【技术实现步骤摘要】
本专利文件涉及半导体技术，更具体地涉及一种包括选择器的半导体器件及制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、近来，随着电子设备趋于小型化、低功耗、高性能、多功能化等，能够在诸如计算机、便携式通信设备等的多种电子设备中存储信息的半导体器件在本领域中已经提出了要求，并且已经对半导体器件进行了研究。这样的半导体器件包括能够利用根据所施加的电压或电流在不同电阻状态之间切换的特性来存储数据的半导体器件，例如rram(电阻式随机存取存储器)、pram(相变随机存取存储器)、fram(铁电随机存取存储器)、mram(磁性随机存取存储器)、e-熔丝等。
技术实现思路
1、在实施例中，半导体器件可以包括：选择器图案，被配置为响应于所施加的电压相对于阈值电压呈现不同的电传导特性；层间绝缘层，围绕选择器图案的侧壁并具有设置在选择器图案之上的开口；以及电极，设置在开口中并且在开口的最上部具有最大宽度，以及其中在截面图中开口的最上部具有倒圆的边缘。
2、在实施例中，一种用于制造半导体器件的方法，可以包括：提供其中选择器图案和牺牲电极彼此堆叠的堆叠结构，其中选择器图案被配置为响应于施加的电压相对于阈值电压呈现不同的电传导特性；形成围绕堆叠结构的侧壁的层间绝缘层；去除牺牲电极以形成初始开口；扩大初始开口的最上部的宽度以形成开口；以及形成填充于开口中的电极。
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述开口的宽度从所述开口的最上部到底部而减小。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述缓冲图案包括电阻率高于所述电极的电阻率的材料。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述缓冲图案包括非晶碳。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电极和所述层间绝缘层具有平坦化的上表面。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：
12.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述开口是使用湿式清洁来执行的。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述牺牲电极包括氮化钛，以
15.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述电极包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述电极具有与所述层间绝缘层的所述上表面一起平坦化的上表面，以及
17.根据权利要求12所述的方法，还包括：
18.根据权利要求12所述的方法，其中，所述堆叠结构还包括缓冲图案，所述缓冲图案设置在所述牺牲电极与所述选择器图案之间。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，在形成所述初始开口的步骤中，所述缓冲图案被保留。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，在形成所述初始开口的步骤中，所述缓冲图案被进一步去除。
21.根据权利要求18所述的方法，其中，所述堆叠结构还包括附加电极，所述附加电极设置在所述缓冲图案和所述选择器图案之间，以及
22.根据权利要求12所述的方法，其中，在形成所述初始开口的步骤中，所述牺牲电极的一部分保持位于所述选择器图案之上。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述开口的宽度从所述开口的最上部到底部而减小。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述缓冲图案包括电阻率高于所述电极的电阻率的材料。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述缓冲图案包括非晶碳。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电极和所述层间绝缘层具有平坦化的上表面。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：
12.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述开口是使用湿式清洁来执行的。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：董且德，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。