【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体生产领域，特别涉及一种碳化硅器件的光刻对位识别方法及碳化硅器件。
技术介绍
1、半导体晶圆制造是一种典型的精密制造行业，它对材料、工艺、设备等方面的要求非常高。在晶圆制造技术中，光刻蚀刻就是其中最为关键的步骤，该步骤用于将掩膜版上的图形转移至衬底或介质材料上。
2、在光刻工艺中的对位误差是一个重要影响参数，直接影响到光刻图形的转移质量，如果这种对位误差超过了设定的允许范围，就会导致芯片制作出现误差，严重的话可能导致设备无法正常工作。因此，对于光刻工艺来说，如何减小对位误差是非常关键的。
3、光刻图形的转移都是依靠对准标记来进行对位，即在半导体晶圆上刻蚀一定深度的对准标记图形，每次对位时以该对准标记作为基准。目前现有的对位工艺流程是在zero层次正面做对位标记，经过多次正面高温炉管注入、金属溅射，在高温下对于对位标记有损伤，金属溅射将zero层做出来的对位标记覆盖，导致光刻机难以识别，光刻报警率高，极大浪费光刻机的使用时间，甚至出现碳化硅晶圆无法对位只能进行报废处理的问题。
4、因此，需要一种针对碳化硅器件的光刻对位识别方法，能够解决上述问题。
技术实现思路
1、为了解决所述现有技术的不足，本申请提供了一种碳化硅器件的光刻对位识别方法及碳化硅器件，将对准标记制作在晶圆的背面，避免正面的金属溅射后覆盖对准标记，从而提高对位识别的精确度。
2、本申请所要达到的技术效果通过以下方案实现：
3、根据本申请的第一方面，
4、步骤1：在晶圆背面生长氮化硅层并通过光刻刻蚀出对准标记；
5、步骤2：以背面的对准标记进行对位，在晶圆正面进行碳化硅器件制作。
6、优选地，在步骤1中，在晶圆背面生长氮化硅层之前还包括：
7、在晶圆正面制作防护层后，将晶圆翻面使之背面朝上；
8、然后在晶圆背面生长氮化硅层。
9、优选地，所述防护层为氧化层，所述氧化层为二氧化硅或氮化硅中的一种或几种。
10、优选地，在步骤1中，通过光刻刻蚀出对准标记的具体方法为：
11、在所述氮化硅层表面涂覆光刻胶，并通过曝光、显影工艺形成对准标记图形；
12、在所述对准标记图形中刻蚀掉所述氮化硅层，完成对准标记的刻蚀。
13、优选地，晶圆背面生长氮化硅层的具体方式为：
14、向反应室内引入反应气体，所述反应气体为氨气、硅烷或卤代硅烷中的一种；
15、采用低压化学气相沉积法，使反应室内温度大于700摄氏度，在晶圆背面生长氮化硅层，所述氮化硅层的厚度不小于1000a。
16、优选地，所述防护层为二氧化硅层，所述二氧化硅层的制作方法为：
17、使用cvd方法，在反应室中通入teos与氧气，利用等离子体激活和化学反应的方式在晶圆正面沉积二氧化硅薄膜，形成防护层。
18、优选地，在步骤2中，在晶圆背面完成对准标记的制作后，将晶圆翻面使对准标记朝下，利用光刻机向上识别所述对准标记来控制正面的光刻精度。
19、优选地，晶圆翻面使对准标记朝下后，将正面的防护层去除后再进行碳化硅器件制作。
20、优选地，采用湿法刻蚀的方法去除所述防护层，具体为：将晶圆的正面完全浸没在boe溶液中，待防护层完全刻蚀完成后，采用去离子水冲洗以去除残留的化学药品和反应产物，干燥后完成防护层的去除。
21、根据本申请的第二方面，提供一种碳化硅器件，采用上述碳化硅器件的光刻对位识别方法制作而成。
22、根据本申请的一个实施例，采用本碳化硅器件的光刻对位识别方法的有益效果在于：本方法开创性的将对位标记设置于晶圆的下方，并利用背面定位的方式进行正面的碳化硅器件制作，减小了高温炉管注入工艺中对标记的损伤，以及避免了金属溅射工艺中的覆盖，保证了对位标记的清晰度，提高了光刻机的识别率，而且提高了对晶圆的对位识别精度，提升光刻机的使用时间以及光刻成功率。
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1.碳化硅器件的光刻对位识别方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的碳化硅器件的光刻对位识别方法，其特征在于，在步骤1中，在晶圆背面生长氮化硅层之前还包括：
3.根据权利要求2所述的碳化硅器件的光刻对位识别方法，其特征在于，所述防护层为氧化层，所述氧化层为二氧化硅或氮化硅中的一种或几种。
4.根据权利要求2所述的碳化硅器件的光刻对位识别方法，其特征在于，在步骤1中，通过光刻刻蚀出对准标记的具体方法为：
5.根据权利要求4所述的碳化硅器件的光刻对位识别方法，其特征在于，晶圆背面生长氮化硅层的具体方式为：
6.根据权利要求3所述的碳化硅器件的光刻对位标识方法，其特征在于，所述防护层为二氧化硅层，所述二氧化硅层的制作方法为：
7.根据权利要求2所述的碳化硅器件的光刻对位标识方法，其特征在于，在步骤2中，在晶圆背面完成对准标记的制作后，将晶圆翻面使对准标记朝下，利用光刻机向上识别所述对准标记来控制正面的光刻精度。
8.根据权利要求7所述的碳化硅器件的光刻对位标识方法，其特征在于，晶圆翻面
9.根据权利要求8所述的碳化硅器件的光刻对位标识方法，其特征在于，采用湿法刻蚀的方法去除所述防护层，具体为：将晶圆的正面完全浸没在BOE溶液中，待防护层完全刻蚀完成后，采用去离子水冲洗以去除残留的化学药品和反应产物，干燥后完成防护层的去除。
10.一种碳化硅器件，其特征在于，采用权利要求1至9任一项所述的碳化硅器件的光刻对位识别方法制作而成。
...【技术特征摘要】
1.碳化硅器件的光刻对位识别方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的碳化硅器件的光刻对位识别方法，其特征在于，在步骤1中，在晶圆背面生长氮化硅层之前还包括：
3.根据权利要求2所述的碳化硅器件的光刻对位识别方法，其特征在于，所述防护层为氧化层，所述氧化层为二氧化硅或氮化硅中的一种或几种。
4.根据权利要求2所述的碳化硅器件的光刻对位识别方法，其特征在于，在步骤1中，通过光刻刻蚀出对准标记的具体方法为：
5.根据权利要求4所述的碳化硅器件的光刻对位识别方法，其特征在于，晶圆背面生长氮化硅层的具体方式为：
6.根据权利要求3所述的碳化硅器件的光刻对位标识方法，其特征在于，所述防护层为二氧化硅层，所述二氧化硅层的制作方法为：
...【专利技术属性】
技术研发人员：张幸，陈建华，
申请(专利权)人：江苏昕感科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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