【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及抗静电薄膜，尤其涉及一种双通路抗静电薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、以聚丙烯、聚乙烯为原材料通过吹塑、流延、单向拉伸和双向拉伸技术等制备的薄膜产品被广泛应用于各项领域，但其材质极易积累静电(表面电阻1013ω以上)，不仅造成生产问题，还会引起下游客户的使用限制。因此在聚烯烃薄膜的制备过程中常在原材料中加入抗静电剂，通过时效工艺让有效成分迁移到薄膜表面从而吸附空气中的水分形成导电通路，从而降低薄膜表面电阻(1012ω以下)。如要薄膜取得更低的表面电阻，需要添加更多的抗静电剂，但会导致膜面析出发油的问题。
技术实现思路
1、基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种双通路抗静电薄膜及其制备方法。
2、本专利技术提出的一种双通路抗静电薄膜，包括以下质量份的原料，80-150份聚烯烃、0.00005-0.0002份导电高分子材料、3-15份抗静电剂、0-1份润滑剂、0-0.0001份导电微纤维。
3、优选地，所述的聚烯烃选自聚丙烯、聚乙烯中的一种或多种。
4、优选地，所述的导电高分子材料选自聚吡咯、聚乙炔中的一种或多种。
5、优选地，所述的抗静电剂的制备方法，包括以下步骤：s1、将mah溶解在溶剂中得到溶液a；将dcp溶解在溶剂中，得到溶液b；将溶液a、溶液b、聚烯烃混合均匀，挤出、造粒、真空干燥，得到mah接枝聚烯烃；s2、将mah接枝聚烯烃与聚酰胺聚醚嵌段共聚物混合，挤出、造粒、真空干燥，得到抗静电剂。
7、更优选地，所述的s1中，mah、dcp、聚烯烃的质量比为(2-5):(0.1-0.5):100。
8、更优选地，所述的s1中，溶液a的浓度为50-80％；溶液b的浓度为50-80％。
9、更优选地，所述的s1中，挤出温度为170-200℃。
10、更优选地，所述的s1中，挤出过程中转速为30-60r/min。
11、更优选地，所述的s2中，挤出温度为140-170℃。
12、更优选地，所述的s2中，挤出过程中转速为130-160r/min。
13、更优选地，所述的s2中，mah接枝聚烯烃与聚酰胺聚醚嵌段共聚物的质量比为1:(3-7)。
14、更优选地，所述的s2中，聚酰胺聚醚嵌段共聚物的分子量为10000-30000。
15、抗静电剂由mah、dcp、聚烯烃、聚酰胺聚醚嵌段共聚物通过特定工艺混合而成，制备得到的抗静电剂具有优异的抗静电效果，并且与薄膜材料具有较好的相容性。通过控制挤出温度、以及挤出过程中的转速，有利于物料的反应充分、均匀，并且进一步地有助于提升抗静电剂与薄膜材料的相容性。
16、优选地，所述的润滑剂选自pp蜡、pe蜡中的一种或多种。
17、优选地，所述的导电微纤维选自纳米铜丝、碳纳米管中的一种或多种。
18、本专利技术还提出一种双通路抗静电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
19、将聚烯烃、导电高分子材料、抗静电剂、润滑剂、导电微纤维混合均匀，熔融挤出、流延成膜、双向拉伸、冷却得到双通路抗静电薄膜。
20、优选地，所述的挤出温度为190-230℃。
21、优选地，所述的拉伸比为4-5。
22、优选地，所述的冷却为水冷。
23、本专利技术的有益效果在于：
24、本专利技术通过在聚烯烃薄膜中添加抗静电剂、导电高分子材料、导电微纤维进行协同作用，在薄膜表层建立双通路导电通路，增强薄膜表面的抗静电能力。本专利技术能够在使用少量抗静电剂的情况下达到高的抗静电效果，并且薄膜的透明性好、析出物低。
25、本专利技术的双通路法的抗静电剂的使用量更低，尤其是析出性抗静电剂，能够降低薄膜的析出风险。双通路法能够有效连接各导电区域，强化薄膜表面的导电网络，提升薄膜制品的导静电能力。采用高分子导电材料作为导电通路，与薄膜基体相容性好，相关材料的添加对薄膜性能的影响较小。
