【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置。
技术介绍
1、例如在下述的专利文献1中公开了作为缩小半导体装置的尺寸的方法，通过自对准形成接触孔的技术。
2、专利文献1：日本特开2007-207784号公报
3、随着半导体装置的微细化发展，接触孔的尺寸变小，在接触孔内的接触插塞(以下，简称为“接触部”)有可能形成有空隙。在专利文献1中没有考虑在微细化程度先进的半导体装置形成接触孔，无法充分地抑制在接触部形成有空隙的情况。
技术实现思路
1、本公开是为了解决上述那样的课题所做出的，目的在于提供能够抑制在半导体装置的接触部形成有空隙的技术。
2、本公开的半导体装置具备：半导体基板，其形成有多个沟槽；层间绝缘膜，其形成于所述半导体基板上；接触孔，其形成于所述层间绝缘膜；以及电极，其形成于所述层间绝缘膜上，且通过所述接触孔而与所述半导体基板的所述沟槽间的部分亦即半导体台面部连接，所述接触孔的侧壁是具有至少一阶台阶的阶梯状，所述接触孔的底部位于所述半导体台面部上，所述接触孔的上端部位于所述半导体台面部的外侧的位置。
3、根据本公开，能够抑制在半导体装置的接触部形成空隙。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求1～10中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求1～11中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
15.
16.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
17.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
18.根据权利要求1～17中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
19.根据权利要求1～18中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
20.根据权利要求1～19中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求1～1...
【专利技术属性】
技术研发人员：东哲矢，小西和也，大塚翔瑠，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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