【技术实现步骤摘要】
本专利技术适用于通信，尤其涉及一种射频功率放大器及射频芯片。
技术介绍
1、功率放大器可用于输出功率给手机天线，由于手机天线不会一直是50欧姆，在手机靠近墙体或者手机在地下室等环境下，天线会偏离50欧姆。此时由于偏离50欧姆，功率放大器的输出功率不如50欧姆的时候高，此时由于手机的环路控制，需要保证用户的通讯质量，此时手机平台会增加功率放大器的输入功率，进而让天线功率不降低，保持手机和基站的通讯质量。而如果继续偏离50欧姆，由于此机制的存在，功率放大器的输入功率还会增加，此时功率放大器输出面临高功率和高失配的情况，最终会早上功率管被击穿。
2、在相关技术中往往采用在功率放大器的输入端使用二极管进行保护，防止输入功率过高。如图1所示，图1是相关技术中采用二极管作为保护电路的射频功率放大器的电路结构示意图一，输入保护电路由四个二极管组成。或者采用如图2所示的电路结构，图2是相关技术中采用二极管作为保护电路的射频功率放大器的电路结构示意图二，输入保护由两个二极管组成的结构组成。
3、然而，如图1所示的电路结构，有四个二极管组成输入保护电路，当输入功率增加到大约10dbm时，二极管起作用，将输入功率钳位，保护放大器。但是通常情况输入10dbm的功率是比较高的，功率放大器此会被推到饱和状态，输出幅度过大，容易造成输出管击穿，如果采用图2所示的两个二极管保护，此时输入功率大约是4dbm时，二极管起作用，此时输入功率并不高，面对增益较低的功率放大器，例如增益是26db的功率放大器，此时功率放大器的输出功率out1=30
4、因此亟需一种新的射频功率放大器及射频芯片，解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种射频功率放大器及射频芯片，旨在解决因输入功率过高或者负载失配严重而导致射频功率放大器被击穿烧坏的问题，并有效提高射频功率放大器的线性度。
2、第一方面，本专利技术提供一种射频功率放大器，所述射频功率放大器包括功率放大单元、输出匹配网络、功率检测单元、比较单元以及输入衰减电路；
3、所述功率放大单元的输入端作为所述射频功率放大器的输入端，用于接收射频信号，所述功率放大单元的输出端分别连接所述输出匹配网络的输入端和所述功率检测单元的输入端；
4、所述输出匹配网络的输出端作为所述射频功率放大器的输出端，用于输出射频信号；
5、所述功率检测单元的输出端连接所述比较单元的输入端；所述功率检测单元用于检测所述功率放大单元的输出功率；
6、所述比较单元的第一输出端连接所述输入衰减电路的第一输入端，所述比较单元的第二输出端连接所述输入衰减电路的第二输入端；所述比较单元用于判断所述功率放大单元的输出功率是否超出预设阈值；
7、所述输入衰减电路的第三输入端用于接收射频信号，所述输入衰减电路的输出端接地，所述输入衰减电路用于调节所述功率放大单元的输入功率。
8、优选地，所述功率放大单元包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第一电感、第二电感、第一晶体管以及第二晶体管；
9、所述第一电容的第一端作为所述功率放大单元的输入端，所述第一电容的第二端连接所述第一晶体管的输入端；所述第一电阻的第一端连接所述第一电容的第二端，所述第一电阻的第二端用于连接第一偏置电压，所述第一晶体管的接地端接地，所述第一晶体管的输出端分别连接所述第一电感的第一端以及第二电容的第一端，所述第一电感的第二端用于连接第一电源电压；所述第二电容的第二端连接所述第二晶体管的输入端，所述第二电阻的第一端连接所述第二电容的第二端，所述第二电阻的第二端用于连接第二偏置电压，所述第二晶体管的接地端接地，所述第二晶体管的输出端作为所述功率放大单元的输出端，所述第二电感的第一端连接所述第二晶体管的输出端，所述第二电感的第二端用于连接第二电源电压。
10、优选地，所述功率检测单元包括第三电容、第四电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻以及第三晶体管；
11、所述第三电容的第一端作为所述功率检测单元的输入端，所述第三电容的第二端连接所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端连接所述第三晶体管的输入端，所述第三电阻的第一端连接所述第四电阻的第二端，所述第三电阻的第二端用于连接第三偏置电压，所述第三晶体管的输出端用于连接第二电源电压，所述第三晶体管的接地端作为所述功率检测单元的输出端，所述第五电阻第一端和所述第四电容的第一端分别连接至所述第三晶体管的接地端，所述第五电阻的第二端和所述第四电容的第二端分别接地。
12、优选地，所述比较单元包括第六电阻、第五电容、第一比较器以及第二比较器；所述第六电阻的第一端作为所述比较单元的输入端，所述第六电阻的第二端分别连接所述第一比较器的正输入端和所述第二比较器的正输入端，所述第五电容的第一端连接所述第六电阻的第二端，所述第五电容的第二端接地，所述第一比较器的负输入端用于连接第一基准电压，所述第一比较器的输出端作为所述比较单元的第一输出端，所述第二比较器的负输入端用于连接第二基准电压，所述第二比较器的输出端作为所述比较单元的第二输出端。
