【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路，具体涉及一种输入过欠压保护电路。
技术介绍
1、输入过欠压保护电路是将过压、欠压二合一的输入保护电路，输入过压保护和欠压保护均是指针对设备的电源输入端进行相应的保护，在一些情况下，例如电源电压过高或者电压过低，都是可能会对设备造成损坏，因此，需要对设备进行输入过压保护或者输入欠压保护，以确保设备的安全性，保护的方式可以通过使用过压保护器、滤波器等装置来实现，形成对设备的一种安全保护措施。
2、然而，目前的输入过欠压保护电路存在器件利用率低以及所需器件较多需要占据大量空间等问题。因此如何提供一种减少器件数量并且提高器件利用效率的输入过欠压保护电路以此解决电路版图布局空间不足的问题是目前业界亟待解决的技术课题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种输入过欠压保护电路，以此解决现有技术中输入过欠压保护电路存在器件利用率低以及所需器件较多需要占据大量空间的问题。
2、根据第一方面，本专利技术实施例提供了一种输入过欠压保护电路，包括：
3、主控芯片、分压模块、导通模块以及运放模块；
4、所述主控芯片的欠压锁定脚与所述运放模块的输出端连接，所述运放模块的正相输入端连接有电压基准源或者连接有供电电压，所述运放模块的电源正输入端与供电电压连接，所述运放模块的反相输入端与所述分压模块连接，所述导通模块与所述分压模块串联并用于控制所述运放模块的正相输入端的连接对象。
5、结合第一方面，在第一方面第一实施方
6、运算放大器、光耦的受光器和n沟道mos管；
7、所述运算放大器的第一引脚与所述n沟道mos管的栅极连接，所述n沟道mos管的漏级与所述主控芯片的欠压锁定脚连接，所述n沟道mos管的源级接地，所述运算放大器的第二引脚接地，所述运算放大器的第二引脚接地，所述运算放大器的第三引脚与电压基准源连接或者在所述光耦被导通时通过所述光耦的受光器与供电电压连接，所述运算放大器的第四引脚与所述分压模块连接，所述运算放大器的第五引脚与所述供电电压连接；
8、所述第一引脚为输出端，所述第二引脚为电源负输入端，所述第三引脚为正相输入端，所述第四引脚为反相输入端，所述第五引脚为电源正输入端，所述光耦通过所述导通模块控制导通或者断开。
9、结合第一方面第一实施方式，在第一方面第二实施方式中，所述n沟道mos管的源级与栅极之前设置有第四分压电阻。
10、结合第一方面第一实施方式，在第一方面第三实施方式中，所述运算放大器的第三引脚与电源基准源之间连接有正相输入电阻。
11、结合第一方面第一实施方式，在第一方面第四实施方式中，所述分压模块包括：
12、串联连接的第一分压电阻、第二分压电阻和第三分压电阻，所述第一分压电阻的一端接地，所述第一分压电阻的另一端与所述第二分压电阻的一端连接，所述第二分压电阻的另一端与所述第三分压电阻的一端连接，所述第三分压电阻的另一端与输入电压连接；
13、所述运算放大器的第四引脚连接至所述第一分压电阻和所述第二分压电阻之间。
14、结合第一方面第四实施方式，在第一方面第五实施方式中，所述导通模块包括：
15、稳压二极管和光耦的发光源；
16、所述稳压二极管的负极与所述光耦的发光源的负极连接，所述稳压二极管的负极接地，所述光耦的发光源的正极连接至所述第二分压电阻和所述第三分压电阻之间。
17、结合第一方面第五实施方式，在第一方面第六实施方式中，电源基准源的电压大于所述运算放大器与所述分压模块的连接点之间的电压。
18、结合第一方面，在第一方面第七实施方式中，所述主控芯片为pwm芯片。
19、结合第一方面第五实施方式，在第一方面第八实施方式中，所述光耦的发光源采用发光二极管。
20、结合第一方面第五实施方式，在第一方面第九实施方式中，所述光耦的受光器采用光敏三极管。
21、本专利技术的输入过欠压保护电路，采用电阻分压的方式，并利用光耦和稳压二级管的导通特性，实现运算放大器电压翻转同时实现带对待保护设备的输入过压保护和输入欠压保护，该电路具有设计简单、易于调节的特点，通过采用较少的器件实现输入过欠压保护，减少了版图布局需求空间，解决电路版图布局空间不足的问题，适用于体积较小、器件密集的模块电源。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种输入过欠压保护电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述运放模块包括：
3.根据权利要求2所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述N沟道MOS管的源级与栅极之前设置有第四分压电阻。
4.根据权利要求2所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述运算放大器的第三引脚与电源基准源之间连接有正相输入电阻。
5.根据权利要求2所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述分压模块包括：
6.根据权利要求5所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述导通模块包括：
7.根据权利要求6所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，电源基准源的电压大于所述运算放大器与所述分压模块的连接点之间的电压。
8.根据权利要求1所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述主控芯片为PWM芯片。
9.根据权利要求6所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述光耦的发光源采用发光二极管。
10.根据权利要求6所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述光耦的受光器采用光
...【技术特征摘要】
1.一种输入过欠压保护电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述运放模块包括：
3.根据权利要求2所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述n沟道mos管的源级与栅极之前设置有第四分压电阻。
4.根据权利要求2所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述运算放大器的第三引脚与电源基准源之间连接有正相输入电阻。
5.根据权利要求2所述的输入过欠压保护电路，其特征在于，所述分压模块包括：
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊杰，张健，刘文杰，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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