【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁场均匀性控制，尤其涉及一种辐射取向磁环磁极磁场强度均匀性调整方法。
技术介绍
1、磁性材料作为重要的一类功能材料，已经广泛应用于精密机床、航天装备、工业机器人和动力装备等先进制造领域。辐射取向磁环是一类具有特殊取向结构的磁性材料，其晶粒易磁化方向沿径向呈辐射状排列，整体结构紧凑，装配紧密度高，杂散磁场小，输出磁场稳定度高，特别适用于高端永磁电机及高精度磁传感器等方面。
2、传统的辐射取向磁环制作方法包括拼接法，烧结磁环，粘接磁环和热压/热变形整体磁环，不同方法制备的磁环性能各异，按照服役环境的需求可以实现内外单极辐射充磁和多极辐射充磁等具有相应磁场分布和强度的磁环。
3、为保障磁性装备的运行稳定可靠，通常需要磁环磁极输出的磁场强度分布一致性高，由于制造工艺等方面的限制，磁环的组织结构和磁化状态等难以达到完全一致，使得磁环磁极磁场强度分布存在差异，现有磁环的磁极间不均性的差值一般超过4％，进一步通过磁环自身均匀性提升而改善其磁场强度分布一致性十分困难。
4、针对更高匀性磁环的应用需求，可以通过增加匀场片等方式进行优化，或者通过外磁场对磁环磁化区域进行部分退磁，这些处理方式需要复杂的设计，操作空间有限，同时难以实现更准确的调节磁场变化大小，且不适用小尺寸和磁极较多的多极磁环。
技术实现思路
1、鉴于上述的分析，本专利技术实施例旨在提供一种辐射取向磁环磁极磁场强度均匀性调整方法，用以解决现有磁环的磁极间不均性的差值大，磁环磁极磁场强度均
2、一种辐射取向磁环磁极磁场强度均匀性调整方法，在开路环境下按照次序对磁环磁极依次进行磁场强度局域调整，调整方法为在单个磁极的局域位置对磁极施加调节磁场，同时将该磁极表面区域加热至一定温度。
3、进一步地，所述调整的次序为按照磁极磁场强度与目标值的差值由大到小依次进行各磁极磁场强度调整。
4、优选地，所述单个磁极的局域位置为每个磁极的峰值区域，包含的极角宽度不大于20°。
5、需要说明的是，调整过程所施加调节磁场大小不大于5000gs，距离磁环表面距离不大于0.5mm。
6、进一步地，调整过程所施加调节温度范围150～400℃，温度作用区域不大于1mm2，单次时间不大于3s。
7、值得注意的是，每个磁极磁场强度局域调整次数＞1，单次调节磁极差值大小范围1～70gs。
8、具体地，磁环磁极磁场强度进行均匀性调整处理前，对磁环进行单极辐射取向磁化或多极辐射取向磁化，磁环放置于相应取向磁场中进行饱和磁化充磁，充磁后磁环磁极磁场强度为1000～5000gs，各磁极强度偏差范围2～15％。
9、优选地，所述磁环磁极磁场强度局域调整方法适用磁环尺寸特征包括：磁环轴向高度不小于1mm，磁环半径范围5～30mm，内外径之比0.55～0.95。
10、示例性地，所述磁环磁极磁场强度局域调整方法适用磁环为永磁材料，矫顽力不小于10koe，磁能积不小于10mgoe。
11、具体地，所述磁环磁极磁场强度分布均匀性一致性调整后＜2％。
12、与现有技术相比，本专利技术至少可实现如下有益效果之一：
13、1、本专利技术针对多极磁环的磁极磁场调整位置需要与取向制备时一致的问题，采用局域磁化特性调节的方式，根据磁极强度偏差大小对辐射取向磁环磁极依次处理，并严格控制调节位置的极角宽度，减少对相邻磁极的影响，提高了调整精度。
14、2、本专利技术针对小尺寸磁环磁化状态易受外界磁场影响和磁滞现象显著的问题，采用磁场和温度场对磁极局域磁化状态进行复合调节，并精确控制调节磁场和温度场的施加区域以及单次调节的时间、调节次数，通过短时间微小区域的聚焦处理，实现了调整稳定性和准确度的明显改善，有效降低了调整偏差，减少了处理区域外的磁性能损失。
15、3、本专利技术采用局域磁化特性调节的方式，根据磁极强度偏差大小对辐射取向磁环磁极依次处理，严格控制调节位置的极角宽度，采用磁场和温度场对磁极局域磁化状态进行复合调节，实现调整稳定性和准确度的明显改善，有效降低调整偏差，减少处理区域外的磁性能损失，从而获得磁极具有高均匀一致性的磁场强度分布，磁环磁极磁场强度偏差达到2％以内，满足高均匀性磁环的应用需求。
16、4、本专利技术利用对磁环磁极局域磁化特性进行磁场和温度场复合处理的方法，实现了磁极磁场强度差值调节控制的准确性和稳定性，能够获得磁极磁场强度均匀性优异的辐射取向磁环，同时明显改善了磁环轴向一致性，对磁环局域调节相邻区域的磁性能基本没有影响。