26、本专利技术采用双通路法相较于传统薄膜的表层抗静电，双通路法有利于降低薄膜表面电阻，引入新的导电通路连接表层增强薄膜表面的电导率。本专利技术采用导电微纤维作为内部通路，自身具有线性结构更容易起到连接各导电相的通路的作用；采用导电高分子材料作为第二导电通路，与高分子材料相容性好，更容易与基体薄膜材料相容。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种双通路抗静电薄膜，其特征在于，包括以下质量份的原料，80-150份聚烯烃、0.00005-0.0002份导电高分子材料、3-15份抗静电剂、0-1份润滑剂、0-0.0001份导电微纤维。
2.根据权利要求1所述的双通路抗静电薄膜，其特征在于，所述的抗静电剂的制备方法，包括以下步骤：S1、将MAH溶解在溶剂中得到溶液A；将DCP溶解在溶剂中，得到溶液B；将溶液A、溶液B、聚烯烃混合均匀，挤出、造粒、真空干燥，得到MAH接枝聚烯烃；S2、将MAH接枝聚烯烃与聚酰胺聚醚嵌段共聚物混合，挤出、造粒、真空干燥，得到抗静电剂。
3.根据权利要求2所述的双通路抗静电薄膜，其特征在于，所述的S1中，溶剂选自DMF、乙醚、丙酮中的一种或多种；MAH、DCP、聚烯烃的质量比为(2-5):(0.1-0.5):100；挤出温度为170-200℃；挤出过程中转速为30-60r/min。
4.根据权利要求2所述的双通路抗静电薄膜，其特征在于，所述的S2中，挤出温度为140-170℃；挤出过程中转速为130-160r/min；MAH接枝聚烯烃与聚酰胺聚醚嵌段共聚物的
5.根据权利要求1所述的双通路抗静电薄膜，其特征在于，所述的聚烯烃选自聚丙烯、聚乙烯中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的双通路抗静电薄膜，其特征在于，所述的导电高分子材料选自聚吡咯、聚乙炔中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的双通路抗静电薄膜，其特征在于，所述的润滑剂选自PP蜡、PE蜡中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的双通路抗静电薄膜，其特征在于，所述的导电微纤维选自纳米铜丝、碳纳米管中的一种或多种。
9.一种由权利要求1-8任一项所述的双通路抗静电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将聚烯烃、导电高分子材料、抗静电剂、润滑剂、导电微纤维混合均匀，熔融挤出、流延成膜、双向拉伸、冷却得到双通路抗静电薄膜。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述的挤出温度为190-230℃；所述的拉伸比为4-5。
...【技术特征摘要】
1.一种双通路抗静电薄膜，其特征在于，包括以下质量份的原料，80-150份聚烯烃、0.00005-0.0002份导电高分子材料、3-15份抗静电剂、0-1份润滑剂、0-0.0001份导电微纤维。
2.根据权利要求1所述的双通路抗静电薄膜，其特征在于，所述的抗静电剂的制备方法，包括以下步骤：s1、将mah溶解在溶剂中得到溶液a；将dcp溶解在溶剂中，得到溶液b；将溶液a、溶液b、聚烯烃混合均匀，挤出、造粒、真空干燥，得到mah接枝聚烯烃；s2、将mah接枝聚烯烃与聚酰胺聚醚嵌段共聚物混合，挤出、造粒、真空干燥，得到抗静电剂。
3.根据权利要求2所述的双通路抗静电薄膜，其特征在于，所述的s1中，溶剂选自dmf、乙醚、丙酮中的一种或多种；mah、dcp、聚烯烃的质量比为(2-5):(0.1-0.5):100；挤出温度为170-200℃；挤出过程中转速为30-60r/min。
4.根据权利要求2所述的双通路抗静电薄膜，其特征在于，所述的s2中，挤出温度为140-170℃；挤出...
【专利技术属性】
技术研发人员：于博士，张睿，方超，何显儒，陈晨，徐董，何红帆，
申请(专利权)人：浙江金田高分子材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。