【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
1、近来，在电子产品市场上对便携式装置的需求一直在快速增加，并且因此，存在对安装在产品上的电子部件的小型化和轻量化的持续需求。在减小电子部件的尺寸和重量时，也一直需要提高电子部件中使用的半导体封装件的集成密度。
2、为了提高电子部件的缩放和集成密度，一直在积极地研究各种半导体封装技术。特别地，即使在制造过程或使用环境期间的热应力和外部冲击下，通过抑制再分布通路中的分层(delamination)或裂纹(crack)来维持封装可靠性的技术开发也变得至关重要。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种可靠性得以提高以防热应力和外部冲击的半导体封装件以及一种制造该半导体封装件的方法。
2、其他方面将在接下来的描述中被部分地阐述，并且部分地将根据描述而清楚，或者可以通过对所呈现的实施例的实践来习得。
3、根据示例实施例的一方面，一种半导体封装件可以包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有有源表面和无源表面的半导体基板、位于所述有源表面上的器件层、位于所述器件层上的第一芯片焊盘、以及穿透所述半导体基板的第一贯通电极和第二贯通电极，其中，至少一个所述第一芯片焊盘连接到所述第一贯通电极并且至少一个所述第一芯片焊盘连接到所述第二贯通电极；再分布结构，所述再分布结构包括位于所述半导体基板的所述无源表面上的再分布层以及连接到所述再分布层的再分布通路；接触焊盘，所述接触焊盘位于所述再分布结构的上表面上；
4、根据示例实施例的一方面，一种半导体封装件可以包括：第一再分布结构，所述第一再分布结构包括第一再分布层和连接到所述第一再分布层的第一再分布通路；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述第一再分布结构上并且包括连接到所述第一再分布层的芯片焊盘；模制部分，所述模制部分位于所述第一再分布结构上并且至少部分地围绕所述半导体芯片；第二再分布结构，所述第二再分布结构位于所述模制部分上，并且包括第二再分布层和连接到所述第二再分布层的第二再分布通路；接触焊盘，所述接触焊盘位于所述第二再分布结构的上表面上；以及第一垂直连接导体和第二垂直连接导体，所述第一垂直连接导体和所述第二垂直连接导体位于所述第一再分布结构上并且将所述第一再分布层连接到所述第二再分布层，其中，所述接触焊盘包括通过所述第二再分布层连接到所述第一垂直连接导体的第一接触焊盘和与所述第二垂直连接导体垂直交叠的第二接触焊盘，所述第一接触焊盘与所述第一垂直连接导体存在水平偏移，所述第二再分布结构还包括将所述第一接触焊盘连接到所述第二再分布层的接触通路，并且所述第二再分布结构还包括将所述第二接触焊盘连接到所述第二垂直连接导体的柱通路。
5、根据示例实施例的一方面，一种半导体封装件可以包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有有源表面和与所述有源表面相反的无源表面的半导体基板、位于所述有源表面上的器件层、位于所述器件层上的第一芯片焊盘、以及穿透所述半导体基板并且连接到所述第一芯片焊盘的贯通电极；再分布结构，所述再分布结构位于第一半导体芯片的所述无源表面上；第一接触焊盘和第二接触焊盘，所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘位于所述再分布结构的上表面上，其中，所述第二接触焊盘与所述贯通电极中的一个贯通电极垂直交叠；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述再分布结构上并且具有分别连接到所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘的第二芯片焊盘，其中，所述再分布结构包括位于所述第一半导体芯片的上表面上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的再分布层、穿透所述第一绝缘层并且将所述再分布层连接到所述贯通电极的再分布通路、以及位于所述第一绝缘层上并且至少部分地覆盖所述再分布层的第二绝缘层，所述第一接触焊盘位于所述第二绝缘层上，并且所述再分布结构还包括穿透所述第二绝缘层并且连接到所述再分布层的接触通路，并且所述第二接触焊盘位于所述第二绝缘层上，并且所述再分布结构还包括柱通路，所述柱通路穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层并且连接到与所述第二接触焊盘垂直交叠的所述一个贯通电极。
6、根据示例实施例的一方面，一种制造半导体封装件的方法可以包括：制备包括第一连接焊盘和第二连接焊盘的结构；用未固化的光敏绝缘材料在所述结构上形成第一绝缘层；使用光刻工艺形成穿透所述第一绝缘层并且连接到所述第一连接焊盘的第一孔，其中，所述第一绝缘层通过所述光刻工艺固化；在所述第一孔中形成再分布通路；在所述第一绝缘层上形成连接到所述再分布通路的再分布层；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层以至少部分地覆盖所述再分布层；固化所述第二绝缘层；形成穿透所述第二绝缘层并且连接到所述再分布层的第二孔；使用干蚀刻工艺来形成穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的贯通孔，所述贯通孔连通到所述第二连接焊盘；在所述第二孔中形成接触通路；在所述第二绝缘层上形成连接到所述接触通路的第一接触焊盘；在所述贯通孔中形成柱通路；以及在所述第二绝缘层上形成连接到所述柱通路的第二接触焊盘。