17、5、本专利技术精确控制调节磁场和温度场的施加区域以及单次调节的时间、调节次数，通过短时间微小区域的聚焦处理，有效减少对相邻区域的影响，获得更高稳定性和控制准确度。
18、本专利技术中，上述各技术方案之间还可以相互组合，以实现更多的优选组合方案。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分优点可从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过说明书以及附图中所特别指出的内容中来实现和获得。
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1.一种辐射取向磁环磁极磁场强度均匀性调整方法，其特征在于，在开路环境下按照次序对磁环磁极依次进行磁场强度局域调整，调整方法为在单个磁极的局域位置对磁极施加调节磁场，同时将该磁极表面区域加热至一定温度。
2.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，所述调整的次序为按照磁极磁场强度与目标值的差值由大到小依次进行各磁极磁场强度调整。
3.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，所述单个磁极的局域位置为每个磁极的峰值区域，包含的极角宽度不大于20°。
4.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，调整过程所施加调节磁场大小不大于5000Gs，距离磁环表面距离不大于0.5mm。
5.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，调整过程所施加调节温度范围150～400℃，温度作用区域不大于1mm2，单次时间不大于3s。
6.根据权利要求2所述的调整方法，其特征在于，每个磁极磁场强度局域调整次数＞1，单次调节磁极差值大小范围1～70Gs。
7.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，磁环磁极磁场强度进行均匀性调整处理
8.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，所述磁环磁极磁场强度局域调整方法适用磁环尺寸特征包括：磁环轴向高度不小于1mm，磁环半径范围5～30mm，内外径之比0.55～0.95。
9.根据权利要求8所述的调整方法，其特征在于，所述磁环磁极磁场强度局域调整方法适用磁环为永磁材料，矫顽力不小于10kOe，磁能积不小于10MGOe。
10.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，所述磁环磁极磁场强度分布均匀性一致性调整后＜2％。
...【技术特征摘要】
1.一种辐射取向磁环磁极磁场强度均匀性调整方法，其特征在于，在开路环境下按照次序对磁环磁极依次进行磁场强度局域调整，调整方法为在单个磁极的局域位置对磁极施加调节磁场，同时将该磁极表面区域加热至一定温度。
2.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，所述调整的次序为按照磁极磁场强度与目标值的差值由大到小依次进行各磁极磁场强度调整。
3.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，所述单个磁极的局域位置为每个磁极的峰值区域，包含的极角宽度不大于20°。
4.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，调整过程所施加调节磁场大小不大于5000gs，距离磁环表面距离不大于0.5mm。
5.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，调整过程所施加调节温度范围150～400℃，温度作用区域不大于1mm2，单次时间不大于3s。
6.根据权利要求2所述的调整方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈红升，韩瑞，李冬丽，周鸣鸽，张家滕，董生智，李卫，
申请(专利权)人：钢铁研究总院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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