【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、在mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等功率半导体装置中，已知有在源极电极的下侧设置p+型半导体区域及n+型半导体区域这两方的构造。另外，在该构造中，有时在源极电极与上述半导体区域之间设置金属硅化物层及金属层。
2、在上述那样的功率半导体装置中，当在漏极电极与源极电极之间流动反方向的电流时，由于金属硅化物层与金属层之间的热膨胀系数的差异而产生热应力。当金属硅化物层和金属层之间的密合性由于热应力而降低时，容易发生金属剥离、金属裂纹。其结果，可靠性可能降低。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本专利第7243094号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术要解决的课题在于提供一种能够提高可靠性的半导体装置。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、一实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极，在第一方向上与第一电极对置；半导体部，设置在第一电极与第二电极之间；金属硅化物层，设置在第二电极与半导体部之间；以及金属层。设置在该金属硅化物层与第二电极之间，金属硅化物层具有向半导体部侧凹陷的凹部。该金属层与凹部的底面及侧面相接。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
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