一种F0:175MHz高抑制低带宽无源带通滤波器的电路结构制造技术

技术编号:44922004 阅读:3 留言:0更新日期:2025-04-08 19:02
本技术公开了一种F0:175MHz高抑制低带宽无源带通滤波器的电路结构包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电感L1、电感L2、电感L3和电感L4,电容C1一端连接到输入端和电感L1的一端,电感L1的另一端连接到电容C2和电容C3的一端,电容C3的另一端连接到电容C4、电感L2和电容C5的一端,电容C5的另一端连接到电容C6、电感L3和电容C7的一端,电容C7的另一端连接到电容C8和电感L4的一端,电感L4的另一端连接到输出端和电容C9,电容C1、电容C2、电容C4、电容C6、电容C8、电容C9、电感L2和电感L3另一端连接到接地端。产品尺寸小,为20×10×5(±0.2)mm,通过优化电路参数,减少电感数量使其较常规25×15×5(±0.2)mm要小;电感只有4颗,调试及布局难度大大降低。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种f0:175mhz高抑制低带宽无源带通滤波器的电路结构,属于无源带通滤波器。


技术介绍

1、如图7-8所示的带通滤波器,包括外壳和封装在外壳内的线圈以及设置在外壳底部的引脚,引脚包括左右射频输入输出以及底部大面积接地。

2、现有的带通滤波器在同尺寸下无法满足插入损耗小于等于7db时,同时f0±25mhz外抑制大于等于60dbc,且3db带宽为4±1mhz。

3、现有的带通滤波器采用常规椭圆或切比雪夫模型,电感数量较多,对于这种小封装的带通滤波器不适用,且对于低频带通电感多为大大电感,绕制难度很大。


技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题是:提供一种f0:175mhz高抑制低带宽无源带通滤波器的电路结构,以解决上述现有技术中存在的问题。

2、本技术采取的技术方案为:一种f0:175mhz高抑制低带宽无源带通滤波器的电路结构包括电容c1、电容c2、电容c3、电容c4、电容c5、电容c6、电容c7、电容c8、电容c9、电感l1、电感l2、电感l3和电感l4,电容c1一端连接到输入端和电感l1的一端,电感l1的另一端连接到电容c2和电容c3的一端,电容c3的另一端连接到电容c4、电感l2和电容c5的一端,电容c5的另一端连接到电容c6、电感l3和电容c7的一端,电容c7的另一端连接到电容c8和电感l4的一端,电感l4的另一端连接到输出端和电容c9,电容c1、电容c2、电容c4、电容c6、电容c8、电容c9、电感l2和电感l3另一端连接到接地端。

3、进一步地,上述电感l1、电感l2、电感l3和电感l4的磁环采用t0-0,其中3颗t0-0叠加绕制。

4、本技术的有益效果:与现有技术相比,本技术的效果如下:

5、1)产品尺寸小,为20×10×5(±0.2)mm,通过优化电路,减少电感数量使其较常规25×15×5(±0.2)mm要小;电感只有4颗,调试及布局难度大大降低;

6、2)滤波器磁环电感使用3颗t0-0叠加绕制而成,使得圈数较常规要小,体积也得以大幅度减小,q值比常规电感高,在小封装带通滤波器里优势极大,能减小带通滤波器损耗,同时大大降低封盖对带通滤波器指标的影响;

7、3)电感采用3颗t0-0叠加绕制,同样圈数下提高电感量。

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【技术保护点】

1.一种F0:175MHz高抑制低带宽无源带通滤波器的电路结构,其特征在于:包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电感L1、电感L2、电感L3和电感L4,电容C1一端连接到输入端和电感L1的一端,电感L1的另一端连接到电容C2和电容C3的一端,电容C3的另一端连接到电容C4、电感L2和电容C5的一端,电容C5的另一端连接到电容C6、电感L3和电容C7的一端,电容C7的另一端连接到电容C8和电感L4的一端,电感L4的另一端连接到输出端和电容C9,电容C1、电容C2、电容C4、电容C6、电容C8、电容C9、电感L2和电感L3另一端连接到接地端。

2.根据权利要求1所述的一种F0:175MHz高抑制低带宽无源带通滤波器的电路结构,其特征在于:电感L1、电感L2、电感L3和电感L4的磁环采用T0-0,其中3颗T0-0叠加绕制。

【技术特征摘要】

1.一种f0:175mhz高抑制低带宽无源带通滤波器的电路结构,其特征在于:包括电容c1、电容c2、电容c3、电容c4、电容c5、电容c6、电容c7、电容c8、电容c9、电感l1、电感l2、电感l3和电感l4,电容c1一端连接到输入端和电感l1的一端,电感l1的另一端连接到电容c2和电容c3的一端,电容c3的另一端连接到电容c4、电感l2和电容c5的一端,电容c5的另一端连接到电容c6、电感l3...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈俊佐邓世春李青吴妃堂贺明三陈伟
申请(专利权)人:贵阳信络电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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