【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。led已经广泛应用于照明、监控指挥、高清演播、高端影院、办公显示、会议交互、虚拟现实等领域。
2、目前led常常出现死灯异常，其原因主要是固晶过程导致的失效造成的。具体来说，在顶针从蓝膜转移芯片到焊盘的过程中，当顶针将芯片顶起时，顶针尖端接触部位为芯片的非平整界面处，而是具有高低差或者是斜面的时候，芯片由于受力不均，产生内伤，导致芯片暗裂，进而点亮的过程中出现死灯异常。因此，如何解决芯片的死灯异常问题已然成为本领域技术人员亟待解决的技术难题之一。
3、需要说明的是，公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术
技术实现思路
1、本专利技术提供一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极、第二电极和透明导电层。
2、半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层。第一电极电连接第一半导体层。第二电极电连接第二半导体层。透明导电层连接第一电极，透明导电层的材料不同于第一电极的材料。其中，从发光二极管的上
3、本专利技术还提供一种发光装置，其采用上述任一提供的发光二极管。
4、本专利技术一实施例提供的一种发光二极管及发光装置，通过在顶针区域处设置透明导电层的方式，来避免顶针会顶到非平整界面处的问题，从而解决了死灯异常的问题，提高发光二极管的品质。
5、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分的技术特征和有益效果可以从说明书中显而易见地得出，或者是通过实施本专利技术而了解。
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1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层的厚度范围为50埃米~800埃米。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层的材料包括选自ITO、IZO、AZO构成的群组中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的材料包括选自Ni、Au、Ge、Pt、Ti、Pd构成的群组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括绝缘层、第一焊盘和第二焊盘，所述绝缘层覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述透明导电层，所述绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一焊盘设置在所述绝缘层上并通过所述第一开口电连接所述第一电极，所述第二焊盘设置在所述绝缘层上并通过所述第二开口电连接所述第二电极。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一焊盘和所述第二焊盘均不与所述顶针区域重叠，所述透明导电层位于所述第一焊盘和所述第二焊盘之间。p>
7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一焊盘和所述第二焊盘均不与所述顶针区域重叠，部分所述透明导电层重叠于所述第一焊盘和/或所述第二焊盘。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，定义所述第一电极具有靠近所述第二焊盘的第一端和远离所述第二焊盘的第二端，所述透明导电层覆盖所述第一电极的所述第一端和所述第二端。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述透明导电层具有第三开口，所述第三开口位于所述第一电极内。
10.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一焊盘的面积占所述发光二极管的面积的12.5~25%，所述第二焊盘的面积占所述发光二极管的面积的12.5~25%。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述透明导电层的面积占所述发光二极管的面积的8%~95%。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述发光二极管具有第一中线和第二中线，所述第一中线垂直所述第二中线，所述第一电极和所述第二电极分布在所述第一中线的不同侧，所述第二中线穿过所述第一电极和所述第二电极。
13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：所述第一中线和所述第二中线穿过所述发光二极管的中心点。
14.一种发光装置，其特征在于：所述发光装置采用如权利要求1~13中任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层的厚度范围为50埃米~800埃米。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层的材料包括选自ito、izo、azo构成的群组中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的材料包括选自ni、au、ge、pt、ti、pd构成的群组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括绝缘层、第一焊盘和第二焊盘，所述绝缘层覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述透明导电层，所述绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一焊盘设置在所述绝缘层上并通过所述第一开口电连接所述第一电极，所述第二焊盘设置在所述绝缘层上并通过所述第二开口电连接所述第二电极。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一焊盘和所述第二焊盘均不与所述顶针区域重叠，所述透明导电层位于所述第一焊盘和所述第二焊盘之间。
7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一焊盘和所述第二焊盘均不与所述顶针区域重叠，部分所述透明导电层重叠于所述第一焊盘和/或所述第二焊盘。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘冠甫，林笑洁，李慧文，柯韦帆，董仲伟，白潇，胡鹏杰，徐长江，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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