

9、衬底；所述衬底包括相对的正面和背面；

10、第一掩膜层，所述第一掩膜层中包括多个正面掩膜开口；

11、多个第一发光单元和多个第二发光单元，位于所述衬底的正面；其中，所述第一发光单元的第一元素的组分占比不同于所述第二发光单元的第一元素的组分占比；

12、第三发光单元，位于所述衬底的背面。

13、本专利技术实施例提供的技术方案，通过在衬底的正面形成第一掩膜层，并图形化处理第一掩膜层以在第一掩膜层中形成多个正面掩膜开口；基于图形化处理后的第一掩膜层，将第一发光单元和多个第二发光单元同时制备在衬底的正面，提高了发光器件生产效率的同时，无需刻蚀衬底，防止损坏衬底的概率，从而提高了器件生产的良率；而且，将第三发光单元制备在衬底的背面，使得不同颜色的发光单元可以通过转置基板同步转移至驱动基板上，可以进一步的提高发光器件的生产良率；另外，在生长半导体外延层过程中掺杂第一元素，以形成多个第一发光单元和多个第二发光单元，通过控制正面不同位置对应的发光层组分不同来实现第一发光单元和第二发光单元的发光波长不同，不需要利用荧光粉或量子点做波长转换，延长了发光器件的寿命、提高了发光器件的可靠性。

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【技术保护点】

1.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层(20)的材料包括氧化硅和/或氮化硅；形成多个正面掩膜开口，包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层(20)的材料包括氮化铝；

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，形成多个第一发光单元(110)和多个第二发光单元(120)之前，还包括：

5.根据权利要求2～4任一所述的制备方法，其特征在于，将所述衬底(10)倒置在转置基板(100)上之前，还包括：

6.根据权利要求2～4任一所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底(10)的背面形成多个第三发光单元(130)，包括：

7.根据权利要求2～4任一所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底(10)的背面形成多个第三发光单元(130)，包括：

8.根据权利要求2～4任一所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底(10)的背面形成多个第三发光单元(130)，包括：

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底(10)的背面形成多个第三发光单元(130)之后，还包括：

11.一种发光器件，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的发光器件，其特征在于，

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【技术特征摘要】