【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造工艺领域，特别是涉及一种亚分辨率辅助图形的插入方法。
技术介绍
1、在光刻工艺中工艺窗口(process window，pw)非常重要，工艺窗口的大小直接影响半导体器件制造的良率，工艺窗口越大，半导体制造良率越高。亚分辨率辅助图形(sub-resolution assist feature，sraf)被添加到半孤立或孤立版图图形之间以加大工艺窗口并避免光刻过程中由于光学绕射在版图直角处产生圆角从而导致集成电路版图中因图形密度不同引起的工艺差异，降低甚至避免由此导致的接触孔功能性不良和图形之间发生工艺缺陷。
2、如图1及图2所示，对版图图形中孤立的子图形(如图1所示)及半孤立的子图形(如图2所示)进行传统的亚分辨率辅助图形插入时，为避免插入的亚分辨率辅助图形被曝光显影出来产生不必要的图形，造成缺陷并影响半导体制造良率，主要采用基于规则的亚分辨率辅助图形插入方法，具体为当子图形1之间的间距大于等于预设值时，添加矩形亚分辨率辅助图形组合2，且相邻矩形亚分辨率辅助图形3之间具有间隙，插入规则包含的特征参数主要有矩形亚分辨率辅助图形的宽度、相邻矩形亚分辨率辅助图形组合之间的间距、矩形亚分辨率辅助图形组合到版图图形的子图形之间的间距以及添加矩形亚分辨率辅助图形的数目等。
3、基于规则的亚分辨率辅助图形插入方法中亚分辨率辅助图形的形状和种类简单，且规则的确立比较依赖工程师的经验和半导体制造产线的数据，往往需要根据工程师的经验进行多次迭代才能得到较为合适的参数，时间周期长且工艺窗口小，降低了半
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种亚分辨率辅助图形的插入方法，用于解决现有技术中传统的亚分辨率辅助图形插入方法时间周期长且工艺窗口小，降低了半导体制造良率，拉长了半导体制造周期，且由于相邻矩形亚分辨率辅助图形之间具有间隙，实际图形在间隙对应位置处容易产生较大的圆角，从而导致集成电路版图中因图形密度不同引起的工艺差异的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种亚分辨率辅助图形的插入方法，所述插入方法包括：
3、s1，选定版图图形，所述版图图形包括至少一个子图形；
4、s2，采用反向光刻技术对所述版图图形进行修正，得到依次嵌套插在所有所述子图形外周的至少一个自由形式布局图形；
5、s3，利用矩形亚分辨率辅助图形组合代替所述自由形式布局图形；所述矩形亚分辨率辅助图形组合包括多个矩形亚分辨率辅助图形，且相邻所述矩形亚分辨率辅助图形之间具有间隙；
6、s4，对所述矩形亚分辨率辅助图形组合进行类环形拟合，得到封闭的类环形亚分辨率辅助图形，并将所述类环形亚分辨率辅助图形代替所述矩形亚分辨率辅助图形组合依次嵌套插在所有所述子图形的外周。
7、可选地，步骤s3中得到所述矩形亚分辨率辅助图形组合的方法包括：
8、s31，对所有所述自由形式布局图形进行封闭圆环拟合，并从得到的圆环拟合图形中提取出特征参数；所述特征参数包括最靠近所述子图形的所述矩形亚分辨率辅助图形组合与所述子图形之间的间距b、所述矩形亚分辨率辅助图形的宽度d及相邻两个所述矩形亚分辨率辅助图形组合之间的间距c；
9、s32，根据所述特征参数得到所述矩形亚分辨率辅助图形组合。
10、进一步地，步骤s31中采用最小二乘法对所述自由形式布局图形进行封闭圆环拟合。
11、进一步地，所述版图图形包括两个以上所述子图形，相邻两个所述子图形之间的间距为a，当(2*b+d)≤a＜(2*b+c+2*d)时，步骤s4中采用一个所述类环形亚分辨率辅助图形插在每个所述子图形的外周，且相邻的两个所述类环形亚分辨率辅助图形的相邻边重合。
12、进一步地，所述版图图形包括两个以上所述子图形，相邻两个所述子图形之间的间距为a，当(2*b+c+2*d)≤a＜(2*b+2*c+3*d)时，步骤s4中采用一个所述类环形亚分辨率辅助图形插在每个所述子图形的外周，且相邻的两个所述类环形亚分辨率辅助图形之间具有间隔。
13、进一步地，所述版图图形包括两个以上所述子图形，相邻两个所述子图形之间的间距为a，当(2*b+2*c+3*d)≤a＜(2*b+3*c+4*d)时，步骤s4中采用两个所述类环形亚分辨率辅助图形依次嵌套插在每个所述子图形的外周，且相邻两个所述子图形的两个外侧的所述类环形亚分辨率辅助图形的相邻边重合。
14、进一步地，所述版图图形包括两个以上所述子图形，相邻两个所述子图形之间的间距为a，当a≥(2*b+3*c+4*d)时，步骤s4中采用两个所述类环形亚分辨率辅助图形依次嵌套插在每个所述子图形的外周，且相邻两个所述子图形的两个外侧的所述类环形亚分辨率辅助图形之间具有间隔。
15、可选地，步骤s4之后还包括：
16、s5，对插入所述类环形亚分辨率辅助图形后的所述版图图形进行模拟仿真；
17、s6，将模拟仿真图形与目标图形进行对比，若对比结果超过允许误差，则调整步骤s2中反向光刻技术的修正工艺参数后，再重复执行步骤s2至步骤s6，直至对比结果不超过允许误差。
18、可选地，所述类环形亚分辨率辅助图形由多个边依次以45°的倾斜角度连续排列形成。
19、可选地，所述版图图形的所述子图形为通孔。
