【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是一种稳定研磨速率的方法、研磨方法。
技术介绍
1、当前sti(shallow trench isolation，浅沟槽隔离)制程中，需要经过薄膜沉积、干法刻蚀、光刻胶去除、热氧化、沟槽填充、化学机械抛光(chemical mechanical polish，cmp)、去除氮化硅掩模后得到完整的隔离结构。
2、其中，在sti制程中的cmp工序中使用的研磨液，其主要研磨粒子为氧化铈粒子，其带正电荷，这些粒子通常被带有负电荷的添加剂包围。在研磨过程中，需要由研磨头吸附晶圆并向下施加压力，将粒子团打破，露出氧化铈粒子，以对晶圆表面进行磨削抛光。
3、而现有的研磨制程，使用钻石盘打磨研磨垫，以将研磨垫的孔隙打开，稳定研磨垫的软硬程度。但是钻石盘使用到一定时限后需要进行更换，更换后的钻石盘表面过于锋利，会造成研磨垫磨损严重，变得过于柔软，这一阶段通常会持续几个小时，严重影响了跑货效率。
4、同时，过于柔软的研磨垫在受到压力的作用下，可能导致粒子团无法打破，影响研磨效率；而即使打破粒子团，由于孔隙过大，氧化铈粒子易陷落在孔隙中，进一步影响研磨效率。
5、基于此，如何稳定钻石盘对研磨垫的打磨效率，进而稳定研磨速率成为了本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种稳定研磨速率的方法、研磨方法，以解决现有技术中钻石盘过于锋利，造成研磨垫过于柔软，影响研磨效率的问题。
2
3、对待更换的钻石盘执行钝化步骤；
4、使用完成所述钝化步骤的所述钻石盘进行第一制程中的研磨工序；
5、其中，所述钝化步骤包括：
6、使用待更换的所述钻石盘进行第二制程中的研磨工序，并持续预定时间，以使得所述钻石盘的打磨效率进入稳定区间。
7、可选的，所述第一制程和所述第二制程中使用的研磨液的类型相同。
8、可选的，所述第一制程包括sti制程。
9、可选的，所述第二制程包括ild制程。
10、可选的，所述预定时间包括：使用待更换的所述钻石盘进行所述第二制程中的研磨工序7.5h～8.5h。
11、可选的，所述稳定区间包括：使用所述钻石盘进行研磨工序8h～30h的范围内，所述钻石盘的打磨效率保持稳定。
12、为了达到上述目的，本专利技术还提供一种研磨方法，包括：
13、对使用预设时长的钻石盘执行更换步骤；
14、使用完成所述更换步骤的所述钻石盘进行研磨，并在完成所述更换步骤的所述钻石盘达到所述预设时长后，重复所述更换步骤；
15、其中，所述更换步骤包括：
16、使用如上所述的稳定研磨速率的方法，对待更换的钻石盘执行所述钝化步骤。
17、可选的，所述预设时长包括：所述钻石盘在所述第一制程和所述第二制程中的使用时长总和。
18、可选的，所述预设时长包括：使用所述钻石盘进行研磨工序29.5h～30.5h。
19、可选的，所述更换步骤还包括：
20、对完成所述钝化步骤的所述钻石盘进行打磨效率测试，获取实时打磨效率；
21、若所述实时打磨效率位于所述稳定区间内，或者位于可控范围内，则使用所述钻石盘进行研磨工序；其中，所述可控范围包含所述稳定区间；
22、若所述实时打磨效率位于所述可控范围外，则判定所述钻石盘钝化失败，并报废所述钻石盘。
23、与现有的研磨方法相比，本申请提供的稳定研磨速率的方法、研磨方法具有以下优点：
24、在本申请的稳定研磨速率的方法中，通过对待更换的钻石盘执行钝化步骤，使用待更换的钻石盘先进行第二制程的研磨工序预定时间，将原本锋利的钻石盘钝化，以使得钝化后的钻石盘的打磨效率进入到稳定区间，保证钻石盘能够有效打磨研磨垫，将研磨垫上的孔隙打开，稳定研磨垫的软硬程度，进而稳定研磨速率，增加机台的跑货时间并保证产品的良率，减少原材料的损失和能源的消耗。
25、在本申请的研磨方法中，通过使用上述稳定研磨速率的方法，将待更换的钻石盘钝化，稳定钻石盘的打磨效率，进而稳定研磨速率；同时，在钻石盘使用至预设时长后，重复进行更换，即保证更换后的钻石盘的打磨效率一直处于稳定区间内，进而能够在增加产率的基础上保持产品的良率。
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1.一种稳定研磨速率的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的稳定研磨速率的方法，其特征在于，所述第一制程和所述第二制程中使用的研磨液的类型相同。
3.如权利要求2所述的稳定研磨速率的方法，其特征在于，所述第一制程包括STI制程。
4.如权利要求2所述的稳定研磨速率的方法，其特征在于，所述第二制程包括ILD制程。
5.如权利要求1～4中任一项所述的稳定研磨速率的方法，其特征在于，所述预定时间包括：使用待更换的所述钻石盘进行所述第二制程中的研磨工序7.5h～8.5h。
6.如权利要求1～4中任一项所述的稳定研磨速率的方法，其特征在于，所述稳定区间包括：使用所述钻石盘进行研磨工序8h～30h的范围内，所述钻石盘的打磨效率保持稳定。
7.一种研磨方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的研磨方法，其特征在于，所述预设时长包括：所述钻石盘在所述第一制程和所述第二制程中的使用时长总和。
9.如权利要求8所述的研磨方法，其特征在于，所述预设时长包括：使用所述钻石盘进行研磨工序29.5
10.如权利要求7所述的研磨方法，其特征在于，所述更换步骤还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种稳定研磨速率的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的稳定研磨速率的方法，其特征在于，所述第一制程和所述第二制程中使用的研磨液的类型相同。
3.如权利要求2所述的稳定研磨速率的方法，其特征在于，所述第一制程包括sti制程。
4.如权利要求2所述的稳定研磨速率的方法，其特征在于，所述第二制程包括ild制程。
5.如权利要求1～4中任一项所述的稳定研磨速率的方法，其特征在于，所述预定时间包括：使用待更换的所述钻石盘进行所述第二制程中的研磨工序7.5h～8.5h。
6.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙雷雷，沈逸豫，刘涛，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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