【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体发光，具体涉及一种微型发光二极管芯片及制作方法、及微型发光二极管器件。
技术介绍
1、micro-led(micro-light emitting diode，微型发光二极管)显示技术是将传统的led(light emitting diode，发光二极管)结构进行微缩化和阵列化，并采用cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)或tft(thin filmtransistor，薄膜晶体管)制作驱动电路，来实现对每一个像素点的定址控制和单独驱动的显示技术。
2、其中，micro-led芯片中相邻像素点之间的间距较小，像素点之间存在严重的光串扰问题。因此，亟需提供一种光串扰较小的micro-led芯片。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种微型发光二极管芯片及制作方法、及微型发光二极管器件。
2、为了解决上述问题，第一方面，本申请提供了一种微型发光二极管芯片的制作方法，包括：
3、提供包括多个台面结构的初始发光架构，每一所述台面结构包括第一半导体层；
4、在所述初始发光架构的外表面形成第一钝化层，并在所述第一钝化层上形成多个沿厚度方向贯穿所述第一钝化层的第一通孔结构；
5、在所述第一钝化层的外表面形成金属层，并使所述金属层的一部分设置于每一所述第一通孔结构内、并与所述第一半导体层连接并实现电连接；
6、暴露出每一所述台面结构的
7、可选的，所述在所述第一钝化层上形成多个沿厚度方向贯穿所述第一钝化层的第一通孔结构的步骤包括：
8、在所述第一钝化层上形成多个沿厚度方向贯穿所述第一钝化层的第一通孔结构，并使每一所述台面结构的周围均匀分布有四个所述第一通孔结构且至少一个所述第一通孔结构位于四个所述台面结构覆盖区域的中心；和/或，
9、在所述第一钝化层上形成多个沿厚度方向贯穿所述第一钝化层的第一通孔结构，并使相邻两个所述台面结构之间设置有至少一个所述第一通孔结构。
10、可选的，所述提供包括多个台面结构的初始发光架构，包括：
11、提供包括多个台面结构的初始发光架构，每一所述台面结构包括侧壁和顶面，所述侧壁的至少两个区域与平行于所述顶面的平面形成不同的倾斜夹角。
12、可选的，所述在所述第一钝化层的外表面形成金属层，并使所述金属层的一部分设置于每一所述第一通孔结构内、并与所述第一半导体层连接并实现电连接的步骤之后，还包括：
13、在所述金属层的外表面形成第二钝化层。
14、可选的，在所述金属层的外表面形成第二钝化层的步骤之前，所述暴露出每一所述台面结构的电极区域，包括：
15、去除与每一所述台面结构的电极区域对应的金属层，并使得所述金属层形成第二通孔结构；
16、所述在所述金属层的外表面形成第二钝化层的步骤包括：
17、在所述金属层的外表面形成第二钝化层，并使部分所述第二钝化层设置于所述第二通孔结构内并与所述第一钝化层连接；
18、所述暴露出每一所述台面结构的电极区域的步骤，还包括：
19、去除与每一所述台面结构的电极区域对应的所述第一钝化层和所述第二钝化层，并暴露出每一所述台面结构的电极区域。
20、第二方面，本申请还提供一种微型发光二极管芯片，包括：
21、初始发光架构，包括多个台面结构，每一所述台面结构包括第一半导体层；
22、第一钝化层，设置于所述初始发光架构的外表面，所述第一钝化层上设有多个沿厚度方向贯穿所述第一钝化层的第一通孔结构；及
23、金属层，设置于所述第一钝化层的外表面，所述金属层的一部分设置于每一所述第一通孔结构内、并与所述第一半导体层连接并实现电连接；其中，所述金属层及所述第一钝化层暴露出每一所述台面结构的电极区域。
24、可选的，每一所述台面结构的周围均匀分布有四个所述第一通孔结构且至少一个所述第一通孔结构位于四个所述台面结构覆盖区域的中心；和/或，
25、相邻两个所述台面结构之间设置有至少一个所述第一通孔结构。
26、可选的，每一所述台面结构的侧壁相对其顶面倾斜。
27、可选的，每一所述台面结构的侧壁的至少两个区域与平行于所述顶面的平面形成不同的倾斜夹角。
28、可选的，所述微型发光二极管芯片还包括：
29、第二钝化层，设置于所述金属层的外表面，所述金属层、所述第一钝化层和所述第二钝化层暴露出每一所述台面结构的电极区域。
30、可选的，所述金属层开设贯穿其厚度方向的第二通孔结构，所述第二钝化层的一部分设置于所述第二通孔结构内并覆盖所述金属层的侧壁。
31、第三方面，本申请还提供一种微型发光二极管器件，包括：
32、如上所述的微型发光二极管芯片的制作方法制备的微型发光二极管芯片；或者，如上所述的微型发光二极管芯片；及
33、驱动芯片，与所述微型发光二极管芯片键合连接。
34、基于上述技术方案，本申请提供的微型发光二极管芯片及制作方法、及微型发光二极管器件，在初始发光架构的外表面形成第一钝化层，在第一钝化层的外表面形成金属层，一方面，第一钝化层将金属层和台面结构间隔开，能避免金属层对台面结构产生不利影响；另一方面，金属层能遮挡台面结构形成的像素点发出的光线，金属层能避免多个像素点之间的光线串扰；又一方面，部分金属层填充在第一钝化层的多个第一通孔结构内并与台面结构的第一半导体层电连接，金属层能作为导线网络扩展电流并能减少微型发光二极管芯片不同像素之间的电压降，使得微型发光二极管芯片获得均匀的亮度，微型发光二极管芯片具有更优的光学性能。
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1.一种微型发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层上形成多个沿厚度方向贯穿所述第一钝化层的第一通孔结构的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述提供包括多个台面结构的初始发光架构，包括：
4.根据权利要求1至3任一项所述的微型发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层的外表面形成金属层，并使所述金属层的一部分设置于每一所述第一通孔结构内、并与所述第一半导体层连接并实现电连接的步骤之后，还包括：
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，在所述金属层的外表面形成第二钝化层的步骤之前，所述暴露出每一所述台面结构的电极区域，包括：
6.一种微型发光二极管芯片，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，每一所述台面结构的周围均匀分布有四个所述第一通孔结构且至少一个所述第一通孔结构位于四个所述台面结构覆盖区域的中
8.根据权利要求6所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，每一所述台面结构的侧壁相对其顶面倾斜。
9.根据权利要求8所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，每一所述台面结构的侧壁的至少两个区域与平行于所述顶面的平面形成不同的倾斜夹角。
10.根据权利要求6至8任一项所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述微型发光二极管芯片还包括：
11.根据权利要求10所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述金属层开设贯穿其厚度方向的第二通孔结构，所述第二钝化层的一部分设置于所述第二通孔结构内并覆盖所述金属层的侧壁。
12.一种微型发光二极管器件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层上形成多个沿厚度方向贯穿所述第一钝化层的第一通孔结构的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述提供包括多个台面结构的初始发光架构，包括：
4.根据权利要求1至3任一项所述的微型发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层的外表面形成金属层，并使所述金属层的一部分设置于每一所述第一通孔结构内、并与所述第一半导体层连接并实现电连接的步骤之后，还包括：
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，在所述金属层的外表面形成第二钝化层的步骤之前，所述暴露出每一所述台面结构的电极区域，包括：
6.一种微型发光二极管芯片，其特征在于，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈万，李健华，陈臻，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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