System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法技术_技高网

一种原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法技术

技术编号:44969885 阅读:3 留言:0更新日期:2025-04-12 01:43
本发明专利技术公开了一种原位构筑水相Ag‑In‑Ga‑S量子点背光膜的方法,利用一步法将量子点前驱体溶液和两种配体与聚合物基质混合,在反应釜内高温高压环境下,水相量子点在聚合物基质中原位生长,并进一步将量子点与聚合物混合胶体固化为背光膜。采用原位构筑方法,避免了传统两步法单纯机械搅拌混合产生大量气泡的问题,薄膜均一性更好,量子点在聚合物基质中分散性好,与聚合物结合度更高,聚合物也进一步填补了表面缺陷,提高了量子点薄膜荧光强度与荧光量子效率,且量子点结晶性好,量子点粒径均一,量子点受聚合物保护效果更好,稳定性较高,操作方法简单,重复性高,可实现大面积构筑。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光学工程领域,具体涉及一种原位构筑水相ag-in-ga-s量子点背光膜的方法。


技术介绍

1、量子点显示技术在色域覆盖率、色彩控制精确性、红绿蓝色彩纯净度等各个维度已全面升级,被视为全球显示技术的制高点,也被为影响全球的显示技术革命。量子点膜作为一种具有独特光特性的全新纳米材料,可精确高效地将高能量蓝光转换为红色和绿色光,量子点可以在lcd显示屏的led背光上形成一层薄膜,用蓝色led照射就能发出全光谱的光,通过对背光进行精细调节,可以大幅提升色域表现,让色彩更加鲜明。

2、传统方法制备量子点背光膜通常采用两步法,即先合成量子点,再将其与聚合物混合。这种方法存在量子点分散不均匀、薄膜均一性差等问题。中国专利(cn116891251a)公开一种在背光模组中应用钙钛矿量子点背光膜的方案,将合成好的量子点材料包覆在聚合物中,进行显示应用。然而,随着国际社会对环境保护要求的日益提高,传统二元量子点以及钙钛矿量子点中所含的铅镉元素,其毒性会对环境造成污染,因此在商业应用的发展上受到了限制。发展高效环保无毒的量子点逐渐成为了研究人员的关注焦点。无铅无镉环保型i-iii-vi族量子点兼备环境友好、发射光谱可调、斯托克斯位移大、荧光寿命长、光吸收系数高、生物相容性良好以及制备成本较低等优点。但目前水相ag-in-ga-s(aigs)量子点背光膜的发光显示应用还没有被报道,研究尚处于起步阶段,低荧光量子产率以及宽光谱发射的问题阻碍着水相量子点在发光显示上的应用发展。

3、因此,需要一种原位构筑水相ag-in-ga-s量子点背光膜的方法以解决上述问题。


技术实现思路

1、专利技术目的:针对现有技术所存在的问题,本专利技术提供一种原位构筑水相ag-in-ga-s量子点背光膜的方法。

2、一种原位构筑水相ag-in-ga-s量子点背光膜的方法,包括以下步骤:

3、步骤一、将硝酸银、硝酸铟和硝酸稼依次加入到盛有去离子水的烧杯中,在室温搅拌至完全溶解;

4、步骤二、将短链水溶性有机配体加入至步骤一得到的前驱体溶液中,得到无色透明澄清溶液;

5、步骤三、将氢氧化钠水溶液逐滴滴入至步骤二得到的溶液中,调节溶液ph至合适值,得到阳离子前驱体溶液;

6、步骤四、将聚合物加入至步骤三得到的阳离子前驱体溶液中,得到混合悬浊液,再将混合悬浊液放入超声清洗机超声处理,超声结束后加入硫化钠,得到aigs前驱体-聚合物悬浊液;

7、步骤五、将步骤四得到的aigs前驱体-聚合物悬浊液一起加到聚四氟乙烯反应釜内衬中,装入反应釜拧紧保证气密性,随后放入烘箱或马弗炉中保温,反应结束后待反应釜冷却到室温可以得到水相aigs量子点与聚合物均匀混合胶体;

8、步骤六、将步骤五得到的混合胶体倒入模具中,随后在烘箱中固化去除水分,得到水相ag-in-ga-s量子点背光膜。

9、更进一步的,步骤一中所述的硝酸银、硝酸铟和硝酸稼的摩尔比为1:4:(1-4)。

10、更进一步的,步骤二中所述的短链水溶性有机配体为谷胱甘肽或柠檬酸钠。

11、更进一步的,步骤三中合适的ph值为4-7。

12、更进一步的,步骤四中所述的聚合物为聚乙烯醇。

13、更进一步的,聚乙烯醇的质量分数为8-16%。

14、更进一步的,步骤四中超声清洗时间为5-10min。

15、更进一步的,步骤四中硫化钠与步骤一中三种金属盐的摩尔比为(2-8):1。

16、更进一步的,步骤五中反应时间为7-11h,反应温度为70-120℃。

17、更进一步的,步骤六中所用的模具为石英模具或亚克力模具。

18、更进一步的,步骤六中固化时间为3-8h,固化温度为50-100℃。

19、专利技术原理:本专利技术区别于传统量子点与聚合物单纯机械混合的方法,基于水相量子点生长温度与聚乙烯醇溶解温度相匹配,利用反应釜内高温高压,给予更高的能量,使聚乙烯醇溶解的同时量子点在聚合物基质中原位生长。

20、有益效果:本专利技术的原位构筑水相ag-in-ga-s量子点背光膜的方法操作简单,可大批量构筑,并且聚合物对量子点起到较好的保护作用,背光膜可以保持长时间稳定性。可以使得聚合物溶解更加充分,量子点在聚合物中分散更加均匀,同时避免了气泡、孔洞等缺陷的产生。量子点与聚合物结合度更高,构筑的背光膜荧光强度与荧光发光效率更高。

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【技术保护点】

1.一种原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤一中所述的硝酸银、硝酸铟和硝酸稼的摩尔比为1:4:(1-4)。

3.根据权利要求1所述的原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤二中所述的短链水溶性有机配体为谷胱甘肽或柠檬酸钠。

4.根据权利要求1所述的原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤三中合适的pH值为4-7。

5.根据权利要求1所述的原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤四中所述的聚合物为聚乙烯醇。

6.根据权利要求5所述的原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法,其特征在于,聚乙烯醇的质量分数为8-16%。

7.根据权利要求1所述的原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤四中超声清洗时间为5-10min。

8.根据权利要求1所述的原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤四中硫化钠与步骤一中三种金属盐的摩尔比为(2-8):1。

9.根据权利要求1所述的原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤五中反应时间为7-11h,反应温度为70-120℃。

10.根据权利要求1所述的原位构筑水相Ag-In-Ga-S量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤六中固化时间为3-8h,固化温度为50-100℃。

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【技术特征摘要】

1.一种原位构筑水相ag-in-ga-s量子点背光膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的原位构筑水相ag-in-ga-s量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤一中所述的硝酸银、硝酸铟和硝酸稼的摩尔比为1:4:(1-4)。

3.根据权利要求1所述的原位构筑水相ag-in-ga-s量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤二中所述的短链水溶性有机配体为谷胱甘肽或柠檬酸钠。

4.根据权利要求1所述的原位构筑水相ag-in-ga-s量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤三中合适的ph值为4-7。

5.根据权利要求1所述的原位构筑水相ag-in-ga-s量子点背光膜的方法,其特征在于,步骤四中所述的聚合物为聚乙烯醇。

6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:董宇辉齐为超邹友生罗细瀚侯宇佳
申请(专利权)人:南京理工大学
类型:发明
国别省市:

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