【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体封装，具体涉及一种提高封装密度的封装方法及封装结构。
技术介绍
1、随着科技的发展，很多电子产品开始追求体积更小且功能更多，因而对封装技术有了更高的要求，如何能实现在尽可能小的体积里封装更多的芯片成了封装行业中最大的难题之一。
2、基于此，本专利技术公开了一种提高封装密度的封装方法及封装结构。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种提高封装密度的封装方法及封装结构。
2、为实现上述目的，达到上述技术效果，本专利技术采用的技术方案为：
3、本专利技术公开了一种提高封装密度的封装方法，包括以下步骤：
4、1)将若干个ic芯片贴装在emc塑封料表面；
5、2)对ic芯片进行塑封，形成塑封体；
6、3)在步骤2)所得塑封体表面制作第一钝化层并形成若干个第一开口；
7、4)在第一开口处制作重布线层；
8、5)在重布线层上制作中介层；
9、6)在中介层上制作键合层，并对步骤1)所得emc塑封料背面进行研磨减薄；
10、7)去除键合层，将中介层裸露出来；
11、8)在硅基上埋入若干个芯片，再依次制作第二钝化层和第一再布线层，并植球，形成第一信号导出结构；
12、9)将第一信号导出结构焊接在步骤7)所得中介层上，完成多颗芯片垂直堆叠的动作，实现电气连接，再进行整体减薄；
13、10)在
14、11)在硅通孔和芯片背面形成第二再布线层；
15、12)在第二再布线层表面制作第三钝化层；
16、13)在第三钝化层上处形成第二信号导出结构，第二信号导出结构制作完成后，通过切割的工艺将产品分成若干个独立die。
17、本专利技术还公开了一种提高封装密度的封装方法，包括以下步骤：
18、1)在硅基上埋入若干个芯片，再依次制作第二钝化层和第一再布线层，并植球，形成第一信号导出结构；
19、2)将若干个ic芯片贴装在emc塑封料表面；
20、3)对ic芯片进行塑封，形成塑封体；
21、4)在步骤3)所得塑封体表面制作第一钝化层并形成若干个第一开口；
22、5)在第一开口处制作重布线层；
23、6)在重布线层上制作中介层；
24、7)在中介层上制作键合层，并对步骤2)所得emc塑封料背面进行研磨减薄；
25、8)去除键合层，将中介层裸露出来；
26、9)将第一信号导出结构焊接在步骤7)所得中介层上，完成多颗芯片垂直堆叠的动作，实现电气连接，再进行整体减薄；
27、10)在硅基上形成硅通孔；
28、11)在硅通孔和芯片背面形成第二再布线层；
29、12)在第二再布线层表面制作第三钝化层；
30、13)在第三钝化层上处形成第二信号导出结构，第二信号导出结构制作完成后，通过切割的工艺将产品分成若干个独立die。
31、进一步的，所述ic芯片倒装贴装在emc塑封料表面。
32、进一步的，所述第一钝化层通过压光敏干膜或非光敏干膜制成，或者涂布光敏胶制成，所述第一钝化层的厚度大于3微米。
33、进一步的，当所述第一钝化层通过压光敏干膜制成时，则通过曝光显影工艺制作第一开口，否则通过激光钻孔工艺制作第一开口，第一开口尺寸小于ic芯片表面pad大小。
34、进一步的，采用esifo方法，在硅基上挖若干个槽，通过daf胶膜将芯片贴装在槽中。
35、进一步的，步骤10)中，通过硅通孔技术，在硅基上开若干个硅通孔。
36、进一步的，步骤13)中，在第三钝化层的特定位置形成第二开口并在第二开口处形成第二信号导出结构。
37、本专利技术还公开了一种提高封装密度的封装方法制备得到的封装结构。
38、本专利技术公开的提高封装密度的封装结构，包括塑封体，所述塑封体包括emc塑封料以及倒装贴装在emc塑封料上的ic芯片，塑封体上制作第一钝化层并在其特定位置形成第一开口，第一开口处形成重布线层，重布线层上通过钝化、再布线工艺制作中介层，中介层与埋入芯片结构的第一信号导出结构焊接在一起，埋入芯片结构包括硅基，硅基上挖有若干个槽，芯片通过daf胶膜埋入相适配的槽，硅基和芯片上依次制作第二钝化层和第一再布线层，第一再布线层上形成第一信号导出结构，硅基上开有若干个硅通孔，硅通孔和芯片背面形成第二再布线层，第二再布线层表面制作第三钝化层，在第三钝化层的特定位置形成第二开口并在第二开口处形成第二信号导出结构。
39、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
