【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种晶圆清洗装置及半导体工艺机台。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
2、在晶圆制造工艺中，对晶圆进行的处理包括研磨、腐蚀、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入等工艺，在相关工艺完成之后，需要对晶圆进行清洗以去除晶圆表面的残留物。然而，传统的晶圆清洗设备的清洗效果较差。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种晶圆清洗装置及半导体工艺机台。
2、第一方面，本申请实施例提供一种晶圆清洗装置，包括：
3、第一载台，所述第一载台的一侧表面设有擦洗面；所述第一载台上还设有凹槽，所述凹槽由所述擦洗面朝向所述第一载台内延伸；以及
4、第二载台，设置于所述凹槽内，所述第二载台的一侧表面设有承载面，所述承载面与所述擦洗面平齐；
5、其中，所述第一载台和所述第二载台中的一者可绕所述第二载台的中心旋转，所述凹槽的侧壁与旋转中心之间的距离，大于所述旋转中心与所述第二载台侧边缘之间的距离。
6、在其中一个实施例中，所述擦洗面围设在所述凹槽的外周。
7、在其中一个实施例中，所述第一载台包括旋转部以及设置在所述旋转部一侧的第一擦洗部；所述擦洗面设置在所述第一擦洗部远离所述旋转部的一侧；所述旋转部可绕所述第二载台的中心旋转。<...
【技术保护点】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述擦洗面围设在所述凹槽的外周。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一载台包括旋转部以及设置在所述旋转部一侧的第一擦洗部；所述擦洗面设置在所述第一擦洗部远离所述旋转部的一侧；所述旋转部可绕所述第二载台的中心旋转。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一载台还包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述延伸部围设在所述擦洗面的外周；
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第二擦洗部在所述第一擦洗部上的正投影为第一图形；所述第一图形由所述延伸部朝向所述凹槽延伸；
7.根据权利要求3-6中任一项所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括基座，所述旋转部可转动地设置在所述基座上；
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一擦洗部和/或所述承载部被构造为可吸水的柔性件。
9.根据权利要求7所述的晶圆清洗
10.一种半导体工艺机台，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的晶圆清洗装置。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述擦洗面围设在所述凹槽的外周。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一载台包括旋转部以及设置在所述旋转部一侧的第一擦洗部；所述擦洗面设置在所述第一擦洗部远离所述旋转部的一侧；所述旋转部可绕所述第二载台的中心旋转。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一载台还包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述延伸部围设在所述擦洗面的外周；
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第二擦洗部在所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚威，简志宏，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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