【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装，具体地涉及一种扇出型封装结构的制造方法及扇出型封装结构。
技术介绍
1、随着集成电路进一步向着高密度、高集成度发展，芯片及电子器件的封装结构也向更高密度的方向发展。扇出晶圆级封装及板级封装技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。
2、同时，重数字化和高频化的电子元器件在工作时向空间辐射了大量不同频率和波长的电磁波，严重的电磁辐射会干扰电子元器件性能的实现，在通讯及消费类电子方面对电磁屏蔽器件的需求持续增长，同时也对电磁屏蔽要求越来越高。
3、然而，相较于传统的基板，在晶圆级或者板级的扇出型封装中，特别是高密度的重布线层较薄，在封装体侧面和背面沉积电磁屏蔽薄膜层时，导电层与线路层的接触面积小，电阻会较高，从而影响屏蔽效果。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种扇出型封装结构的制造方法及扇出型封装结构。
2、本专利技术提供一种扇出型封装结构的制造方法，包括步骤：
3、提供一载板，在所述载板上制作图形化的金属线路层和介电层，堆叠形成重布线层，将至少部分靠近或覆盖或跨越至少部分切割道的所述金属线路层形成接地线路层；
4、将芯片、和/或带芯片封装体、和/或被动器件设于所述重布线层第一面，并电性连接至所述金属线路层；
5、将电连接件设于所述重布线层第一面上，并覆盖或跨
6、将所述芯片和所述电连接件塑封形成塑封层；
7、去除所述载板，在相对于所述重布线层第一面的第二面上形成第一电接触块；
8、将完整封装体沿切割道切割形成单个封装结构；
9、在单个封装结构的所述塑封层外侧形成第一屏蔽层，所述第一屏蔽层至少覆盖所述塑封层侧面，以电连接暴露于所述塑封层侧面的部分电连接件；
10、“将电连接件设于所述重布线层第一面上”具体包括：
11、将金属凸块、锡球、铜核球中的一种或多种的组合结构键合电连接至所述接地线路层，并覆盖或跨越至少部分切割道；或在所述接地线路层上电镀铜凸块，所述铜凸块覆盖或跨越至少部分切割道；或在所述接地线路层上设置烧结固化的金属或合金膏，并覆盖或跨越至少部分切割道；或将在切割道两侧的所述接地线路层通过金属焊线键合连接，所述金属焊线覆盖或跨越至少部分切割道。
12、作为本专利技术的进一步改进，所述金属凸块、锡球、铜核球中的一种或多种的组合结构的切割面与所述第一屏蔽层相连；或者所述铜凸块的切割面与所述第一屏蔽层相连；或者所述烧结固化的金属或合金膏的切割面与所述第一屏蔽层相连；或者所述金属焊线的切割面连接于所述第一屏蔽层。
13、作为本专利技术的进一步改进，所述金属线路层厚度小于10μm，最小线距小于15μm。
14、作为本专利技术的进一步改进，所述第一电接触块电连接至所述金属线路层。
15、作为本专利技术的进一步改进，所述介电层的材料包括有机高分子树脂、带无机填料的有机高分子树脂，带玻纤布与填料片的有机高分子树脂、聚酰亚胺的一种或多种的组合，所述金属线路层的材料包括铜、钛、钛钨中的一种或多种的组合。
16、作为本专利技术的进一步改进，在制作所述第一屏蔽层之前还包括步骤：
17、在所述塑封层上制作一层或多层屏蔽层形成第二屏蔽层；
18、在所述第二屏蔽层上制作多个的屏蔽层凹槽或屏蔽层通孔；
19、将所述第一屏蔽层材料填充或镀覆于所述屏蔽层凹槽或所述屏蔽层通孔上。
20、作为本专利技术的进一步改进，所述第二屏蔽层至少在一部分频率范围内与所述第一屏蔽层具有相异的屏蔽系数。
21、本专利技术提供一种扇出型封装结构，根据上述任一项所述的扇出型封装结构的制造方法制造而成。
22、作为本专利技术的进一步改进，所述电连接件位于所述重布线层的四个角上和/或四条边上，且以所述重布线层的中心呈基本对称式分布。
23、本专利技术的有益效果是：通过所述电连接件将所述第一屏蔽层连接至所述接地线路层，从而可利用所述电连接件分别与所述第一屏蔽层和所述接地线路层实现相对大面积的面接触，从而降低三者间的电阻，来提高所述第一屏蔽层的屏蔽效果，以避免将所述第一屏蔽层直接与薄的所述金属线路层在侧面连接而出现较高的电阻。同时，本专利技术中的电连接件采用常规低成本材料，制程简单，易于实现，适用于大规模工业化制造流程。另外，通过第一屏蔽层和第二屏蔽层相配合可以对不同的频率范围的电磁波进行有效屏蔽。
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1.一种扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述金属凸块、锡球、铜核球中的一种或多种的组合结构的切割面与所述第一屏蔽层相连；或者所述铜凸块的切割面与所述第一屏蔽层相连；或者所述烧结固化的金属或合金膏的切割面与所述第一屏蔽层相连；或者所述金属焊线的切割面连接于所述第一屏蔽层。
3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述金属线路层厚度小于10μm，最小线距小于15μm。
4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述第一电接触块电连接至所述金属线路层。
5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述介电层的材料包括有机高分子树脂、带无机填料的有机高分子树脂，带玻纤布与填料片的有机高分子树脂、聚酰亚胺的一种或多种的组合，所述金属线路层的材料包括铜、钛、钛钨中的一种或多种的组合。
6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，在制作所述第一屏蔽层之前还包括步骤：
8.一种扇出型封装结构，其特征在于，根据权利要求1-7任一项所述的扇出型封装结构的制造方法制造而成。
9.根据权利要求8所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述电连接件位于所述重布线层的四个角上和/或四条边上，且以所述重布线层的中心呈基本对称式分布。
...【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述金属凸块、锡球、铜核球中的一种或多种的组合结构的切割面与所述第一屏蔽层相连；或者所述铜凸块的切割面与所述第一屏蔽层相连；或者所述烧结固化的金属或合金膏的切割面与所述第一屏蔽层相连；或者所述金属焊线的切割面连接于所述第一屏蔽层。
3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述金属线路层厚度小于10μm，最小线距小于15μm。
4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述第一电接触块电连接至所述金属线路层。
5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构的制造方法，其特征在于，所述介电层的材料包...
【专利技术属性】
技术研发人员：林耀剑，杨丹凤，刘硕，周莎莎，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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