40、本专利技术公开了一种提高封装密度的封装方法及封装结构，先分别制作埋入芯片结构和塑封体，再将塑封体上的中介层与埋入芯片结构的第一信号导出结构焊接在一起，从而实现多颗芯片垂直堆叠，相同体积下能够实现更多的芯片连接，显著提高了封装密度，同时通过芯片垂直堆叠，能够缩短信号传输距离，有利于提高封装结构的散热能力，封装可靠性高。
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1.一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求1或2所述的一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，所述IC芯片倒装贴装在EMC塑封料表面。
4.根据权利要求1或2所述的一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，所述第一钝化层通过压光敏干膜或非光敏干膜制成，或者涂布光敏胶制成，所述第一钝化层的厚度大于3微米。
5.根据权利要求4所述的一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，当所述第一钝化层通过压光敏干膜制成时，则通过曝光显影工艺制作第一开口，否则通过激光钻孔工艺制作第一开口，第一开口尺寸小于IC芯片表面Pad大小。
6.根据权利要求1或2所述的一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，采用esifo方法，在硅基上挖若干个槽，通过DAF胶膜将芯片贴装在槽中。
7.根据权利要求1或2所述的一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，步骤10)中，通过硅通孔技术，在硅基上开若干个硅通孔。
8.根据权利要求1或2所述的一种提高
9.权利要求1-8任一所述的一种提高封装密度的封装方法制备得到的封装结构。
10.一种提高封装密度的封装结构，其特征在于，包括塑封体，所述塑封体包括EMC塑封料以及倒装贴装在EMC塑封料上的IC芯片，塑封体上制作第一钝化层并在其特定位置形成第一开口，第一开口处形成重布线层，重布线层上通过钝化、再布线工艺制作中介层，中介层与埋入芯片结构的第一信号导出结构焊接在一起，埋入芯片结构包括硅基，硅基上挖有若干个槽，芯片通过DAF胶膜埋入相适配的槽，硅基和芯片上依次制作第二钝化层和第一再布线层，第一再布线层上形成第一信号导出结构，硅基上开有若干个硅通孔，硅通孔和芯片背面形成第二再布线层，第二再布线层表面制作第三钝化层，在第三钝化层的特定位置形成第二开口并在第二开口处形成第二信号导出结构。
...【技术特征摘要】
1.一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求1或2所述的一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，所述ic芯片倒装贴装在emc塑封料表面。
4.根据权利要求1或2所述的一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，所述第一钝化层通过压光敏干膜或非光敏干膜制成，或者涂布光敏胶制成，所述第一钝化层的厚度大于3微米。
5.根据权利要求4所述的一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，当所述第一钝化层通过压光敏干膜制成时，则通过曝光显影工艺制作第一开口，否则通过激光钻孔工艺制作第一开口，第一开口尺寸小于ic芯片表面pad大小。
6.根据权利要求1或2所述的一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，采用esifo方法，在硅基上挖若干个槽，通过daf胶膜将芯片贴装在槽中。
7.根据权利要求1或2所述的一种提高封装密度的封装方法，其特征在于，步骤10)中，通过硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙妮，马书英，
申请(专利权)人：华天科技江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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