本发明专利技术的实施例提供了基于端封的硅电容器及其制造方法、制造设备，该基于端封的硅电容器及其制造方法可以包括：基于端封工艺确定对晶圆进行与端封工艺相对应的划片处理，并在划片处理和与划片处理相对应端封工艺都完成后进行电镀处理；在物理气相沉积溅射工艺的情况下或者在沾浆工艺的情况下进行不同的电镀，制造得到基于端封的硅电容器。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种基于端封的硅电容器及其制造方法、制造设备。
技术介绍
1、硅电容器，凭借半导体工艺制造，具有体积小、容量密度高、可靠性好以及寿命长等显著优势。现有的封装方式主要包括垂直式和水平式两种，内部电极的引出则采用共面或异面方式。在完成封装后，硅电容器的后续装配和使用需要通过粘接和打线的方式，或者在硅电容器的焊盘pad上进行植球处理后进行贴装。
2、针对于此，现有技术中的硅电容封装结构存在以下问题：电极仅能从硅电容表面引出，难以与端面连接，因此双面结构硅电容必须依赖硅通孔tsv工艺实现互联，而这一制造工艺复杂，制造成本高；同时，粘接打线或植球工艺对操作设备和环境条件要求严格，操作流程繁琐。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种基于端封的硅电容器及其制造方法、制造设备，旨在至少解决以下技术问题：一方面，电极仅能从硅电容表面引出，难以与端面连接，因此双面结构硅电容必须依赖硅通孔tsv工艺实现互联，而这一制造工艺复杂，制造成本高；另一方面，粘接打线或植球工艺对操作设备和环境条件要求严格，操作流程繁琐。
2、具体地，本专利技术实施例提供了以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术的实施例提供一种基于端封的硅电容器的制造方法，包括：
4、基于端封工艺确定对晶圆进行与所述端封工艺相对应的划片处理，并在所述划片处理和与所述划片处理相对应端封工艺都完成后进行电镀处理，所述端封工艺包括物理气相沉积溅射工艺或沾浆工艺，
5、在所述物理气相沉积溅射工艺的情况下，
6、沿垂直于所述晶圆的上表面的方向，将所述晶圆划分为长条体的多个衬底，所述多个衬底中的每一个衬底被构造为具有上表面和下表面，所述上表面设有第一正面电极和第二正面电极，所述下表面设有第一背面电极和第二背面电极，所述第一正面电极沿所述衬底上靠近第一划片处理表面的一侧延伸设置，所述第二正面电极沿所述衬底上靠近第二划片处理表面的一侧延伸设置，所述第一背面电极沿所述衬底上靠近所述第一划片处理表面的一侧延伸设置，所述第二背面电极沿所述衬底上靠近所述第二划片处理表面的一侧延伸设置，所述第一正面电极和所述第二正面电极以预定间距间隔开，所述第一背面电极和所述第二背面电极以所述预定间距间隔开；将所述多个衬底堆叠和固定，以对齐所述多个衬底中的每一个的所述第一划片处理表面和所述第二划片处理表面；针对堆叠和固定后的所述多个衬底，通过所述物理气相沉积溅射工艺在所述第一划片处理表面上制备第一端面电极，以使所述第一端面电极将所述第一正面电极与所述第一背面电极互联，并且通过所述物理气相沉积溅射工艺在所述第二划片处理表面上制备第二端面电极，以使所述第二端面电极将所述第二正面电极与所述第二背面电极互联；通过所述划片处理，沿垂直于所述晶圆的上表面的方向，将通过所述物理气相沉积溅射工艺处理后的、堆叠的所述多个衬底进一步划分为长条体的多个硅电容颗粒；通过电镀处理，对所述多个硅电容颗粒中的每一个硅电容颗粒上的所述第一正面电极、所述第一端面电极、所述第一背面电极、所述第二正面电极、所述第二端面电极、所述第二背面电极进行电镀，以得到所述基于端封的硅电容器；
7、或者，
8、在所述沾浆工艺的情况下，
9、沿垂直于所述晶圆的上表面的方向，将所述晶圆划分为长条体的多个硅电容颗粒，所述多个硅电容颗粒中的每一个硅电容颗粒被构造为具有上表面或下表面中的至少一个，所述上表面设有第一正面电极和第二正面电极，所述下表面设有第一背面电极和第二背面电极，所述第一正面电极沿所述硅电容颗粒上靠近第一划片处理表面的一侧设置，所述第二正面电极沿所述硅电容颗粒上靠近第二划片处理表面的一侧设置，所述第一背面电极沿所述硅电容颗粒上靠近所述第一划片处理表面的一侧设置，所述第二背面电极沿所述硅电容颗粒上靠近所述第二划片处理表面的一侧设置，所述第一正面电极和所述第二正面电极以预定间距间隔开，所述第一背