【技术实现步骤摘要】
本申请涉及变换器，尤其涉及一种高阻时间检测电路、负载电流产生电路、芯片及电子设备。
技术介绍
1、在变换器系统中，当负载电流较低时，通常变换器会工作在非连续导通(discontinuous conduction mode，简称dcm)模式下时，以降低系统的功耗，在变换器进入dcm模式后随着负载电流的减小，会降低变换器的开关频率。同时，在变换器工作在dcm模式下时，会存在一定的高阻时间，具体的，当变换器中高侧功率管和低侧功率管同时关断，使得电感电流保持在0a的状态称为高阻状态，而高阻状态持续的时间称为高阻时间，当变换器工作过程中的高阻时间较大时，则相应的变换器的开关频率会减小。因此，为了监测变换器的开关频率，避免其开关频率落在某些敏感频域，通常需要精确的采样变换器工作时的高阻时间，而相关技术中对高阻时间采样的精度较低，无法满足变换器电路的工作需求。
技术实现思路
1、本申请提供一种高阻时间检测电路、负载电流产生电路、芯片及电子设备，其目的在于精确的采样变换器电路工作时的高阻状态持续时间。
2、第一方面，本申请提供一种高阻时间检测电路，用于检测变换器电路工作时的高阻时间，所述高阻时间检测电路包括：电流产生电路、电容充电电路、输出控制电路以及整形电路；
3、所述电流产生电路，用于生成第一电流信号，并将所述第一电流信号输出至所述电容充电电路；
4、所述电容充电电路，用于在所述变换器电路进入高阻状态时接收第一使能信号，根据所述第一使能信号控制所述第一电流信
5、所述输出控制电路，用于在所述变换器电路进入高阻状态时接收第二使能信号，并在所述第二使能信号和所述第一触发信号的触发下输出第一标志信号；
6、所述整形电路，用于对所述第一标志信号进行整形处理，以输出对应的电平触发信号，所述电平触发信号用于表征所述变换器电路的高阻状态持续的第一高阻时间。
7、在一种可能的设计中，所述电流产生电流包括第一晶体管、第二晶体管以及第一电阻；
8、所述第一晶体管的第一极与所述第二晶体管的控制极连接，所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的控制极均用于接收第一偏置电流；所述第一晶体管的控制极与所述第二晶体管的第二极以及所述第一电阻的第一端连接；所述第一晶体管的第二极和所述第一电阻的第二端均接地；所述第二晶体管的第一极与所述电容充电电路连接。
9、在一种可能的设计中，所述电容充电电路包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、储能电容以及与非门；
10、所述第三晶体管的控制极、第三晶体管的第一极以及第四晶体管的控制极均所述第二晶体管的第一极连接，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第二极连接，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管第二极均用于接收电源电压；
11、所述第四晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极连接，所述第五晶体管的第一极与所述储能电容的第一端连接，所述储能电容的第二端接地；所述储能电容的电容值越大对应的第一高阻时间越长；
12、所述与非门的输入端分别用于接收高阻状态检测信号和所述第一使能信号，所述与非门的输出端与所述第五晶体管的控制极连接。
13、在一种可能的设计中，所述输出控制电路包括第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管以及第十晶体管；
14、所述第六晶体管的第二极用于接收第二偏置电流，所述第六晶体管的控制极与所述与非门的输出端连接，所述第六晶体管的第一极与所述第七晶体管的第二极连接；所述第七晶体管的第一极与所述第八晶体管和所述第十晶体管的第一极连接，所述第八晶体管的第二极和所述第十晶体管的第二极均接地；
15、所述第七晶体管的控制极、第八晶体管的控制极以及第九晶体管的第一极均与所述第五晶体管的第一极连接，所述第九晶体管的第二极接地，所述第九晶体管的控制极和所述第十晶体管的控制极，均用于接收所述第二使能信号；
16、所述第一使能信号和所述第二使能信号的逻辑状态相反。
17、在一种可能的设计中，所述整形电路包括第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、施密特反相器以及第一反相器；
18、所述第十一晶体管的第二极用于接收第三偏置电流，所述第十一晶体管的控制极与所述与非门的输出端连接，所述第十一晶体管的第一极分别与所述第十二晶体管的第一极、第十三晶体管的第一极以及所述施密特反相器的输入端连接，所述第十二晶体管的第二极和所述第十三晶体管的第二极均接地；
19、所述第十二晶体管的控制极与所述第八晶体管的第一极连接；所述第十三晶体管的控制极用于接收所述第二使能信号；
20、所述施密特反相器的输出端与所述第一反相器的输入端连接，所述第一反相器的输出端，用于输出所述电平触发信号。
21、第二方面，本申请还提供一种负载电流产生电路，用于变换器电路中，所述负载电流产生电路包括第一高阻时间检测电路、第二高阻时间检测电路、随机码产生电路以及假负载电路；所述第一高阻时间检测电路和第二高阻时间检测电路为上述任一项所述高阻时间检测电路，且所述第二高阻时间检测电路中储能电容的电容值大于所述第一高阻时间检测电路中储能电容的电容值；
22、所述第一高阻时间检测电路，用于在检测到所述变换器电路的高阻时间达到第一高阻时间阈值时，输出第一电平触发信号；所述第二高阻时间检测电路，用于在检测到所述变换器电路的高阻时间达到第二高阻时间阈值时，输出第二电平触发信号；所述第二高阻时间阈值大于所述第一高阻时间阈值；
23、所述随机码产生电路，用于接收时钟信号，根据所述时钟信号随机生成随机码；
24、所述假负载电路，用于在所述第一电平触发信号和/或第二电平触发信号的触发下，根据所述随机码对基准电流进行放大，得到随机负载电流。
25、在一种可能的设计中，所述假负载电路包括基准电流生成电路、第一电流放大电路、第二电流放大电路以及第三电流放大电路；
26、所述基准电流生成电路，用于生成所述基准电流；
