一种双定向耦合器的电路结构制造技术

本技术公开了一种双定向耦合器的电路结构，属于双定向耦合器技术领域，包括三线型带状耦合线、外部补偿电路一和外部补偿电路二，外部补偿电路一和外部补偿电路二分别连接到三线型带状耦合线中的两根带状耦合线的一端，该两根带状耦合线另一端分别连接电阻一和电阻二，电阻一和电阻二另一端连接到PCB板的接地处，外部补偿电路一和外部补偿电路二连接到PCB板的隔离端口和耦合端口，三线型带状耦合线中的第三根带状耦合线的两端分别连接到PCB板的输入端口和输出端口。耦合线与补偿电路相结合，达到高性能指标（驻波比小于1.32，损耗小于0.3，功率容量可达100W以上），并能满足定向耦合器平坦度的要求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种双定向耦合器的电路结构，属于双定向耦合器。

技术介绍

1、在现代通信和微波系统中，定向耦合器具有极其广泛的应用，是微波电路的重要组成部分。定向耦合器属于无源器件，可设计为任意功率分配比，被广泛应用于功率检测、功率分配和功率合成，如发射机的功率控制和驻波保护。特别是随着现代通信和微波系统小型化的发展，对定向耦合器的性能指标要求也越来越高，发展朝着小尺寸，宽频带，大功率，高方向性等方向发展。

2、带状线耦合器是由相互耦合的两根或多根带状线构成。当两根或多根中心导体带彼此靠近时，由电场和磁场能量的互相耦合构成了耦合带状线构成耦合器。

3、目前市面上的技术与技术方案及其缺陷与不足：

4、在超短波频段常见的耦合器主要有集总参数变压器耦合器和带状线耦合器。由于集总参数变压器耦合器的铁氧体（俗称磁环）的饱和磁化强度与温度密切相关，导致耦合度和隔离度随之变化，同时集总参数变压器耦合器调试量相对较大，产品一致性不好，不利于批量生产，同时集总参数变压器耦合器无法满足大功率设计，而带状线耦合器正好弥补了以上缺点，但带状线耦合器直接使用中，难以达到高性能指标，也很难满足定向耦合器平坦度的要求。

技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题是：提供一种双定向耦合器的电路结构，能够达到高性能指标，并能满足定向耦合器平坦度的要求。

2、本技术采取的技术方案为： 一种双定向耦合器的电路结构，包括三线型带状耦合线、外部补偿电路一和外部补偿电路二，外部补偿电路一和外部补偿电路二分别连接到三线型带状耦合线中的两根带状耦合线的一端，该两根带状耦合线另一端分别连接电阻一和电阻二，电阻一和电阻二另一端连接到pcb板的接地处，外部补偿电路一和外部补偿电路二连接到pcb板的隔离端口和耦合端口，三线型带状耦合线中的第三根带状耦合线的两端分别连接到pcb板的输入端口和输出端口。

3、进一步地，上述外部补偿电路一和外部补偿电路二均包括电阻r1、电感l1、电容c2、电阻r2、电容c1、电感l2、电阻r3、电容c3和电阻r4，电阻r1与电感l1并联后一端连接到输入端和电容c2的一端，电阻r1与电感l1并联后另一端连接到电阻r2与电容c1并联的一端，电阻r2与电容c1并联的另一端连接到输出端和电容c3的一端，电容c3的另一端连接到电阻r4的一端，电容c2的另一端连接到电感l2与电阻r3并联后一端，电感l2与电阻r3并联后另一端连接到电阻r4的一端和接地端。

4、进一步地，上述三线型带状耦合线布置在下层pcb板上表面且从左到右多次弧形弯曲的。

5、进一步地，上述外部补偿电路一和外部补偿电路二朝向内部的两侧均布置有多根接地插针，多根接地插针将连接到pcb板的三层接地端。

6、本技术的有益效果：与现有技术相比，本技术的效果如下：

7、（1）耦合线与补偿电路相结合，达到高性能指标（驻波比小于1.32，损耗小于0.3，功率容量可达100w以上），并能满足定向耦合器平坦度的要求；

8、（2）采用弯曲耦合线的方式来减小体积，耦合带状线产生的耦合随频率增大而增加。

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【技术保护点】

1.一种双定向耦合器的电路结构，其特征在于：包括三线型带状耦合线（4）、外部补偿电路一和外部补偿电路二，外部补偿电路一和外部补偿电路二分别连接到三线型带状耦合线（4）中的两根带状耦合线的一端，该两根带状耦合线另一端分别连接电阻一和电阻二，电阻一和电阻二另一端连接到PCB板（1）的接地处，外部补偿电路一和外部补偿电路二连接到PCB板（1）的隔离端口和耦合端口，三线型带状耦合线（4）中的第三根带状耦合线的两端分别连接到PCB板的输入端口和输出端口。

2.根据权利要求1所述的一种双定向耦合器的电路结构，其特征在于：外部补偿电路一和外部补偿电路二均包括电阻R1、电感L1、电容C2、电阻R2、电容C1、电感L2、电阻R3、电容C3和电阻R4，电阻R1与电感L1并联后一端连接到输入端和电容C2的一端，电阻R1与电感L1并联后另一端连接到电阻R2与电容C1并联的一端，电阻R2与电容C1并联的另一端连接到输出端和电容C3的一端，电容C3的另一端连接到电阻R4的一端，电容C2的另一端连接到电感L2与电阻R3并联后一端，电感L2与电阻R3并联后另一端连接到电阻R4的一端和接地端。

3.根据权利要求1所述的一种双定向耦合器的电路结构，其特征在于：三线型带状耦合线（4）布置在下层PCB板（2）上表面且从左到右多次弧形弯曲。

4.根据权利要求1所述的一种双定向耦合器的电路结构，其特征在于：外部补偿电路一和外部补偿电路二朝向内部的两侧均布置有多根接地插针（11），多根接地插针将连接到PCB板（1）的三层接地端。

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【技术特征摘要】

1.一种双定向耦合器的电路结构，其特征在于：包括三线型带状耦合线（4）、外部补偿电路一和外部补偿电路二，外部补偿电路一和外部补偿电路二分别连接到三线型带状耦合线（4）中的两根带状耦合线的一端，该两根带状耦合线另一端分别连接电阻一和电阻二，电阻一和电阻二另一端连接到pcb板（1）的接地处，外部补偿电路一和外部补偿电路二连接到pcb板（1）的隔离端口和耦合端口，三线型带状耦合线（4）中的第三根带状耦合线的两端分别连接到pcb板的输入端口和输出端口。

2.根据权利要求1所述的一种双定向耦合器的电路结构，其特征在于：外部补偿电路一和外部补偿电路二均包括电阻r1、电感l1、电容c2、电阻r2、电容c1、电感l2、电阻r3、电容c3和电阻r4，电阻r1与电感l1...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗志伟，陈伟，李青，戴正立，邓世春，徐婧，王世福，
申请(专利权)人：贵阳信络电子有限公司，
类型：新型
国别省市：