System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置制造方法及图纸_技高网

等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置制造方法及图纸

技术编号:44953497 阅读:5 留言:0更新日期:2025-04-12 01:25
本发明专利技术涉及光学领域,特别涉及一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置。本发明专利技术首先通过等离子体覆盖平板的几何参数构建二维模型,并将对应的材料属性赋予至二维模型,得到物理模型,并将等离子体特征参量带入到物理模型的等离子体区,得到等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型,以用于模拟等离子体覆盖平板太赫兹波传输的状况,再利用等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型进行仿真模拟计算,得到经过等离子体覆盖平板的太赫兹波电场分布,再通过入射端口和出射端口的太赫兹波电场间接确定经过等离子体覆盖平板的太赫兹波传输特性,与现有技术相比,本发明专利技术能够帮助研究人员快速了解经过等离子体覆盖平板后太赫兹波的传输特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学领域,特别涉及一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置


技术介绍

1、电磁波在传播过程中遇到等离子体鞘套时因被其吸收而衰减,并出现偏折、延时、相移等效应,情况严重时出现“黑障”,“黑障”的出现给高速飞行器的测控通信带来极大的困难。

2、相关技术中,太赫兹波传输测量系统往往因为复杂且动态范围小,从而导致对等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真结果不准确。

3、基于此,目前亟待需要一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置来解决如何快速掌握等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的技术问题。


技术实现思路

1、为了解决如何快速掌握等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的技术问题,本专利技术实施例提供了一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置。

2、第一方面,本专利技术实施例提供了一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法,包括:

3、获取等离子体覆盖平板的几何参数和等离子体的特征参量;其中,所述特征参量包括等离子体的电子密度和碰撞频率;

4、基于所述几何参数,确定所述等离子体覆盖平板的二维模型,并将对应的材料属性赋予至所述二维模型,得到物理模型;其中,所述物理模型包括等离子体区、自由空间区和平板材料区,所述自由空间区、所述等离子体区和所述平板材料区依次相连,所述自由空间区为太赫兹波的入口区和反射出口区,所述平板材料区为太赫兹波的透射出口区;

5、将所述特征参量带入到所述等离子体区,得到等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型;

6、利用所述等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型进行仿真模拟计算,得到所述等离子体覆盖平板的电场分布;其中,所述电场分布包括入射端口的不同方向的电场和出射端口的电场;

7、基于所述入射端口的不同方向的电场和所述出射端口的电场,确定所述等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性。

8、第二方面,本专利技术实施例还提供了一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真装置,包括:

9、获取模块,用于获取等离子体覆盖平板的几何参数和等离子体的特征参量;其中,所述特征参量包括等离子体的电子密度和碰撞频率;

10、第一模型构建模块,用于基于所述几何参数,确定所述等离子体覆盖平板的二维模型,并将对应的材料属性赋予至所述二维模型,得到物理模型;其中,所述物理模型包括等离子体区、自由空间区和平板材料区,所述自由空间区、所述等离子体区和所述平板材料区依次相连,所述自由空间区为太赫兹波的入口区和反射出口区,所述平板材料区为太赫兹波的透射出口区;

11、第二模型构建模块,用于将所述特征参量带入到所述等离子体区,得到等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型;

12、第一数据处理模块,用于利用所述等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型进行仿真模拟计算,得到所述等离子体覆盖平板的电场分布;其中,所述电场分布包括入射端口的不同方向的电场和出射端口的电场;

13、第二数据处理模块,用于基于所述入射端口的不同方向的电场和所述出射端口的电场,确定所述等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性。

14、第三方面,本专利技术实施例还提供了一种电子设备,包括存储器和处理器,所述存储器中存储有计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时,实现本专利技术任实施例所述的方法。

15、第四方面,本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,当所述计算机程序在计算机中执行时,令计算机执行本专利技术任实施例所述的方法。

16、本专利技术实施例提供了一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置,首先通过等离子体覆盖平板的几何参数构建二维模型,并将对应的材料属性赋予至二维模型,得到物理模型,将特征参量带入到物理模型的等离子体区,并将预设的空气的介电常数和材料介电常数依次带入自由空间区和平板材料区,得到等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型,以用于模拟等离子体覆盖平板太赫兹波传输的状况,再利用等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型进行有限元仿真模拟计算,得到等离子体覆盖平板的太赫兹波电场分布,再通过入射端口和出射端口的太赫兹波电场间接确定等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性,与相关测试技术相比,本专利技术能够快速掌握等离子体覆盖平板的太赫兹波传输特性。

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【技术保护点】

1.一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用所述等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型进行仿真模拟计算,得到经过所述等离子体覆盖平板后的太赫兹波电场分布,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述等效介电常数是通过如下公式确定的:

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述麦克斯韦方程为:

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当电磁波在低温等离子体中传输时,所述电场分布是通过如下公式确定的:

6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当电磁波在高温等离子体中传输时,所述电场分布是通过如下公式确定的:

7.根据权利要求2-6中任一项所述的方法,其特征在于,所述等离子体的电导率为0。

8.一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真装置,其特征在于,包括:

9.一种电子设备,其特征在于,包括存储器和处理器,所述存储器中存储有计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时,实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,其上存储有计算机程序,当所述计算机程序在计算机中执行时,令计算机执行权利要求1-7中任一项所述的方法。

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【技术特征摘要】

1.一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用所述等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型进行仿真模拟计算,得到经过所述等离子体覆盖平板后的太赫兹波电场分布,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述等效介电常数是通过如下公式确定的:

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述麦克斯韦方程为:

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当电磁波在低温等离子体中传输时,所述电场分布是通过如下公式确定的:

6.根据权利要求2所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙金海
申请(专利权)人:北京环境特性研究所
类型:发明
国别省市:

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