面电极和所述第二背面电极以所述预定间距间隔开；针对所述多个硅电容颗粒，通过所述沾浆工艺在所述第一划片处理表面上制备第一端面电极，以使所述第一端面电极将所述第一正面电极与所述第一背面电极互联，并且通过所述沾浆工艺在所述第二划片处理表面上制备第二端面电极，以使所述第二端面电极将所述第二正面电极与所述第二背面电极互联；通过电镀处理，对经所述沾浆工艺处理的所述每一个硅电容颗粒上的所述第一正面电极、所述第一端面电极、所述第一背面电极、所述第二正面电极、所述第二端面电极、所述第二背面电极进行电镀，并对所述每一个硅电容颗粒的两个侧面之中被第一正面电极、所述第一端面电极、所述第一背面电极所包围的第一部分侧面进行电镀，对所述每一个硅电容颗粒的两个侧面之中被第二正面电极、所述第二端面电极、所述第二背面电极所包围的第二部分侧面进行电镀，以得到所述基于端封的硅电容器物理气相沉积。
10、进一步地，本专利技术的实施例所提供的一种基于端封的硅电容器的制造方法包括：
11、所述第一正面电极、所述第二正面电极、所述第一背面电极、所述第二正面电极的尺寸相同；
12、所述第一正面电极、所述第二正面电极、所述第一背面电极、所述第二正面电极的材料包括铜、铝、金、银、铂、钯、铱、铜合金、铝合金、金合金、银合金、铂合金、钯合金、铱合金。
13、进一步地，本专利技术的实施例所提供的一种基于端封的硅电容器的制造方法包括：
14、在所述物理气相沉积溅射工艺中，
15、对所述第一划片处理表面和所述第二划片处理表面溅射第一溅射材料，
16、对溅射有第一溅射材料的所述第一划片处理表面和所述第二划片处理表面进一步溅射第二溅射材料；
17、在所述第一溅射材料和所述第二溅射材料溅射完成后，进一步执行退火处理。
18、进一步地，本专利技术的实施例所提供的一种基于端封的硅电容器的制造方法包括：
19、所述第一溅射材料至少包括钛、铬、钨、钛合金、铬合金、钨合金，
20、所述第二溅射材料至少包括镍、铂、钨、铜、铝、金、银、钯、铱、镍合金、铂合金、钨合金、铜合金、铝合金、金合金、银合金、钯合金、铱合金。
21、进一步地，本专利技术的实施例所提供的一种基于端封的硅电容器的制造方法包括：
22、在所述沾浆工艺中，
23、利用沾浆材料，对所述第一划片处理表面和所述第二划片处理表面进行沾浆处理；
24、对所述沾浆处理后的所述第一划片处理表面和所述第二划片处理表面进行烘干处理，以使所述沾浆材料固化。
25、进一步地，本专利技术的实施例所提供的一种基于端封的硅电容器的制造方法包括：
26、所述沾浆材料包括含有银离子或铜离子的溶液。
27、进一步地，本专利技术的实施例所提供的一种基于端封的硅电容器的制造方法包括：
28、所述电镀处理包括滚镀或离子镀。
29、进一步地，本专利技术的实施例所提供的一种基于端封的硅电容器的制造方本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
8.根据权利要求1至7任一条所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，在进行所述电镀之后，所述制造方法进一步包括：对所述基于端封的硅电容器进行表面贴装处理。
9.一种基于端封的硅电容器的制造设备，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至8任一条所述的基于端封的硅电容器的制造方法的步骤，以制造所述基于端封的硅电容器。
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p>10.一种基于端封的硅电容器，其特征在于，所述基于端封的硅电容器是根据如权利要求1至8任一条所述的硅电容器的制造方法，基于如权利要求9所述的基于端封的硅电容器的制造设备，制造得到的。...
【技术特征摘要】
1.一种基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基于端封的硅电容器的制造方法，其特征在于，
8.根据权利要求1至7任一条所述的基于端...
【专利技术属性】
技术研发人员：李萍，雷虎成，董世杰，褚伟航，张洋，谭惠文，李钊，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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