【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及但不限于压接式耐高温二极管的制备，尤指一种压接式耐高温二极管的制备方法和压接式耐高温二极管。
技术介绍
1、目前二极管的封装方式主要采用焊接封装，包括锡焊、点焊、熔焊等，采用焊接技术进行封装的二极管存在以下缺陷：二极管工作时产生大量热，可能会使焊点、焊面受热融化，造成二极管失效；二极管使用过程中冷热交替导致温度循环，对焊接面产生热疲劳效应。
2、目前对二极管的封装方式还包括压接封装，通常采用压针、螺栓固定等压接形式。然而，现有压接形式形成的二极管无法满足高温条件下的使用需求，且芯片容易在机械应力的作用下碎裂，无法满足二极管对机械强度的要求。
3、可见，现有焊接封装和压接封装的二级管均无法满足在较大机械应力的情况下稳定工作，以及适用于高温环境的使用需求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的：为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种压接式耐高温二极管的制备方法和压接式耐高温二极管，以解决现有焊接封装和压接封装的二级管均无法满足在较大机械应力的情况下稳定工作，以及适用于高温环境的使用需求的问题。
2、本专利技术的技术方案：第一方面，本专利技术实施例提供一种压接式耐高温二极管的制备方法，包括：
3、步骤1，制备用于封装二极管芯片6的底座9，所述底座9整体为一端开口的筒状结构，底座9内部底端面沿筒状侧壁一周形成环形凹槽，底端面中心形成半球状凹槽；
4、步骤2，采用焊接形式将芯片6焊接形成在钼片7的上端面上，并依
5、步骤3，将绝缘衬套3套设在压块1、第一银片5、芯片6、钼片7和第二银片8，用于定位形成待压接结构，且绝缘衬套3还用于隔离由第一银片5、芯片6、钼片7和第二银片8形成芯片组件与底座9的侧壁；
6、步骤4，在绝缘衬套3的顶端周圈套设碟形弹簧4，并通过专用压接工装对底座9侧壁的顶部施加压力，使其侧壁顶部向内弯曲并压接在碟形弹簧4周圈边缘；
7、步骤5，在压接后的底座9壳体侧壁与压块1之间的环形凹腔内涂覆硅橡胶，形成硅橡胶涂层2，形成二极管的封装结构。
8、可选地，如上所述的压接式耐高温二极管的制备方法中，
9、所述绝缘衬套3设置为二级台阶式衬套，绝缘衬套3的上部小径衬套部套设在压块1上，位于压块1与碟形弹簧4之间，下部大径衬套部套设在第一银片5、芯片6、钼片7和第二银片8形成的芯片组件与底座9壳体侧壁之间。
10、可选地，如上所述的压接式耐高温二极管的制备方法中，
11、所述步骤1中，形成的环形凹槽和半球状凹槽用于释放对芯片6的应力，环形凹槽还安装绝缘衬套3时保证绝缘衬套3完全隔离芯片6与底座9的侧壁。
12、可选地，如上所述的压接式耐高温二极管的制备方法中，
13、所述步骤1还包括：在底座9内部底端面形成多个同心布设的环形凹槽。
14、第二方面，本专利技术实施例还提供一种压接式耐高温二极管，采用如上述任一项提供的压接式耐高温二极管的制备方法形成压接式耐高温二极管。
15、可选地，如上所述的压接式耐高温二极管中，包括：压块1，硅橡胶涂层2，绝缘衬套3，碟形弹簧4，第一银片5，芯片6，钼片7，第二银片8和底座9；
16、其中，所述底座9设置为一端开口的筒状结构，筒状内部底端面沿筒状侧壁一周形成有环形凹槽，底端面中心形成有半球状凹槽；所述第二银片8，芯片6和钼片7焊接形成的一体结构，以及第一银片5和压块1依次放置在底座9的底端面上；且绝缘衬套3套设在压块1、第一银片5、芯片6、钼片7和第二银片8的外部，用于定位形成待压接结构，且用于隔离由第一银片5、芯片6、钼片7和第二银片8形成的芯片组件与底座9的侧壁；
17、所述碟形弹簧4套设在绝缘衬套3的顶端外部，通过对底座9侧壁顶部的压接成型方式使其侧壁顶部向内弯曲并压接在碟形弹簧4周圈边缘，以使得碟形弹簧4产生预压力；通过在压接后的底座9壳体侧壁与压块1之间的环形凹腔内涂覆硅橡胶形成硅橡胶涂层2。
18、可选地，如上所述的压接式耐高温二极管中，
19、所述压块1设置为三级台阶结构，所述绝缘衬套3设置为二级台阶式衬套，压块1的底部大端柱体整体压设在芯片组件上，绝缘衬套3的上部小径衬套部套设在压块1的中部柱体外周，且位于压块1的中部柱体与碟形弹簧4之间，绝缘衬套3的下部大径衬套部套设在芯片组件与底座9的侧壁之间；压块1的顶部小端柱体形成有外螺纹，用于成型二极管的螺接安装。
20、可选地，如上所述的压接式耐高温二极管中，