20、如上所述，本专利技术的亚分辨率辅助图形的插入方法，通过先采用反向光刻技术对孤立或半孤立的子图形进行修正，得到插在子图形外周的自由形式布局图形，然后利用矩形亚分辨率辅助图形组合代替自由形式布局图形，矩形亚分辨率辅助图形组合包括多个矩形亚分辨率辅助图形，且相邻矩形亚分辨率辅助图形之间具有间隙，最后对矩形亚分辨率辅助图形组合进行类环形拟合，得到封闭的类环形亚分辨率辅助图形，并将类环形亚分辨率辅助图形代替矩形亚分辨率辅助图形组合依次嵌套插在所有子图形的外周，解决现有技术中传统的亚分辨率辅助图形插入方法时间周期长且工艺窗口小，影响半导体制造良率，拉长半导体制造周期，且由于相邻矩形亚分辨率辅助图形之间具有间隙，实际图形在间隙对应位置处容易产生较大的圆角，从而导致集成电路版图中因图形密度不同引起的工艺差异的问题。
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1.一种亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于，所述插入方法包括：
2.根据权利要求1所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于，步骤S3中得到所述矩形亚分辨率辅助图形组合的方法包括：
3.根据权利要求2所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于：步骤S31中采用最小二乘法对所述自由形式布局图形进行封闭圆环拟合。
4.根据权利要求2所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于：所述版图图形包括两个以上所述子图形，相邻两个所述子图形之间的间距为A，当(2*B+D)≤A＜(2*B+C+2*D)时，步骤S4中采用一个所述类环形亚分辨率辅助图形插在每个所述子图形的外周，且相邻的两个所述类环形亚分辨率辅助图形的相邻边重合。
5.根据权利要求2所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于：所述版图图形包括两个以上所述子图形，相邻两个所述子图形之间的间距为A，当(2*B+C+2*D)≤A＜(2*B+2*C+3*D)时，步骤S4中采用一个所述类环形亚分辨率辅助图形插在每个所述子图形的外周，且相邻的两个所述类环形亚分辨率辅助图形之间具有间隔。p>
6.根据权利要求2所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于：所述版图图形包括两个以上所述子图形，相邻两个所述子图形之间的间距为A，当(2*B+2*C+3*D)≤A＜(2*B+3*C+4*D)时，步骤S4中采用两个所述类环形亚分辨率辅助图形依次嵌套插在每个所述子图形的外周，且相邻两个所述子图形的两个外侧的所述类环形亚分辨率辅助图形的相邻边重合。
7.根据权利要求2所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于：所述版图图形包括两个以上所述子图形，相邻两个所述子图形之间的间距为A，当A≥(2*B+3*C+4*D)时，步骤S4中采用两个所述类环形亚分辨率辅助图形依次嵌套插在每个所述子图形的外周，且相邻两个所述子图形的两个外侧的所述类环形亚分辨率辅助图形之间具有间隔。
8.根据权利要求1所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于，步骤S4之后还包括：
9.根据权利要求1所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于：所述类环形亚分辨率辅助图形由多个边依次以45°的倾斜角度连续排列形成。
10.根据权利要求1所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于：所述版图图形的所述子图形为通孔。
...【技术特征摘要】
1.一种亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于，所述插入方法包括：
2.根据权利要求1所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于，步骤s3中得到所述矩形亚分辨率辅助图形组合的方法包括：
3.根据权利要求2所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于：步骤s31中采用最小二乘法对所述自由形式布局图形进行封闭圆环拟合。
4.根据权利要求2所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于：所述版图图形包括两个以上所述子图形，相邻两个所述子图形之间的间距为a，当(2*b+d)≤a＜(2*b+c+2*d)时，步骤s4中采用一个所述类环形亚分辨率辅助图形插在每个所述子图形的外周，且相邻的两个所述类环形亚分辨率辅助图形的相邻边重合。
5.根据权利要求2所述的亚分辨率辅助图形的插入方法，其特征在于：所述版图图形包括两个以上所述子图形，相邻两个所述子图形之间的间距为a，当(2*b+c+2*d)≤a＜(2*b+2*c+3*d)时，步骤s4中采用一个所述类环形亚分辨率辅助图形插在每个所述子图形的外周，且相邻的两个所述类环形亚分辨率辅助图形之间具有间隔。
6.根据权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄冠宏，陈咏翔，曾鼎程，范富杰，胡展源，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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