【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及药学领域，具体涉及褪黑素在制备治疗神经细胞损伤或线粒体裂变致学习记忆障碍疾病药物中的应用。
技术介绍
1、氟（fluorine, f）是自然界广泛存在的非金属元素，其化学性质活泼，常以化合物的形式存在，研究表明过量的氟化物可损害大脑结构和学习记忆等，但其机制尚未完全清楚。铝（aluminum, al）是环境中分布最广的金属之一，过量铝可导致大鼠神经行为改变和学习记忆能力损伤。
2、氟、铝对机体均有危害且作用的靶器官相似，与单一的氟或铝暴露相比，氟和铝在环境中的共暴露对人类健康的影响同样值得重视。氟和铝摄入后可形成复合物，更容易穿过血脑屏障，储存在大脑中，损害学习记忆能力。流行病学研究表明，饮水中高水平氟和铝的摄入与痴呆风险有关。氟化铝复合物在脑中积累诱导线粒体裂变，损害能量产生相关的酶活性，破坏游离自由基平衡，导致脂质过氧化和dna修复机制异常，导致神经毒性、突触损伤和神经退化。氟铝联合暴露所致的神经毒性严重影响暴露人群的健康状况，造成神经细胞的损伤及多种神经性疾病，因此有必要开发出用于治疗氟铝联合暴露致神经细胞损伤或线粒体裂变引起的学习记忆障碍疾病相关途径。
技术实现思路
1、针对上述现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的是提供褪黑素在制备治疗神经细胞损伤或线粒体裂变致学习记忆障碍疾病药物中的应用。本专利技术通过实验验证了褪黑素能够改善氟铝联合暴露诱导的突触损伤和神经细胞损伤，减轻氟铝联合暴露诱导的神经细胞氧化应激，改善细胞能量代谢障碍，通过上调si
2、本专利技术提供了一种褪黑素在制备治疗神经细胞损伤或线粒体裂变致学习记忆障碍疾病药物中的应用。
3、进一步地，所述褪黑素用于制备治疗氟铝联合暴露导致的神经细胞损伤或线粒体裂变致学习记忆障碍疾病的药物。
4、进一步地，所述药物以褪黑素为唯一活性成分。
5、进一步地，所述药物还包括药学上可接受的辅料和/或载体。
6、进一步地，所述药物的剂型包括片剂、粉剂、颗粒剂、胶囊或注射剂。
7、进一步地，所述注射剂为溶液剂或乳剂。
8、进一步地，所述辅料为填充剂、崩解剂、润滑剂、助悬剂、粘合剂、甜味剂、矫味剂、防腐剂、基质、抗氧剂中的一种或任意组合。
9、进一步地，所述褪黑素用于制备突触蛋白gap-43或ng的表达促进剂。
10、进一步地，所述突触蛋白gap-43或ng的表达促进剂用于制备改善神经细胞损伤的药物。
11、综上，与现有技术相比，本专利技术具有以下有益优点及效果：
12、本专利技术首次公开了褪黑素能够用于制备治疗氟铝联合暴露导致的神经细胞损伤或线粒体裂变致学习记忆障碍疾病的药物。褪黑素通过促进sirt1/pgc-1α通路，抑制线粒体裂变，改善氟铝联合暴露导致的线粒体功能障碍，促进gap-43和ng表达，进一步改善氟铝联合暴露导致的神经细胞损伤及线粒体裂变引起的学习记忆障碍。
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1.褪黑素在制备治疗神经细胞损伤或线粒体裂变致学习记忆障碍疾病药物中的应用。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述褪黑素用于制备治疗氟铝联合暴露导致的神经细胞损伤或线粒体裂变致学习记忆障碍疾病的药物。
3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述药物以褪黑素为唯一活性成分。
4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述药物还包括药学上可接受的辅料和/或载体。
5.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述药物的剂型包括片剂、粉剂、颗粒剂、胶囊或注射剂。
6.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述注射剂为溶液剂或乳剂。
7.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述辅料为填充剂、崩解剂、润滑剂、助悬剂、粘合剂、甜味剂、矫味剂、防腐剂、基质、抗氧剂中的一种或任意组合。
8.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述褪黑素用于制备突触蛋白GAP-43或Ng的表达促进剂。
【技术特征摘要】
1.褪黑素在制备治疗神经细胞损伤或线粒体裂变致学习记忆障碍疾病药物中的应用。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述褪黑素用于制备治疗氟铝联合暴露导致的神经细胞损伤或线粒体裂变致学习记忆障碍疾病的药物。
3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述药物以褪黑素为唯一活性成分。
4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述药物还包括药学上可接受的辅料和/或载体。
5.根据权利要...
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