7、根据示例实施例的一方面，一种制造半导体封装件的方法可以包括：制备包括第一连接焊盘和第二连接焊盘的结构；使用未固化的第一光敏绝缘材料在所述结构上形成第一绝缘层；使用第一光刻工艺形成穿透所述第一绝缘层并且连接到所述第一连接焊盘的第一孔，其中，所述第一绝缘层通过所述第一光刻工艺固化；在所述第一孔中形成再分布通路；在所述第一绝缘层上形成连接到所述再分布通路的再分布层；使用未固化的第二光敏绝缘材料在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层以至少部分地覆盖所述再分布层；使用第二光刻工艺形成穿透所述第二绝缘层并且连通到所述再分布层的第二孔，其中，所述第二绝缘层通过所述第二光刻工艺固化；在所述第二孔中形成接触通路；在所述第二绝缘层上形成连接到所述接触通路的第一接触焊盘；使用干蚀刻工艺形成穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的贯通孔，所述贯通孔连通到所述第二连接焊盘；在所述贯通孔中形成柱通路；以及在所述第二绝缘层上形成连接到所述柱通路的第二接触焊盘。
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1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述再分布结构还包括位于所述第一半导体芯片的上表面上的第一绝缘层和位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘位于所述第二绝缘层上，
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个柱通路和所述接触通路均具有垂直的侧表面。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述至少一个柱通路的宽度小于所述接触通路的宽度。
6.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述再分布通路具有垂直向下减小的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个柱通路具有垂直的侧表面，并且
8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述再分布通路具有倾斜的侧表面，使得所述再分布通路具有垂直向下减小的宽度。
9.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述至少一个柱通路包括连接到所述第二接触焊盘的多个柱通路。
10.
11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个柱通路的宽度大于所述再分布通路的宽度。
12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个柱通路具有一体化结构。
13.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片还包括背面绝缘层，所述背面绝缘层具有与所述第一贯通电极的上表面和所述第二贯通电极的上表面基本上共面的上表面。
14.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述再分布结构还包括分别位于所述第一贯通电极和所述第二贯通电极上的第一连接焊盘和第二连接焊盘，
15.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
16.根据权利要求15所述的半导体封装件，其中，所述柱通路和所述接触通路均具有垂直的侧表面，并且
17.根据权利要求16所述的半导体封装件，其中，所述柱通路的宽度小于所述接触通路的宽度。
18.根据权利要求15所述的半导体封装件，其中，所述柱通路具有包括垂直侧表面的一体化结构，
19.根据权利要求15所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
20.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述再分布结构还包括位于所述第一半导体芯片的上表面上的第一绝缘层和位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘位于所述第二绝缘层上，
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个柱通路和所述接触通路均具有垂直的侧表面。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述至少一个柱通路的宽度小于所述接触通路的宽度。
6.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述再分布通路具有垂直向下减小的宽度。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个柱通路具有垂直的侧表面，并且
8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述再分布通路具有倾斜的侧表面，使得所述再分布通路具有垂直向下减小的宽度。
9.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述至少一个柱通路包括连接到所述第二接触焊盘的多个柱通路。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述再分布通路具有垂直的侧表面...
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