【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、目前半导体装置和用于制造半导体装置的方法是不足的，例如导致制造过程太耗时及/或太昂贵，导致具有不可靠连接及/或具有次优尺寸的互连结构等的半导体封装。通过将这些方法与在本专利技术的其余部分中参考附图所阐述的揭露内容进行比较，常规和传统方法的进一步限制和缺点将对本领域技术人士而言变得显而易见。
技术实现思路
1、本专利技术的各个态样提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。作为非限制性范例，本专利技术的各个态样提供了包括堆叠晶粒结构的半导体装置及其制造方法。
2、本专利技术的一态样为一种半导体装置，包括：第一基板；第一金属柱，其在所述第一基板的第一侧上；第一半导体晶粒，其耦合到所述第一基板的所述第一侧；第二金属柱，其在所述第一金属柱上；第二半导体晶粒，其耦合到所述第一半导体晶粒；第二基板，其在所述第二金属柱上和所述第二半导体晶粒上；以及囊封材料，其在所述第一基板和所述第二基板之间且至少囊封所述第一金属柱、所述第一半导体晶粒、所述第二金属柱和所述第二半导体晶粒中的每一个的一侧。
3、在前述态样中，所述囊封材料包括：第一囊封材料，其中自所述第一基板起算，所述第一囊封材料具有与所述第一金属柱相同的高度；以及第二囊封材料，其中自所述第二基板起算，所述第二囊封材料具有与所述第二金属柱相同的高度。
4、在前述态样中，所述第一囊封材料和所述第二囊封材料由相同的材料形成。
5、在前述态样中，自所述第一基
6、在前述态样中，所述囊封材料是单一连续材料层。
7、在前述态样中，所述半导体装置包括将所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒彼此耦合的粘着构件。
8、在前述态样中，所述囊封材料包括：第一囊封材料，其中自所述第一基板起算，所述第一囊封材料具有与所述第一金属柱相同的高度；以及第二囊封材料，其围绕所述粘着构件。
9、在前述态样中，自所述第二基板起算，所述粘着构件具有与所述第二囊封材料相同的高度。
10、在前述态样中，所述第一半导体晶粒的作用侧至少通过所述第一基板、所述第一金属柱、所述第二金属柱和所述第二基板而电性耦合到所述第二半导体晶粒的作用侧。
11、在前述态样中，所述第一金属柱和所述第二金属柱在与所述第一金属柱和所述第二金属柱堆叠的堆叠方向垂直的方向上彼此偏移；以及所述半导体装置包括柱重新分布结构，所述第一金属柱和所述第二金属柱通过所述柱重新分布结构电性连接。
12、在前述态样中，所述囊封材料包括：第一囊封材料，其中自所述第一基板起算，所述第一囊封材料具有与所述第一金属柱相同的高度；以及第二囊封材料，其在所述第一囊封材料和所述第二基板之间，其中所述柱重新分布结构在所述第一囊封材料之上，并且所述柱重新分布结构的至少一部分嵌入所述第二囊封材料中。
13、在前述态样中，所述第二半导体晶粒的中心在与所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒堆叠的堆叠方向垂直的方向上从所述第一半导体晶粒的中心位移。
14、在前述态样中，在所述第一金属柱和所述第二金属柱之间没有中间层。
15、本专利技术的另一态样为一种半导体装置，包括：第一基板；第一金属柱，其被镀在所述第一基板的第一侧上；第一半导体晶粒，包括：第一侧，其背离所述基板；以及第二侧，其面向所述基板且包括用多个导电凸块连接到所述基板的所述第一侧的多个衬垫；第二金属柱，其被镀在所述第一金属柱上；第二半导体晶粒，包括：第一侧，其背离所述第一半导体晶粒且包括多个衬垫；以及第二侧，其耦合到所述第一半导体晶粒的所述第一侧；第二基板，包括：第一侧，其背离所述第二半导体晶粒；以及第二侧，其面向所述第一半导体晶粒且包括连接到所述第二半导体晶粒的所述多个衬垫的导电层；以及囊封材料，其在所述第一基板和所述第二基板之间并且至少囊封所述第一金属柱、所述第一半导体晶粒、所述第二金属柱和所述第二半导体晶粒的横向侧。
16、在前述另一态样中，所述囊封材料包括：第一囊封材料，其中自所述第一基板起算，所述第一囊封材料具有与所述第一金属柱相同的高度；以及第二囊封材料，其完全在所述第一囊封材料和所述第二基板之间延伸。
17、在前述另一态样中，所述半导体装置包括将所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒彼此耦合的粘着构件。
18、在前述另一态样中，所述囊封材料包括：第一囊封材料；以及第二囊封材料，其中自所述第二基板起算，所述第二囊封材料具有与所述粘着构件相同的高度。
19、在前述另一态样中，所述第二金属柱直接镀在所述第一金属柱上。
20、在前述另一态样中，所述半导体装置包括柱重新分布结构，其中所述第一金属柱和所述第二金属柱通过所述柱重新分布结构而电性连接。
21、本专利技术的又一态样为一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供第一基板；在所述第一基板的第一侧上形成第一金属柱；将第一半导体晶粒耦合到所述第一基板的所述第一侧；在所述第一金属柱上形成第二金属柱；将第二半导体晶粒耦合到所述第一半导体晶粒；在所述第二金属柱上和所述第二半导体晶粒上形成第二基板；以及在所述第一基板和所述第二基板之间形成囊封材料，所述囊封材料至少囊封所述第一金属柱、所述第一半导体晶粒、所述第二金属柱和所述第二半导体晶粒中的每一个的一侧。
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1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述垂直互连包括金属柱。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述垂直互连横跨所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中所述垂直互连横跨所述囊封材料。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述垂直互连包括第一金属的第一部分，以及所述第一部分上的第二金属的第二部分。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一金属包括铜，而所述第二金属包括焊料。
7.一种半导体装置，包括：
8.一种半导体装置，包括：
9.一种半导体装置，包括：
10.一种半导体装置，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述垂直互连包括金属柱。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述垂直互连横跨所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中所述垂直互连横跨所述囊封材料。
5.如权利要求1所述的半导体装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文古，杜旺朱，易吉寒，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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