【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片封装，尤其涉及芯片封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着人们对电子产品功能更完善的不断追求，集成电路集成度越来越高，芯片i/o数量不断增多，系统模块的集成度也越来越高，这就迫使芯片(ic)级封装与线路板(pcb)级封装技术联系越来越密切，从而埋入封装(embedded component packaging)方式应运而生，但对于gan芯片而言，工作温度更好，需要借助更好的散热设计才能发挥其优异性能。
2、目前相关技术中，芯片封装结构中的芯片主要依靠导热胶、盲孔、绝缘金属板，或者埋嵌铜层进行散热。然而，相对于gan芯片，上述相关技术中，芯片封装结构的散热效果均无法满足gan芯片的工作温度，从而影响芯片正常工作，使得芯片无法发挥其更高的功率密度。此外，目前相关技术中，芯片封装结构中的散热路径为垂直散热路径，也即是，从芯片封装结构的顶部到芯片封装结构的底部的散热路径。
3、然而，由于在gan芯片封装结构中，gan芯片的周围设置了树脂层用以保护芯片，然而，由于树脂层的导热系数较低，因此，相关技术中的芯片封装结构无法实现芯片的三维高效散热。
技术实现思路
1、本申请提供一种芯片封装结构，旨在解决相关技术中芯片封装结构存在散热性差的问题。
2、第一方面，本申请提供了一种芯片封装结构，包括：
3、基底；
4、第一散热层，所述第一散热层设置在所述基底上，且所述第一散热层上设置有第一凹槽；
5、第二散热层，所述
6、烧结层，所述烧结层设置在所述第二散热层远离所述基底的一侧；
7、其中，所述烧结层的材料包括铜。
8、在一些实施例中，所述烧结层远离所述第二散热层的一侧设置有第二凹槽，所述第一散热层位于所述第二凹槽中；
9、和/或，所述第二散热层远离所述基底的一侧设置有第三凹槽，所述烧结层位于所述第三凹槽中。
10、在一些实施例中，所述芯片封装结构，还包括：第一导热层、导电部，以及第二导热层；所述导电部设置在所述基底与所述第一导热层之间；
11、所述第一导热层设置在所述导电部与所述第二导热层之间；
12、所述第二导热层包括第一导热部和第二导热部，所述第一导热部设置在所述芯片远离所述第二导热层的一侧；所述第二导热部设置在所述第一导热部与所述基底之间。
13、在一些实施例中，所述芯片封装结构，还包括：
14、多个焊盘，多个所述焊盘分别设置在所述芯片远离所述第一导热层一侧的表面；和/或，所述焊盘的材料为铜；
15、导电层，所述导电层设置在所述第二导热层远离所述所述芯片的一侧；所述导电层靠近所述第二导热层的一侧设置有至少一个导电柱；
16、所述导电柱与所述焊盘电连接，且所述导电柱在所述基底上的正投影与所述焊盘在所述基底上的正投影重合。
17、在一些实施例中，所述芯片封装结构，还包括：
18、第一阻焊层，所述第一阻焊层设置在所述基底远离所述芯片的一侧；
19、其中，所述第一阻焊层设置有第一通孔，所述第一通孔在所述基底上的正投影覆盖所述第二导热层在所述基底上的正投影；
20、和/或，
21、第二阻焊层，所述第二阻焊层设置在所述导电层远离所述芯片的一侧；
22、所述第二阻焊层上设置有第二通孔，所述第二通孔在所述基底上的正投影覆盖所述芯片在所述基底上的正投影。
23、在一些实施例中，所述芯片封装结构，还包括：
24、第一抗氧化层，所述第一抗氧化层设置在所述基底远离所述芯片的一侧，并位于所述第一通孔中；
25、和/或，
26、第二抗氧化层，所述第二抗氧化层设置在所述导电层远离所述芯片的一侧，并位于所述第二通孔中。
27、在一些实施例中，所述芯片的长度范围为[3um，10um]；所述芯片的宽度范围为[2um，10um]；所述芯片的高度范围为[200um，500um]。
28、在一些实施例中，所述第三凹槽的长度范围为[53um，60um]；所述第三凹槽的宽度范围为[52um，60um]；所述第三凹槽的高度范围为[200um，500um]。
29、在一些实施例中，所述第一导热层的材料包括：铜；和/或，所述第二导热层的材料包括：铜。
30、在本申请实施例中，烧结层的材料均可以选取铜。这种设置方式，可以使得芯片在工作时产生的热量通过具有高导热系数的第一散热层、烧结层，以及第二散热层传导至基底，从而进行高效的散热。
31、此外，在本申请实施例中，第一散热层上设置有第一凹槽，且芯片位于第一凹槽中。这种将芯片设置在第一凹槽中的设置方式，可以使得第一散热层对芯片产生的热量从凹槽的侧壁、底壁分别向多个方向进行散热，从而实现芯片封装结构的三维高效散热。
32、第二方面，本申请还提供了一种芯片封装结构的制备方法，包括：
33、利用磁控溅射工艺，在所述芯片的底部和侧边形成第一散热层；
34、利用铜块制作第二散热层；
35、利用无压烧结工艺，将所述第一散热层与所述第二散热层之间填充的烧结材料进行烧结，形成烧结层；其中，所述烧结层的材料包括铜。
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1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：第一导热层、导电部，以及第二导热层；所述导电部设置在所述基底与所述第一导热层之间；
4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片的长度范围为[3um，10um]；所述芯片的宽度范围为[2um，10um]；所述芯片的高度范围为[200um，500um]。
8.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第三凹槽的长度范围为[53um，60um]；所述第三凹槽的宽度范围为[52um，60um]；所述第三凹槽的高度范围为[200um，500um]。
9.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一导热层的材料包括：铜；和/或，所述第二导
10.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：第一导热层、导电部，以及第二导热层；所述导电部设置在所述基底与所述第一导热层之间；
4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王景峰，王文博，王曦，李晓琪，张若蒙，王磊，李雯钰，潘成兵，
申请(专利权)人：甬江实验室，
类型：发明
国别省市：
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