【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及三维集成封装相关，具体涉及一种绝缘基导电基板及制作方法。
技术介绍
1、随着通讯电子的兴起，人们对小型化和高灵敏度模块或系统的需求越来越高，对信号质量的要求也越来越严格；高密度集成技术，如系统级封装(system-in-package，sip)等技术得到了迅速发展，然而混合信号多芯片系统的小型化集成封装却成为了该领域的技术难点之一；以系统级封装为代表的新型3d封装技术，除了三维芯片堆叠(stacked diepackage)，封装堆叠(package on package，pop)等技术外，一些新材料和新技术的应用为封装小型化带来契机，如柔性基板，硅通孔(through silicon via，tsv)转接板技术和玻璃通孔(through glass via，tgv)转接板技术成为垂直3d互联的热点研究方向之一。
2、硅通孔(through silicon via，tsv)：通过等离子刻蚀的方式，在硅晶圆内部形成通孔，然后再通过的电镀的方式在通孔内填充金属材料(通常电镀铜金属)，进而实现硅晶圆上下两面的电连接；而玻璃通孔(through glass via，tgv)：则是通过激光烧结+化学溶液蚀刻的方式，在玻璃晶圆内部形成通孔，然后再通过的电镀的方式在通孔内填充金属材料(通常电镀铜金属)，进而实现玻璃晶圆上下两面的电连接；现有专利“tgv深孔填充方法”，提供了一种tgv深孔填充方法，通过对玻璃基板以及玻璃通孔进行腐蚀，使得玻璃基板以及玻璃通孔表面变得粗糙，种子层与玻璃基板以及玻璃通孔之间的摩擦系数增大，
3、现有的不论tsv还是tgv技术，均需要先形成通孔，然后再在通孔内填充金属材料，由于通孔深宽比都比较大，孔内金属很难完全填满，容易形成空洞，对器件可靠性产生影响。
4、为解决上述问题，研发设计了一种新的绝缘基导电基板及制作方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种绝缘基导电基板及制作方法，以解决现有技术中通孔内填充金属材料对器件造成不良影响的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：
3、一种绝缘基导电基板，包括：导电硅柱和绝缘有机胶层；
4、所述导电硅柱设置于所述绝缘有机胶层内部；
5、所述绝缘有机胶层上设置有窗口，且暴露出所述导电硅柱；
6、所述绝缘有机胶层上表面设置有第一布线线路，且所述第一布线线路通过窗口与导电硅柱一端互联；
7、所述绝缘有机胶层下表面设置有第二布线线路，且所述第二布线线路与导电硅柱另一端互联。
8、优选的一种方案，所述绝缘有机胶层下表面通过有机键合层键合设置有绝缘支撑衬底。
9、优选的一种方案，所述绝缘支撑衬底上表面设有第三布线线路；所述第三布线线路与第二布线线路互联。
10、优选的一种方案，所述绝缘支撑衬底上表面设有第四布线线路；所述第四布线线路与第二布线线路互联。
11、优选的一种方案，所述绝缘支撑衬底下表面设有第五布线线路，且所述第五布线线路通过金属填充物与第四布线线路连接。
12、优选的一种方案，所述绝缘有机胶层为有机材料，其厚度为100-1000um。
13、优选的一种方案，所述导电硅柱为n掺杂或p掺杂硅，其电阻率为0.00001-1ω·cm；所述导电硅柱嵌入绝缘有机胶层之内，其二者高度差为0-20um。
14、优选的一种方案，所述第一布线线路和第二布线线路均为金属叠层材料，其底层为欧姆接触粘附层，中间为缓冲层，顶层为刻蚀接触层。
15、优选的一种方案，所述绝缘支撑衬底为绝缘有机或无机材料，其厚度为100-1000um。
16、另外本申请还提出一种绝缘基导电基板的制作方法，包括如下步骤：
17、s1，提供一p掺杂或n掺杂的硅晶圆，其包括相对的a面和b面；