21、所述压接式耐高温二极管，通过其碟型弹簧4产生的预压力，对内部的芯片组件产生持续的压力，用于保证压接式耐高温二极管在使用过程中，芯片6的上、下压接面具有足够的压力，从而保证压接式耐高温二极管的压接效果。
22、可选地，如上所述的压接式耐高温二极管中，
23、所述碟型弹簧4的底部位于绝缘衬套3的小径衬套部与大径衬套部之间的端面上，用于碟型弹簧4的预压力通过绝缘衬套3均匀的传递给芯片组件，使得碟型弹簧4预压力均匀释放，以保证压接式耐高温二极管的压接效果。
24、本专利技术的有益效果：本专利技术实施例提供的一种压接式耐高温二极管的制备方法和压接式耐高温二极管，一方面，该压接式耐高温二极管内部各组件通过压力接触进行装配，避免了焊接时温度过高对芯片的损伤，有效降低了传统焊接方式带来的焊接层疲劳和焊接空洞等问题，并减轻了产品的重量；另一方面，制备该压接式耐高温二极管的制备方法中，减少了焊接工艺的使用，降低了器件的热阻，大大提高了二极管的散热效果；封装形成的二极管内部包括压块1、底座9、芯片6、碟形弹簧4等组件；在压块1和底座9之间夹装绝缘衬套3，使芯片6和底座9的管壳相互绝缘的同时还具有定位芯片6、防止芯片6在管壳中左右晃动的作用，且绝缘衬套3采用peek材料，耐高温、耐磨损、强度高，满足二极管高温、高机械应力的使用要求；再一方面，考虑到若完全采用压接方式，会对芯片6产生过大的机械应力，容易在封装过程中造成芯片的破裂，因此本专利技术实施例中的芯片6采用焊接方式形成在钼片7的上端面上，增强芯片6的强度，保证二极管在较大机械应力的情况下仍能稳定工作。本专利技术实施例提供的技术方案具有如下有益效果：
25、(1)本专利技术提供的压接式耐高温压接式二极管可以在150℃的环境温度正常工作；
26、(2)本专利技术提供的压接式耐高温压接式二极管采用压接与焊接组合的封装方式，避免了完全焊接封装时焊接层疲劳和焊接空洞等问题；并且避免了压接封装时芯片的破裂，机械应力造成的芯片损失由30％降低到10％；
27、(3)本专利技术提供的压接式耐高温压接式二极管将压接力储存在碟型弹簧4中，并且有多个缓冲层，有效减少压力对芯片6的损伤；
28、(4)本专利技术提供的压接式耐高温压接式二极管中银本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种压接式耐高温二极管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的压接式耐高温二极管的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的压接式耐高温二极管的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的压接式耐高温二极管的制备方法，其特征在于，
5.一种压接式耐高温二极管，其特征在于，采用如权利要求1～4中任一项提供的压接式耐高温二极管的制备方法形成压接式耐高温二极管。
6.根据权利要求5所述的压接式耐高温二极管，其特征在于，包括：压块(1)，硅橡胶涂层(2)，绝缘衬套(3)，碟形弹簧(4)，第一银片(5)，芯片(6)，钼片(7)，第二银片(8)和底座(9)；
7.根据权利要求6所述的压接式耐高温二极管，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的压接式耐高温二极管，其特征在于，
9.根据权利要求7所述的压接式耐高温二极管，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种压接式耐高温二极管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的压接式耐高温二极管的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的压接式耐高温二极管的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的压接式耐高温二极管的制备方法，其特征在于，
5.一种压接式耐高温二极管，其特征在于，采用如权利要求1～4中任一项提供的压接式耐高温二极管的制备方法形成压接式耐高...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晟，姜鹏，谢晨辉，王宏涛，李尧，
申请(专利权)人：陕西航空电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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