System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 晶圆边缘处理装置制造方法及图纸_技高网

晶圆边缘处理装置制造方法及图纸

技术编号:44932695 阅读:3 留言:0更新日期:2025-04-08 19:14
本发明专利技术涉及半导体制造技术领域,提供了一种晶圆边缘处理装置,包括:姿态调整单元和执行单元;所述姿态调整单元用于支撑于晶圆的外周并驱使所述晶圆自转;所述执行单元设置于所述姿态调整单元,用于在所述晶圆自转时对所述晶圆的边缘操作。该装置支撑于晶圆的外周并可驱动晶圆自转,在晶圆自转过程中可对晶圆的边缘进行处理,简化晶圆处理过程,且也可避免人工接触对晶圆的污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造,特别涉及一种晶圆边缘处理装置


技术介绍

1、在半导体制造中,通常需要对晶圆的边缘进行处理。

2、例如在晶圆的物理气相沉积(pvd)工艺中,需要通过一环形件对晶圆边缘进行压边固定,压边要求均匀(压于晶圆边缘的径向尺寸保持一致),故需要监控压边情况。其通常处理手段是在晶圆执行完物理气相沉积工艺后,测量晶圆的边缘的环形区域(由于晶圆边缘被压边,被压边的位置无法沉积,因此会产生环形的显著区域)的尺寸。现有的测量手段是通过人工进行测量,起始位置需要人工肉眼判断,影响测量精度,且测量过程中通常要求避免手部接触晶圆,防止对晶圆污染。这导致人工测量过程中较为困难,存在较大不确定性,且容易划伤晶圆表面。而且测量过程中需要将晶圆从晶舟取出放置在某一平整位置测量(一般放置无尘本),没有固定检测放置位置,增加晶圆测量的不确定性以及划伤破片等风险。

3、又如,通常晶圆的边缘会有毛刺残胶,在进行物理气相沉积工艺前,需要对边缘进行清理。现有的处理方式通常是人工手持刀具进行清理,该清理过程同样具有较大的划伤破片风险。

4、为此本专利技术提供一种晶圆边缘处理装置,以改善上述处理晶圆边缘时的技术问题。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆边缘处理装置,该装置支撑于晶圆的外周并可驱动晶圆自转,在晶圆自转过程中可对晶圆的边缘进行处理,简化晶圆处理过程,且也可避免人工接触对晶圆的污染。

2、本专利技术提供了一种晶圆边缘处理装置,包括:姿态调整单元和执行单元;所述姿态调整单元用于支撑于晶圆的外周并驱使所述晶圆自转;所述执行单元设置于所述姿态调整单元,用于在所述晶圆自转时对所述晶圆的边缘操作。通过姿态调整单元支撑于晶圆外周面并可带动晶圆自转,以方便执行单元对晶圆的边缘进行处理(例如测量、去胶、去毛刺或者清洁)。通过晶圆边缘处理装置的设置可配合现有的晶圆架使用,一方面可以实现晶圆的批量次处理,另一方面在晶圆的转移以及边缘处理过程均不需要手动接触晶圆,可防止对晶圆污染。通过设置执行单元执行晶圆边缘的处理操作,利于实现边缘处理的标准化,降低由于人为操作因素导致的不确定性,有助于提高处理精度并且降低晶圆划伤破片的风险。上述晶圆边缘处理装置,操作过程较为简单,有助于提高晶圆边缘处理的效率,且晶圆边缘处理时具有特定的放置位置,可改善现有手动处理时,晶圆放置位置随机导致的处理精度不确定的现象。

3、可选地,所述姿态调整单元包括调整件,所述调整件用于支撑所述晶圆的外周,所述调整件转动的设置以驱使所述晶圆自转。姿态调整组件通过转动的方式带动晶圆转动,一方面可适配现有晶圆的形状,便于对晶圆周向位置的调整,且并与配合现有晶圆架使用实现晶圆批量次处理,另一方面也利于提高晶圆转动精度。

4、可选地,所述调整件包括第一转轴和第二转轴,所述第一转轴和所述第二转轴绕其自身中轴线转动的设置,所述第一转轴和所述第二转轴平行设置。

5、可选地,所述执行单元包括执行件,所述执行件运动的设置于所述姿态调整单元。

6、可选地,所述姿态调整单元包括调整件时,

7、所述执行件沿平行于所述调整件的转动中轴线的方向相对所述姿态调整单元运动。执行件的该运动方式是为了执行件适配于晶圆架中的各晶圆的位置,以对各个晶圆执行相应的处理操作。