27、所述第一电流放大电路，用于根据所述第一电平触发信号和所述随机码对所述基准电流进行放大，输出第一放大电流；
28、所述所述第二电流放大电路，用于根据所述第二电平触发信号和预设放大倍数对所述基准电流进行放大，输出第二放大电流；
29、所述第三电流放大电路，用于对所述第一放大电流和第二放大电流合流之后的电流进行放大，输出所述随机负载电流。
30、在一种可能的设计中，所述基准电流生成电路包括第二十八晶体管，所述第二十八晶体管的第一极和控制极短接，所述第二十八晶体管的第一极和控制极用于接收第四偏置电流，所述第二十八晶体管的第二极用于接收电源电压。
31、在一种可能的设计中，所述第一电流放大电路包括第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高阻时间检测电路，用于检测变换器电路工作时的高阻时间，其特征在于，所述高阻时间检测电路包括：电流产生电路、电容充电电路、输出控制电路以及整形电路；
2.根据权利要求1所述的高阻时间检测电路，其特征在于，所述电流产生电流包括第一晶体管、第二晶体管以及第一电阻；
3.根据权利要求2所述的高阻时间检测电路，其特征在于，所述电容充电电路包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、储能电容以及与非门；
4.根据权利要求3所述的高阻时间检测电路，其特征在于，所述输出控制电路包括第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管以及第十晶体管；
5.根据权利要求4所述的高阻时间检测电路，其特征在于，所述整形电路包括第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、施密特反相器以及第一反相器；
6.一种负载电流产生电路，用于变换器电路中，其特征在于，所述负载电流产生电路包括第一高阻时间检测电路、第二高阻时间检测电路、随机码产生电路以及假负载电路；所述第一高阻时间检测电路和第二高阻时间检测电路为权利要求1-5任一项所述高阻时间检测电路，且所述第二
7.根据权利要求6所述的负载电流产生电路，其特征在于，所述假负载电路包括基准电流生成电路、第一电流放大电路、第二电流放大电路以及第三电流放大电路；
8.根据权利要求7所述的负载电流产生电路，其特征在于，所述基准电流生成电路包括第二十八晶体管，所述第二十八晶体管的第一极和控制极短接，所述第二十八晶体管的第一极和控制极用于接收第四偏置电流，所述第二十八晶体管的第二极用于接收电源电压。
9.根据权利要求8所述的负载电流产生电路，其特征在于，所述第一电流放大电路包括第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管、第二十晶体管、第二十一晶体管、第二十二晶体管以及第二十三晶体管；
10.根据权利要求9所述的负载电流产生电路，其特征在于，所述第十九晶体管、第二十晶体管、第二十一晶体管以及第二十二晶体管的尺寸比例为1：2：4：8。
11.根据权利要求8或9所述的负载电流产生电路，其特征在于，所述第二电流放大电路包括第二十四晶体管和第二十五晶体管；
12.根据权利要求9所述的负载电流产生电路，其特征在于，所述第三电流放大电路包括第二十六晶体管、第二十七晶体管、第二电阻以及第三电阻；
13.一种变换器电路，其特征在于，所述变换器电路包括如权利要求1-5任一项所述高阻时间检测电路；或者所述变换器电路包括如权利要求6-12任一项所述负载电流产生电路。
14.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1-5任一项所述高阻时间检测电路；或者所述芯片包括如权利要求6-12任一项所述负载电流产生电路。
15.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-5任一项所述高阻时间检测电路；或者所述电子设备包括如权利要求6-12任一项所述负载电流产生电路。
...【技术特征摘要】
1.一种高阻时间检测电路，用于检测变换器电路工作时的高阻时间，其特征在于，所述高阻时间检测电路包括：电流产生电路、电容充电电路、输出控制电路以及整形电路；
2.根据权利要求1所述的高阻时间检测电路，其特征在于，所述电流产生电流包括第一晶体管、第二晶体管以及第一电阻；
3.根据权利要求2所述的高阻时间检测电路，其特征在于，所述电容充电电路包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、储能电容以及与非门；
4.根据权利要求3所述的高阻时间检测电路，其特征在于，所述输出控制电路包括第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管以及第十晶体管；
5.根据权利要求4所述的高阻时间检测电路，其特征在于，所述整形电路包括第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、施密特反相器以及第一反相器；
6.一种负载电流产生电路，用于变换器电路中，其特征在于，所述负载电流产生电路包括第一高阻时间检测电路、第二高阻时间检测电路、随机码产生电路以及假负载电路；所述第一高阻时间检测电路和第二高阻时间检测电路为权利要求1-5任一项所述高阻时间检测电路，且所述第二高阻时间检测电路中储能电容的电容值大于所述第一高阻时间检测电路中储能电容的电容值；
7.根据权利要求6所述的负载电流产生电路，其特征在于，所述假负载电路包括基准电流生成电路、第一电流放大电路、第二电流放大电路以及第三电流放大电路；
8.根据权利要求7所述的负载电流产生电路，其特征在于，所述基准电流生成电路包括第二十八晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：伍滔，吴徽，
申请(专利权)人：珠海楠欣半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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