【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于射频微波领域，涉及衰减器器件，具体涉及一种低插损的数控衰减器。
技术介绍
1、在相控阵天线和波束赋形系统中，衰减器作为控制信号幅度精确变化的控制元件，可以调整副瓣电平和波束宽度。衰减器的技术指标主要有:工作频带、插入损耗、插损波动、电压驻波比、功率容量、衰减量、衰减精度、衰减附加相移、衰减器开关时间等，但是传统的大位衰减器插损比较大，用在接收端会带来较大的噪声。
技术实现思路
1、专利技术目的：本专利技术的目的在于提供一种低插损的数控衰减器，其基态插损小，可用在接收机输入端进行大动态幅度调控，降低接收通道的整体噪声。
2、技术方案：本专利技术的一种低插损的数控衰减器，包括射频输入端口、射频输出端口、开关模块和衰减模块；所述开关模块包括依次串联设置的第一开关管sw1、第二开关管sw2、第三开关管sw3、第四开关管sw4、第五开关管sw5，其中，第一开关管sw1另一端接地，第一开关管sw1两端并联设置第一电阻r1，第五开关管sw5另一端接地，第五开关管sw5两端并联设置第二电阻r2；所述第三开关管sw3两端连接射频输入端口和射频输出端口；所述衰减模块一端通过第二开关管sw2连接至射频输出端口，其另一端通过第四开关管sw4连接至射频输入端口；或所述衰减模块并联连接在第三开关管sw3两端；或所述衰减模块数量为两个，其中一个串联在第一开关管sw1和第二开关管sw2之间，另一个串联在第四开关管sw4和第五开关管sw5之间。
3、进一步的，当所述衰减模块一端
4、所述第三电阻r3、第四电阻r4之间通过微带线tl1相互连接，第三电阻r3一端经第五电阻r5接地，其另一端经第二开关管sw2连接至射频输出端口；所述第四电阻r4一端经第六电阻r6接地，其另一端经第四开关管sw4连接至射频输入端口。
5、进一步的，所述第五电阻r5两端、第六电阻r6两端分别并联连接一个相位补偿结构，能够消除基态与衰减态产生的相位不平衡现象。
6、进一步的，所述相位补偿结构采用电容或电感。
7、进一步的，所述第三电阻r3、第四电阻r4、第五电阻r5、第六电阻r6共同构成π型衰减网络。
8、进一步的，所述衰减模块并联连接在第三开关管sw3两端时，衰减模块包括通过微带线tl1串联连接的第三电阻r3和第四电阻r4；
9、所述第三电阻r3另一端连接射频输出端口，第四电阻r4另一端连接射频输入端口。
10、进一步的，当所述衰减模块数量为两个，其中一个串联在第一开关管sw1和第二开关管sw2之间，另一个串联在第四开关管sw4和第五开关管sw5之间时，衰减模块包括第三电阻r3和第四电阻r4；
11、所述第三电阻r3一端与第一开关管sw1连接，其另一端与第二开关管sw2、第一电阻r1分别连接；
12、所述第四电阻r4一端与第四开关管sw4、第二电阻r2分别连接，其另一端与第五开关管sw5连接；所述第三电阻r3和第四电阻r4之间通过微带线tl1相连。
13、进一步的，所述开关模块整体构成单刀单掷吸收式开关。
14、进一步的，所述第三开关管sw3、第一开关管sw1、第五开关管sw5与第二开关管sw2、第四开关管sw4采用一对互补ttl电平进行控制。
15、该数控衰减器基于砷化镓工艺、基于cmos工艺或gesi工艺进行设计。
16、有益效果：与现有技术相比，本专利技术的显著技术效果如下：
17、通过将传统的单刀双掷开关简化为单刀单掷吸收式开关，射频输入端口和射频输出端口间只有第三开关管sw3，导通时基态插损只由一个第三开关管sw3带来，插损相较传统结构可以减小近一半；关断时第一开关管sw1和第一电阻r1、第五开关管sw5和第二电阻r2共同构成吸收式开关，保证衰减态时良好的输入输出匹配。
18、低插损的数控衰减器在实现大衰减位时，基态插损小，结构简单，面积较小，用在接收机输入端进行大动态幅度调控，可以降低接收通道的整体噪声，提高接收系统的灵敏度。
19、采用砷化镓工艺进行设计，便于和砷化镓芯片进行集成。
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1.一种低插损的数控衰减器，其特征在于：包括射频输入端口、射频输出端口、开关模块和衰减模块；
2.根据权利要求1所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：当所述衰减模块一端通过第二开关管SW2连接至射频输出端口，其另一端通过第四开关管SW4连接至射频输入端口时，衰减模块包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6；
3.根据权利要求2所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：所述第五电阻R5两端、第六电阻R6两端分别并联连接一个相位补偿结构。
4.根据权利要求3所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：所述相位补偿结构采用电容或电感。
5.根据权利要求2所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：所述第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6共同构成Π型衰减网络。
6.根据权利要求1所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：所述衰减模块并联连接在第三开关管SW3两端时，衰减模块包括通过微带线TL1串联连接的第三电阻R3和第四电阻R4；
7.根据权利要求1所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：当所述衰减模块
8.根据权利要求1所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：所述开关模块整体构成单刀单掷吸收式开关。
9.根据权利要求1所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：所述第三开关管SW3、第一开关管SW1、第五开关管SW5与第二开关管SW2、第四开关管SW4采用一对互补TTL电平进行控制。
10.根据权利要求1至9任一项所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：该数控衰减器基于砷化镓工艺、基于CMOS工艺或GeSi工艺进行设计。
...【技术特征摘要】
1.一种低插损的数控衰减器，其特征在于：包括射频输入端口、射频输出端口、开关模块和衰减模块；
2.根据权利要求1所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：当所述衰减模块一端通过第二开关管sw2连接至射频输出端口，其另一端通过第四开关管sw4连接至射频输入端口时，衰减模块包括第三电阻r3、第四电阻r4、第五电阻r5、第六电阻r6；
3.根据权利要求2所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：所述第五电阻r5两端、第六电阻r6两端分别并联连接一个相位补偿结构。
4.根据权利要求3所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：所述相位补偿结构采用电容或电感。
5.根据权利要求2所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：所述第三电阻r3、第四电阻r4、第五电阻r5、第六电阻r6共同构成π型衰减网络。
6.根据权利要求1所述的低插损的数控衰减器，其特征在于：所述衰...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴霞，韩群飞，刘博，张巍，王维波，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：
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