13、优选地，所述输入衰减电路包括第六电容、第七电容、第七电阻、第八电阻、第一mos管以及第二mos管；所述第一mos管的栅极作为所述输入衰减电路的第一输入端，所述第一mos管的源极接地，所述第一mos管的漏极连接所述第七电阻的第一端，所述第七电阻的第二端连接所述第六电容的第一端，所述第六电容的第二端作为所述输入衰减电路的第三输入端，所述第七电容的第一端连接所述第六电容的第二端，所述第七电容的第二端连接所述第八电阻的第一端，所述第八电阻的第二端连接所述第二mos管的漏极，所述第二mos管的栅极作为所述输入衰减电路的第二输入端，所述第二mos管的源极接地。
14、优选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管均为场效应管；
15、所述第一晶体管的输入端、所述第二晶体管的输入端以及所述第三晶体管的输入端均为所述场效应管的栅极，所述第一晶体管的输出端、所述第二晶体管的输出端以及所述第三晶体管的输出端均为所述场效应管的漏极，所述第一晶体管的接地端、所述第二晶体管的接地端以及所述第三晶体管的接地端均为所述场效应管的源极。
16、优选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管均为三极管；
17、所述第一晶体管的输入端、所述第二晶体管的输入端以及所述第三晶体管的输入端均为所述三极管的基极，所述第一晶体管的输出端、所述第二晶体管的输出端以及所述第三晶体管的输出端均为所述三极管的集电极，所述第一晶体管的接地端、所述第二晶体管的接地端以及所述第三晶体管的接地端均为所述三极管的发射极。
18、第二方面，本专利技术还提供一种射频本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器包括功率放大单元、输出匹配网络、功率检测单元、比较单元以及输入衰减电路；
2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述功率放大单元包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第一电感、第二电感、第一晶体管以及第二晶体管；
3.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述功率检测单元包括第三电容、第四电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻以及第三晶体管；
4.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述比较单元包括第六电阻、第五电容、第一比较器以及第二比较器；所述第六电阻的第一端作为所述比较单元的输入端，所述第六电阻的第二端分别连接所述第一比较器的正输入端和所述第二比较器的正输入端，所述第五电容的第一端连接所述第六电阻的第二端，所述第五电容的第二端接地；所述第一比较器的负输入端用于连接第一基准电压，所述第一比较器的输出端作为所述比较单元的第一输出端，所述第二比较器的负输入端用于连接第二基准电压，所述第二比较器的输出端作为所述比较单元的第二输出端。
5.如权利要求1
6.如权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管均为场效应管；
7.如权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管均为三极管；
8.一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片包括如上述权利要求1-7任一项所述的射频功率放大器。
...【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器包括功率放大单元、输出匹配网络、功率检测单元、比较单元以及输入衰减电路；
2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述功率放大单元包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第一电感、第二电感、第一晶体管以及第二晶体管；
3.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述功率检测单元包括第三电容、第四电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻以及第三晶体管；
4.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述比较单元包括第六电阻、第五电容、第一比较器以及第二比较器；所述第六电阻的第一端作为所述比较单元的输入端，所述第六电阻的第二端分别连接所述第一比较器的正输入端和所述第二比较器的正输入端，所述第五电容的第一端连接所述第六电阻的第二端，所述第五电容的第二端接地；所述第一比较器的负输入端用于连接第一基准电压，所述第一比较器的输出端作为所述比较单元的第一输出端，所述第二比较器的负输入端用于连接第二基准电压，所述第二比较器的输出端作为所述比较单元的第二输出端。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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