8、可选地,所述执行单元还包括支架,所述支架设置于所述姿态调整单元,所述执行件运动的设置于所述支架。

9、可选地,所述支架包括固定支架和活动支架,所述固定支架固定设置于所述姿态调整单元,所述活动支架运动的设置于所述固定支架,所述执行件运动的设置于所述活动支架。

10、可选地,所述活动支架转动的设置于所述固定支架;

11、和/或,所述活动支架呈杆式结构,所述执行件滑动的套设于所述活动支架。

12、可选地,所述执行单元还包括锁定件,所述锁定件设置于所述活动支架和/或所述执行件,用于锁定所述执行件相对所述活动支架的位置。

13、可选地,所述执行件的至少一部分为刻度尺或刀具。

14、综上所述,晶圆边缘处理装置,包括:姿态调整单元和执行单元;所述姿态调整单元用于支撑于晶圆的外周并驱使所述晶圆自转;所述执行单元设置于所述姿态调整单元,用于在所述晶圆自转时对所述晶圆的边缘操作。

15、如此配置,本专利技术中的晶圆边缘处理装置,通过姿态调整单元支撑于晶圆外周面并可带动晶圆自转,以方便执行单元对晶圆的边缘进行处理(例如测量、去胶、去毛刺或者清洁)。通过晶圆边缘处理装置的设置可配合现有的晶圆架使用,一方面可以实现晶圆的批量次处理,另一方面在晶圆的转移以及边缘处理过程均不需要手动接触晶圆,可防止对晶圆污染。通过设置执行单元执行晶圆边缘的处理操作,利于实现边缘处理的标准化,降低由于人为操作因素导致的不确定性,有助于提高处理精度并且降低晶圆划伤破片的风险。

16、上述晶圆边缘处理装置,操作过程较为简单,有助于提高晶圆边缘处理的效率,且晶圆边缘处理时具有特定的放置位置,可改善现有手动处理时,晶圆放置位置随机导致的处理精度不确定的现象。

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【技术保护点】

1.一种晶圆边缘处理装置,其特征在于,包括:姿态调整单元和执行单元;

2.如权利要求1所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述姿态调整单元包括调整件,所述调整件用于支撑所述晶圆的外周,所述调整件转动的设置以驱使所述晶圆自转。

3.如权利要求2所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述调整件包括第一转轴和第二转轴,所述第一转轴绕和所述第二转轴绕其自身中轴线转动的设置,所述第一转轴和所述第二转轴平行设置。

4.如权利要求1至3任意一项所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述执行单元包括执行件,所述执行件运动的设置于所述姿态调整单元。

5.如权利要求4所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述姿态调整单元包括调整件时,

6.如权利要求4所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述执行单元还包括支架,所述支架设置于所述姿态调整单元,所述执行件运动的设置于所述支架。

7.如权利要求6所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述支架包括固定支架和活动支架,所述固定支架固定设置于所述姿态调整单元,所述活动支架运动的设置于所述固定支架,所述执行件运动的设置于所述活动支架。

8.如权利要求7所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述活动支架转动的设置于所述固定支架;

9.如权利要求7所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述执行单元还包括锁定件,所述锁定件设置于所述活动支架和/或所述执行件,用于锁定所述执行件相对所述活动支架的位置。

10.如权利要求4所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述执行件的至少一部分为刻度尺或刀具。

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【技术特征摘要】

1.一种晶圆边缘处理装置,其特征在于,包括:姿态调整单元和执行单元;

2.如权利要求1所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述姿态调整单元包括调整件,所述调整件用于支撑所述晶圆的外周,所述调整件转动的设置以驱使所述晶圆自转。

3.如权利要求2所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述调整件包括第一转轴和第二转轴,所述第一转轴绕和所述第二转轴绕其自身中轴线转动的设置,所述第一转轴和所述第二转轴平行设置。

4.如权利要求1至3任意一项所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述执行单元包括执行件,所述执行件运动的设置于所述姿态调整单元。

5.如权利要求4所述的晶圆边缘处理装置,其特征在于,所述姿态调整单元包括调整件时,

6.如权利要求4所述的晶圆边缘处...

【专利技术属性】
技术研发人员:周晓楠周建鹏潘丽锋童许樑
申请(专利权)人:芯联集成电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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