【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，特别是涉及一种图像传感器的制备方法、图像传感器。
技术介绍
1、暗电流作为图像传感器重要电性参数之一，直接影响图像传感器产品的光学性能，暗电流的产生会使得像素区的局部区域产生白像素，从而影响图像显示。
2、暗电流的形成除了金属离子污染使得原本禁带中出现中间能级，使得在没有光照的条件下电子也能发生跃迁外，浅隔离沟槽的界面处的缺陷也是产生暗电流的一个重要因素。在前照式图像传感器中，像素区之间的浅隔离沟槽隔离的填充常会用到刻蚀步骤，但是在刻蚀时，浅隔离沟槽隔离的界面处会有部分外部离子钻入像素区，从而造成界面处的缺陷，导致暗电流的产生，进一步使得像素区的局部区域产生白像素。
3、基于此，亟需一种可以减小界面处缺陷，从而改善像素区产生白像素的图像传感器。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对以上问题提供一种减小界面处缺陷，从而改善像素区产生白像素的图像传感器的制备方法、图像传感器。
2、为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种图像传感器的制备方法，所述制备方法包括：
3、提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的掩膜层，所述基底具有至少两个像素区，以及位于相邻两个所述像素区之间的隔离沟槽，所述隔离沟槽贯穿所述掩膜层，并延伸至部分所述衬底内；
4、在所述隔离沟槽的侧壁以及底部的所述衬底的表面形成第一介质层；
5、在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面，形成具有第一掺杂离子的阻
6、在所述阻隔层的表面形成填充所述隔离沟槽的第一隔离材料层；
7、刻蚀去除所述隔离沟槽内的部分所述第一隔离材料层，以形成开口区；
8、在形成所述开口区后的所述隔离沟槽内形成第一隔离层以及第二隔离层。
9、在其中一个实施例中，所述在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面，形成具有第一掺杂离子的阻隔层的步骤，包括：
10、在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面形成第一阻隔材料层；
11、采用离子注入的方法在所述第一阻隔材料层中注入所述第一掺杂离子，以形成具有所述第一掺杂离子的所述阻隔层。
12、在其中一个实施例中，所述在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面，形成具有第一掺杂离子的阻隔层的步骤之前，包括：
13、在所述掩膜层的上表面形成注入阻挡层；
14、所述形成具有第一掺杂离子的所述阻隔层之后，包括：
15、去除所述注入阻挡层。
16、在其中一个实施例中，所述在形成所述开口区后的所述隔离沟槽内形成第一隔离层以及第二隔离层的步骤，包括：
17、在形成所述开口区后的所述隔离沟槽内形成第二隔离材料层；
18、采用研磨工艺对所述掩膜层上表面的所述第二隔离材料层以及所述第一隔离材料层进行研磨，以形成所述第一隔离层以及所述第二隔离层。
19、在其中一个实施例中，所述在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面，形成具有第一掺杂离子的阻隔层的步骤，还包括：
20、在所述掩膜层上表面、所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面以及所述隔离沟槽中的所述第一介质层的表面沉积具有所述第一掺杂离子的第二阻隔材料层。
21、在其中一个实施例中，所述在形成所述开口区后的所述隔离沟槽内形成第一隔离层以及第二隔离层的步骤，还包括：
22、在所述第一隔离材料层的表面以及形成所述开口区后的所述隔离沟槽内形成第二隔离材料层；
23、采用研磨工艺对所述掩膜层上表面的所述第一隔离材料层、所述第二隔离材料层以及所述第二阻隔材料层进行研磨，以形成所述第一隔离层、所述第二隔离层以及所述阻隔层。
24、在其中一个实施例中，所述阻隔层为氮化硅阻隔层，所述第一掺杂离子为c离子；所述刻蚀去除所述隔离沟槽内的部分所述第一隔离材料层，以形成开口区的步骤，包括：
25、采用第一刻蚀气体刻蚀去除所述隔离沟槽内的部分所述第一隔离材料层，以形成所述开口区；
26、所述第一刻蚀气体包括含氟离子的刻蚀气体。
27、另一方面，本专利技术还提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：
28、基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的掩膜层，所述基底具有至少两个像素区，以及位于相邻两个所述像素区之间的隔离沟槽，所述隔离沟槽贯穿所述掩膜层，并延伸至部分所述衬底内；
29、第一介质层，所述第一介质层覆盖所述隔离沟槽的侧壁和底部的所述衬底的表面；
30、阻隔层，所述阻隔层覆盖所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面，所述阻隔层具有第一掺杂离子；
31、第一隔离层，所述第一隔离层位于所述隔离沟槽中所述阻隔层的一侧，所述第一隔离层覆盖所述阻隔层，并填充部分所述隔离沟槽；
32、第二隔离层，所述第二隔离层填充剩余所述隔离沟槽。
33、在其中一个实施例中，所述阻隔层包括n层子阻隔层，n≥2，且n为正整数；
34、每层所述子阻隔层中所述第一掺杂离子的占比相同。
35、在其中一个实施例中，所述阻隔层包括n层子阻隔层，n≥2，且n为正整数；
36、在所述阻隔层远离所述第一介质层的方向上，第1层至第n层所述子阻隔层中所述第一掺杂离子的占比逐渐增大。
37、与现有技术相比，上述技术方案具有以下意想不到的技术效果：
38、该基底包括衬底和位于衬底一侧的掩膜层，该基底包括至少两个像素区以及位于像素区之间的隔离沟槽，该隔离沟槽贯穿掩膜层，并延伸至部分衬底内，在隔离沟槽的侧壁和底部的衬底的表面设置第一介质层，然后在第一介质层表面和隔离沟槽的掩膜层的侧壁设置有阻隔层，该阻隔层中具有第一掺杂离子，再在阻隔层表面形成填充隔离沟槽的第一隔离材料层，刻蚀去除隔离沟槽内的部分第一隔离材料层，从而形成开口区，再在形成开口区后的隔离沟槽内形成第一隔离层和第二隔离层，就完成了隔离沟槽的填充。
39、该图像传感器设置了具有第一掺杂离子的阻隔层，由于该阻隔层的致密性较高，可以阻隔刻蚀时外部离子从隔离沟槽的界面处钻入像素区，所以避免了由于界面处缺陷造成的暗电流的产生，进一步避免了像素区的局部区域产生白像素的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面，形成具有第一掺杂离子的阻隔层的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面，形成具有第一掺杂离子的阻隔层的步骤之前，包括：
4.根据权利要求2所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述在形成所述开口区后的所述隔离沟槽内形成第一隔离层以及第二隔离层的步骤，包括：
5.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面，形成具有第一掺杂离子的阻隔层的步骤，还包括：
6.根据权利要求5所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述在形成所述开口区后的所述隔离沟槽内形成第一隔离层以及第二隔离层的步骤，还包括：
7.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述阻隔层
8.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述阻隔层包括N层子阻隔层，N≥2，且N为正整数；
10.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述阻隔层包括N层子阻隔层，N≥2，且N为正整数；
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面，形成具有第一掺杂离子的阻隔层的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜层的表面，形成具有第一掺杂离子的阻隔层的步骤之前，包括：
4.根据权利要求2所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述在形成所述开口区后的所述隔离沟槽内形成第一隔离层以及第二隔离层的步骤，包括：
5.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述第一介质层的表面以及所述隔离沟槽侧壁的所述掩膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱瑶，杨军，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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