18、s2，通过光刻、刻蚀、去胶的方式，在晶圆a面刻蚀掉部分硅晶圆，形成硅晶圆柱，即导电硅柱；
19、s3，通过旋涂的方式，在晶圆a面旋涂上一层有机胶，并固化；
20、s4，在晶圆b面做研磨抛光，去掉部分硅，暴露出有机胶；
21、s5，通过光刻、刻蚀、去胶的方式，刻蚀掉导电硅柱顶部的有机胶，形成有机胶窗口；
22、s6，通过光刻、蒸镀、剥离去胶的方式，在有机胶之上制作第一布线线路，第一布线线路通过有机胶窗口和导电硅柱互联；
23、s7，通过光刻、蒸镀、剥离去胶的方式，在有机胶b面之上制作第二布线线路，第二布线线路和导电硅柱另一面互联。
24、由于上述技术方案的运用，本申请与现有技术相比的有益效果在于：
25、本申请提供的一种绝缘基导电基板及制作方法，通过对绝缘基导电基板的重新设计和相应的结构布局，并提供相应的制作工艺、方法，很好的解决了现有tsv或tgv技术中存在的问题，如均需要先形成通孔，然后再在通孔内填充金属材料，由于通孔深宽比都比较大，孔内金属很难完全填满，形成空洞，对器件可靠性产生影响的问题，本申请采用一体化制作的结构和工艺，避开了现有技术中器件容易形成空洞对产品的影响，大大提升了产品的可靠性，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。
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1.一种绝缘基导电基板，其特征在于，包括：导电硅柱和绝缘有机胶层；
2.如权利要求1所述的绝缘基导电基板，其特征在于，所述绝缘有机胶层下表面通过有机键合层键合设置有绝缘支撑衬底。
3.如权利要求2所述的绝缘基导电基板，其特征在于，所述绝缘支撑衬底上表面设有第三布线线路；所述第三布线线路与第二布线线路互联。
4.如权利要求2所述的绝缘基导电基板，其特征在于，所述绝缘支撑衬底上表面设有第四布线线路；所述第四布线线路与第二布线线路互联。
5.如权利要求4所述的绝缘基导电基板，其特征在于，所述绝缘支撑衬底下表面设有第五布线线路，且所述第五布线线路通过金属填充物与第四布线线路连接。
6.如权利要求1所述的绝缘基导电基板，其特征在于，所述绝缘有机胶层为有机材料，其厚度为100-1000um。
7.如权利要求1所述的绝缘基导电基板，其特征在于，所述导电硅柱为N掺杂或P掺杂硅，其电阻率为0.00001-1Ω·cm；所述导电硅柱嵌入绝缘有机胶层之内，其二者高度差为0-20um。
8.如权利要求1所述的绝缘基导电基板
9.如权利要求2-5中任一项所述的绝缘基导电基板，其特征在于，所述绝缘支撑衬底为绝缘有机或无机材料，其厚度为100-1000um。
10.一种绝缘基导电基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种绝缘基导电基板，其特征在于，包括：导电硅柱和绝缘有机胶层；
2.如权利要求1所述的绝缘基导电基板，其特征在于，所述绝缘有机胶层下表面通过有机键合层键合设置有绝缘支撑衬底。
3.如权利要求2所述的绝缘基导电基板，其特征在于，所述绝缘支撑衬底上表面设有第三布线线路；所述第三布线线路与第二布线线路互联。
4.如权利要求2所述的绝缘基导电基板，其特征在于，所述绝缘支撑衬底上表面设有第四布线线路；所述第四布线线路与第二布线线路互联。
5.如权利要求4所述的绝缘基导电基板，其特征在于，所述绝缘支撑衬底下表面设有第五布线线路，且所述第五布线线路通过金属填充物与第四布线线路连接。
6.如权利要求1所述的绝缘...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，陈波，
申请(专利权)人：昆山麦沄显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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