【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、电子设备制造工艺可能涉及材料沉积、图案化及移除的许多步骤，以在衬底上形成集成电路。可利用多种方法来处理材料膜以形成集成电路。例如，可利用原子层沉积(ald)以逐层方式在衬底上形成膜。作为另一示例，可执行溅射以通过用气相离子撞击衬底而从衬底去除材料。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
，以利用简化的形式来介绍概念的选择，其将在以下的具体实施方式中进一步描述。本
技术实现思路
不意图识别所要求保护的主题的关键特征或基本特征，也不意图用于限制所要求保护的主题的范围。此外，所要求保护的主题不限于解决本公开内容的任何部分中所提到的任何或所有缺点的实现方案。
2、公开了涉及在原子层沉积工具中使用原位溅射以在ald沉积工艺中于衬底中形成有角表面特征的示例。一示例提供了一种在集成电路制造工艺中于衬底上形成有角表面特征的方法。所述方法包括将所述衬底放置于原子层沉积(ald)工具的处理室中。所述方法还包括控制所述ald工具以通过执行一个或更多个ald循环而在所述衬底上形成膜。所述方法还包括控制所述ald工具来溅射所述膜以形成所述有角表面特征。
3、在一些这样的示例中，所述一个或更多个ald循环中的ald循环包括：将膜前体引入所述处理室中以使所述膜前体吸附在所述衬底上，清扫所述处理室，将反应物引入所述处理室中，以及通过形成包含所述反应物的等离子体而使所述膜前体与所述反应物反应，以形成所述膜。
4、在一些这样的示例中，控制所述ald工具来溅射所述膜额外地或
5、在一些这样的示例中，所述方法还额外地或替代地包括控制所述ald工具以利用较低频率分量与较高频率分量来形成所述等离子体。
6、在一些这样的示例中，所述控制所述ald工具来溅射所述膜额外地或替代地包括：在所述ald工具中执行与所述一个或更多个ald循环分开的溅射循环。
7、在一些这样的示例中，所述有角表面特征额外地或替代地包括在空隙上方的凹部。
8、在一些这样的示例中，所述有角表面特征额外地或替代地包括在间隙的衬层中的斜部。
9、在一些这样的示例中，控制所述ald工具来溅射所述膜额外地或替代地包括：形成包含惰性气体与氢的等离子体。
10、在一些这样的示例中，控制所述ald工具来溅射所述膜额外地或替代地包括：控制所述处理工具以将衬底加热器加热至50℃至1000℃范围内的温度。
11、在一些这样的示例中，控制所述ald工具来溅射所述膜额外地或替代地包括：控制所述ald工具以在溅射期间将所述处理室内的压强维持在8托或更低。
12、另一示例提供了一种原子层沉积(ald)工具。所述ald工具包括处理室。所述ald工具还包括：衬底支撑件，其被设置于所述处理室中。所述ald工具还包括：膜前体源，其包括膜前体。所述ald工具还包括：反应物气体源，其包含反应物。所述ald工具还包括：惰性气体源，其包含惰性气体。所述ald工具还包括：流量控制硬件，其被配置成控制膜前体、反应物和惰性气体进入所述处理室的流量。所述ald工具还包括：射频功率源，其能操作以在所述处理室中形成等离子体。所述ald工具还包括控制器，其被配置成：控制所述流量控制硬件和所述射频功率源来执行一个或更多个ald循环以在被放置于所述衬底支撑件上的衬底上形成膜。所述控制器还被配置成：控制所述流量控制硬件和所述射频功率源来执行一个或更多个溅射循环以溅射所述膜而形成有角表面特征，所述一个或更多个溅射循环与所述一个或更多个ald循环分开。
13、在一些这样的示例中，所述ald工具还包括包含氢气的氢气源，并且所述控制器还被配置成控制所述流量控制硬件以将所述惰性气体与所述氢气引入所述处理室中，并控制所述射频功率源以形成包含所述惰性气体与所述氢气的等离子体。
14、在一些这样的示例中，所述射频功率源额外地或替代地被配置成供应包括较低频率分量与较高频率分量的射频功率。
15、在一些这样的示例中，所述ald工具还额外地或替代地包括排放系统，且所述控制器还被配置成控制所述流量控制硬件和所述排放系统以在所述一个或更多个溅射循环期间将所述处理室内的压强维持在8托或更低。
16、在一些这样的示例中，所述控制器还额外地或替代地被配置成在所述一个或更多个ald循环中的至少一个ald循环期间溅射所述膜。
17、在一些这样的示例中，所述ald工具还额外地或替代地包括衬底加热器，并且所述控制器被配置成将所述衬底加热器加热至50℃至1000℃范围内的温度。
18、在一些这样的示例中，所述控制器还额外地或替代地被配置成在控制所述射频功率源以熄灭所述等离子体之后清扫所述室。
19、在一些这样的示例中，所述流量控制硬件额外地或替代地被配置成通过处理化学物质出口将所述惰性气体引入所述处理室中，所述处理化学物质出口与所述衬底隔开0.2英寸至0.8英寸范围内的间距。
20、另一示例提供了一种原子层沉积(ald)工具，其包括处理室。所述ald工具还包括：衬底支撑件，其被设置于所述处理室中。所述ald工具还包括：一个或更多个膜前体源，其包括一种或更多种膜前体。所述ald工具还包括：惰性气体源，其包含惰性气体。所述ald工具还包括：一个或更多个反应物源，其包含一种或更多种反应物。所述ald工具还包括：流量控制硬件，其被配置成控制所述一种或更多种膜前体、所述一种或更多种反应物和所述惰性气体进入所述处理室的流量。所述ald工具还包括：射频功率源和电极对，其被配置成在所述处理室中形成等离子体。所述ald工具还包括控制器，其被配置成：控制所述流量控制硬件和所述射频功率源来执行具有溅射的一个或更多个ald循环以在被放置于所述衬底支撑件上的衬底上形成膜并形成所述膜的有角表面特征。
21、在一些这样的示例中，所述一种或更多种反应物包括含氮前体。
