【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体封装结构的制造方法以及半导体结构。
技术介绍
1、随着大规模集成电路的发展，电路的特征尺寸不断微缩，芯片向三维(3d)方向发展进入后摩尔时代，从而满足高度集成，传输速度快，功耗低等需求。需要提升三维堆叠芯片的器件良率和可靠性。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体封装结构的制造方法以及半导体结构。
2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体封装结构的制造方法，该制造方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆；第一晶圆包括第一电路；第二晶圆包括第二电路；在第一晶圆的第一面形成贯穿第一晶圆的引出结构；在第一晶圆的第二面形成第一键合层；第一晶圆的第一面和第一晶圆的第二面为相对的两个表面；在第二晶圆的表面上形成第二键合层；将第一晶圆和第二晶圆进行键合，第一键合层和第二键合层接触以构成键合结构；键合结构连接第一电路和第二电路；其中，引出结构与第二电路连接，和/或，引出结构通过键合结构与第二电路连接。
3、在一些实施例中，在第一晶圆的第一面形成贯穿第一晶圆的引出结构，包括：在第一晶圆的第一面形成贯穿第一晶圆的硅通孔；在硅通孔上形成与硅通孔连接的引出焊盘；硅通孔的材料与引出焊盘的材料不同；其中，引出结构包括硅通孔和引出焊盘。
4、在一些实施例中，提供第一晶圆，包括：提供第一基底；第一基底包括第一电路；在第一基底的第一面形成与第一电路连接的第一互联结构；在第一互联结构上形成第一承载片；翻转第一承载片，减薄第一基底的
5、在一些实施例中，在第一晶圆的第二面形成第一键合层，包括：在引出焊盘上形成第二承载片；翻转第二承载片，去除第一承载片；第二承载片承载着第一晶圆且暴露出第一晶圆的第二面；在第一晶圆的第二面形成与第一互联结构接触的第一键合导通孔和与第一键合导通孔接触的第一键合焊盘；其中，第一键合层包括第一键合导通孔和第一键合焊盘。
6、在一些实施例中，将第一晶圆和第二晶圆进行键合，包括：在形成键合结构之后去除第二承载片。
7、在一些实施例中，在硅通孔上形成与硅通孔连接的引出焊盘，包括：在硅通孔上形成与硅通孔连接的引出焊盘；在引出焊盘上形成钝化层；钝化层暴露出引出焊盘的至少部分表面。
8、在一些实施例中，提供第二晶圆，包括：提供第二基底；第二基底包括第二电路；在第二基底的第一面形成与第二电路连接的第二互联结构。
9、在一些实施例中，在第二晶圆的表面形成第二键合层，包括：在第二晶圆的表面形成与第二互联结构接触的第二键合导通孔和与第二键合导通孔接触的第二键合焊盘；其中，第二键合层包括第二键合导通孔和第二键合焊盘。
10、在一些实施例中，将第一晶圆和第二晶圆进行键合，包括：采用熔融键合工艺或者混合键合工艺，将第一晶圆和第二晶圆进行键合。
11、第二方面，本申请实施例提供一种半导体封装结构的制造方法，该制造方法包括：提供第一芯片和晶圆；第一芯片包括第一电路；晶圆包括第二电路；在第一芯片的第一面形成贯穿第一芯片的引出结构；在第一芯片的第二面形成第一键合层；第一芯片的第一面和第一芯片的第二面为相对的两个表面；在晶圆的表面上形成第二键合层；将第一芯片和晶圆进行键合，第一键合层和第二键合层接触以构成键合结构；键合结构连接第一电路和第二电路；其中，引出结构与第二电路连接，和/或，引出结构通过键合结构与第二电路连接。
12、第三方面，本申请实施例提供一种半导体结构，该半导体结构包括：基板；根据第一方面提供的任一种制造方法得到的半导体封装结构，或者，根据第二方面提供的制造方法得到的半导体封装结构；半导体封装结构位于基板上且通过半导体封装结构的引出结构与基板连接。
13、本申请各实施例中，先做两片晶圆(第一晶圆和第二晶圆)的引出结构，再将两片晶圆进行键合，避免先做两片晶圆的键合结构时，容易出现例如位于键合界面的气泡缺陷形成引出结构的制程产生的影响，例如，两片晶圆键合后再形成两片晶圆的引出结构，键合界面存在气泡缺陷易在形成引出结构的制程中产生破片缺陷，以其对后续光刻制程搜索标记产生影响。
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1.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圆的第一面形成贯穿所述第一晶圆的引出结构，包括：
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述提供第一晶圆，包括：
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圆的第二面形成第一键合层，包括：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，将所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合，包括：
6.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述硅通孔上形成与所述硅通孔连接的引出焊盘，包括：
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述提供第二晶圆，包括：
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述第二晶圆的表面形成第二键合层，包括：
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，将所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合，包括：
10.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
11.一种半导体结构，其特征在于，包括：>...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圆的第一面形成贯穿所述第一晶圆的引出结构，包括：
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述提供第一晶圆，包括：
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述第一晶圆的第二面形成第一键合层，包括：
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，将所述第一晶圆和所述第二晶圆进行键合，包括：
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅敏，袁娜，赵平，金保洲，吴柱锋，
申请(专利权)人：湖北星辰技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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