【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路制造，特别是涉及一种套刻对准标记及套刻偏移的测量方法。
技术介绍
1、在现有的半导体加工工艺中，从硅片到晶圆的过程中需要经过多次的光刻掩膜。为了保证最终形成的晶圆良率，各层掩膜图形都要进行精确对准，即套刻对准。而为了光刻过程中的层叠和对准，在光刻工艺中通常会设置一系列标记，这些标记也被称为套刻精度检测图形，从而通过对套刻精度检测图形进行光学对准以实现晶圆的层与层之间的对准。
2、现有技术中套刻精度检测图形的结构一般是先进图像量度型(aim)、内外条型(bar in bar)、内外箱型(box in box)几种图形类型。以上的几种图形类型均是采用方形定位图形的组合，通过x/y两个维度方向的偏移量来进行偏移量的检测，计算overlay误差值，但在使用过程中发现，以上的几种图形类型的设计尺寸一般为10到40μm不等，较大的尺寸设计使得其通常摆放在十字划片槽，从而占用较大的芯片空间，且只能用于测量曝光区域间的overlay误差值，无法实现对曝光区域内部的overlay误差值的测量，并且以上的几种图形类型的辨识度较低，实际生产中也会有一定出错的可能性。
3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的，不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、鉴于以上现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种套
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种套刻对准标记，所述套刻对准标记包括：
3、前层标记区，设置于晶圆衬底的前层，所述前层标记区上设置有第一标记、第二标记和第三标记，其中，所述第一标记、所述第二标记与所述第三标记的中心点互相连线形成三角形形状的第一套刻图形；
4、当层标记区，设置于所述晶圆衬底的当层，所述当层标记区上设置有第四标记、第五标记和第六标记，其中，所述第四标记、所述第五标记与所述第六标记的中心点互相连线形成三角形形状的第二套刻图形；
5、通过量测所述第一套刻图形和所述第二套刻图形的中心点在x方向和y方向的偏移量，得出所述晶圆衬底的当层相对于所述晶圆衬底的前层的套刻误差值。
6、可选地，所述第一套刻图形和所述第二套刻图形均呈正三角形设置。
7、可选地，所述第一标记、所述第二标记、所述第三标记、所述第四标记、所述第五标记以及所述第六标记呈正方形设置，且所述正方形的边长为1～20μm。
8、可选地，所述第一标记、所述第二标记与所述第三标记具有相等的边长，所述第四标记、所述第五标记与所述第六标记具有相等的边长。
9、可选地，所述第二套刻图形相对于所述第一套刻图形呈比例缩小，且当所述前层标记区与所述当层标记区的套刻误差值等于0时，所述第一套刻图形的中心和所述第二套刻图形的中心发生重合。
10、可选地，所述套刻对准标记设置于所述晶圆衬底上的划片槽中或设置于所述晶圆衬底上的无源区域中。
11、本专利技术还提供一种套刻偏移的测量方法，利用上述所提到的套刻对准标记进行，包括如下步骤：
12、以第一套刻图形的中心点为原点，建立直角坐标系，利用测量仪量测第三标记的中心与第六标记的中心在x方向上的距离w1，量测第一标记的中心与第四标记的中心在x方向上的距离w2；
13、利用测量仪量测第三标记的中心与第六标记的中心在y方向上的距离w3，量测第二标记的中心与第五标记的中心在y方向上的距离w4；
14、通过计算得出第一套刻图形的中心与第二套刻图形的中心在x方向和y方向上的偏移量，以得出所述晶圆衬底的当层相对于所述晶圆衬底的前层的套刻误差值，其中：ovlx＝(w1-w2)/2，ovly＝(w3-w4)/2。
15、可选地，所述测量方法可应用在28nm以及以下的制程中。
16、如上，本专利技术的套刻对准标记及套刻偏移的测量方法，与现有技术相比，具有以下有益效果：
17、本专利技术所提出的套刻对准标记的尺寸较小从而无须占用较大的芯片空间，此外使得其不仅可以摆放在划片槽中实现对曝光区域间的overlay误差值的测量，还能够摆放在晶圆衬底上的无源区域中实现对曝光区域的overlay误差值的测量，满足更广泛的制程需求，进一步地，通过采用正三角形排列的套刻图形，提高了半导体制造过程中的对准精度。
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1.一种套刻对准标记，其特征在于，所述套刻对准标记包括：
2.根据权利要求1所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一套刻图形和所述第二套刻图形均呈正三角形设置。
3.根据权利要求1所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一标记、所述第二标记、所述第三标记、所述第四标记、所述第五标记以及所述第六标记呈正方形设置，且所述正方形的边长为1～20μm。
4.根据权利要求3所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一标记、所述第二标记与所述第三标记具有相等的边长，所述第四标记、所述第五标记与所述第六标记具有相等的边长。
5.根据权利要求1所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第二套刻图形相对于所述第一套刻图形呈比例缩小，且当所述前层标记区与所述当层标记区的套刻误差值等于0时，所述第一套刻图形的中心和所述第二套刻图形的中心发生重合。
6.根据权利要求1所述的套刻对准标记，其特征在于，所述套刻对准标记设置于所述晶圆衬底上的切割道或设置于所述晶圆衬底上的无源区域中。
7.一种套刻偏移的测量方法，其特征在于，利用如权利要求1～6中任意
8.根据权利要求7所述的套刻偏移的测量方法，其特征在于，所述测量方法可应用在28nm以及以下的制程中。
...【技术特征摘要】
1.一种套刻对准标记，其特征在于，所述套刻对准标记包括：
2.根据权利要求1所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一套刻图形和所述第二套刻图形均呈正三角形设置。
3.根据权利要求1所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一标记、所述第二标记、所述第三标记、所述第四标记、所述第五标记以及所述第六标记呈正方形设置，且所述正方形的边长为1～20μm。
4.根据权利要求3所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一标记、所述第二标记与所述第三标记具有相等的边长，所述第四标记、所述第五标记与所述第六标记具有相等的边长。
5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：高钊，林定群，方震宇，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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