22、在一些这样的示例中，所述一种或更多种反应物额外地或替代地包括氧化剂。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种在集成电路制造工艺中于衬底上形成有角表面特征的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或更多个ALD循环中的ALD循环包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中控制所述ALD工具来溅射所述膜包括：使用所述等离子体中的离子在所述ALD循环内溅射所述膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其还包括控制所述ALD工具以利用较低频率分量与较高频率分量来形成所述等离子体。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述控制所述ALD工具来溅射所述膜包括：在所述ALD工具中执行与所述一个或更多个ALD循环分开的溅射循环。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述有角表面特征包括在空隙上方的凹部。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述有角表面特征包括在间隙的衬层中的斜部。
8.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述ALD工具来溅射所述膜包括：形成包含惰性气体与氢的等离子体。
9.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述ALD工具来溅射所述膜包括：控制所述处理工具以将衬底加热器加热至
10.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述ALD工具来溅射所述膜包括：控制所述ALD工具以在溅射期间将所述处理室内的压强维持在8托或更低。
11.一种原子层沉积(ALD)工具，其包括：
12.根据权利要求11所述的ALD工具，其还包括包含氢气的氢气源，其中所述控制器还被配置成控制所述流量控制硬件以将所述惰性气体与所述氢气引入所述处理室中，并控制所述射频功率源以形成包含所述惰性气体与所述氢气的等离子体。
13.根据权利要求11所述的ALD工具，其中所述射频功率源被配置成供应包括较低频率分量与较高频率分量的射频功率。
14.根据权利要求11所述的ALD工具，其还包括排放系统，且所述控制器还被配置成控制所述流量控制硬件和所述排放系统以在所述一个或更多个溅射循环期间将所述处理室内的压强维持在8托或更低。
15.根据权利要求11所述的ALD工具，其中所述控制器还被配置成在所述一个或更多个ALD循环中的至少一个ALD循环期间溅射所述膜。
16.根据权利要求11所述的ALD工具，其还包括衬底加热器，其中所述控制器被配置成将所述衬底加热器加热至50℃至1000℃范围内的温度。
17.根据权利要求11所述的ALD工具，其中所述控制器还被配置成在控制所述射频功率源以熄灭所述等离子体之后清扫所述室。
18.根据权利要求11所述的ALD工具，其中所述流量控制硬件被配置成通过处理化学物质出口将所述惰性气体引入所述处理室中，所述处理化学物质出口与所述衬底隔开0.2英寸至0.8英寸范围内的间距。
19.一种原子层沉积(ALD)工具，其包括：
20.根据权利要求19所述的ALD工具，其中所述一种或更多种反应物包括含氮前体。
21.根据权利要求19所述的ALD工具，其中所述一种或更多种反应物包括氧化剂。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种在集成电路制造工艺中于衬底上形成有角表面特征的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或更多个ald循环中的ald循环包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中控制所述ald工具来溅射所述膜包括：使用所述等离子体中的离子在所述ald循环内溅射所述膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其还包括控制所述ald工具以利用较低频率分量与较高频率分量来形成所述等离子体。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述控制所述ald工具来溅射所述膜包括：在所述ald工具中执行与所述一个或更多个ald循环分开的溅射循环。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述有角表面特征包括在空隙上方的凹部。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述有角表面特征包括在间隙的衬层中的斜部。
8.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述ald工具来溅射所述膜包括：形成包含惰性气体与氢的等离子体。
9.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述ald工具来溅射所述膜包括：控制所述处理工具以将衬底加热器加热至50℃至1000℃范围内的温度。
10.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述ald工具来溅射所述膜包括：控制所述ald工具以在溅射期间将所述处理室内的压强维持在8托或更低。
11.一种原子层沉积(ald)工具，其包括：
12.根据权利要求11所述的ald工具，其还包括包含氢气的氢气源，其中所述控制器还...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔纳森·格兰特·贝克，普尔凯特·阿加瓦尔，刘培基，蒋更玮，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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