System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片,尤其涉及一种芯片封装结构。
技术介绍
1、随着微电子技术的不断发展,用户对系统的小型化、多功能、低功耗等要求越来越高,尤其是近年来便携式手持终端市场需求的井喷,如智能手机、平板电脑和各种穿戴设备等,要求更高的集成度和互连能力。而三维堆叠封装是满足上述要求的一种非常有效的技术途径。
2、现有的三维堆叠封装结构,尤其是涉及三维扇出型封装结构中,经常需要采用两次或者更多次的塑封工艺,实现晶圆重构和塑封保护。然而,目前已知的三维堆叠封装结构中,被塑封的多个堆叠芯片结构需要将每一芯片的引脚一一引出,使芯片的引脚伸出于封装结构的外部,以便与外部芯片或者电路板等元件进行连接,导致封装结构整体体积变大,不利于实现产品的小型化。
技术实现思路
1、有鉴于此,本专利技术提供一种芯片封装结构,以解决现有封装结构整体体积较大而不利于实现小型化的问题。
2、一方面,本申请提供一种芯片封装结构,包括堆叠设置的多个芯片、沿堆叠方向延伸的多个导电件、将多个所述芯片以及多个所述导电件封装在内部的封装套组件、以及位于所述封装套组件外侧的基板,所述芯片包括沿堆叠方向排布的第一芯片和第二芯片,所述封装套包括将所述第一芯片封装在内部的第一封装套以及将所述第二芯片和多个所述导电件封装在内部的第二封装套,所述基板位于所述第二封装套远离所述第一封装套的一侧,所述基板包括连接部,所述第一芯片和所述第二芯片分别与所述连接部电连接;
3、所述第一芯片的部分凸伸超出所述第二芯片的外
4、在一些实施例中,所述第一芯片靠近所述第二芯片的一侧设有第一互连引脚和第一外连引脚,所述第二芯片设有第二互连引脚和第二外连引脚,所述第一互连引脚和所述第二互连引脚电连接,所述第二外连引脚位于所述第二芯片远离所述第一芯片的一侧并与所述连接部电连接,所述第一外连引脚通过所述导电件与所述连接部电连接。
5、在一些实施例中,所述连接部包括与所述第一芯片连接的第一连接部以及与所述第二芯片电连接的第二连接部,沿垂直于堆叠方向的方向上,所述第一连接部位于所述基板靠近所述导电件的一端,所述第二连接部位于所述基板远离所述导电件的一端。
6、在一些实施例中,所述第二芯片靠近所述导电件的侧部上的所述第二外连引脚的数量少于所述第二芯片远离所述导电件的侧部上的所述第二外连引脚的数量。
7、在一些实施例中,所述第二外连引脚包括多个射频引脚,多个所述射频引脚均位于所述第二芯片远离所述导电件的侧部,与所述射频引脚电连接的所述连接部位于所述基板远离所述导电件的一侧。
8、在一些实施例中,所述第二芯片远离所述导电件的侧部上的所述第二外连引脚均为所述射频引脚。
9、在一些实施例中,所述第二互连引脚位于所述第二芯片靠近所述第一芯片的一侧,所述第二互连引脚与对应所述第一互连引脚相对设置,所述第一外连引脚相比于所述第一互连引脚更靠近所述导电件。
10、在一些实施例中,所述第二互连引脚位于所述第二芯片远离所述第一芯片的一侧并靠近所述导电件设置,所述第二互连引脚通过相应所述导电件与所述第一互连引脚电连接。
11、在一些实施例中,所述第二外连引脚包括射频引脚和电源引脚,所述射频引脚位于所述第二芯片远离所述导电件的侧部,所述电源引脚设于所述第二芯片靠近所述导电件的侧部。
12、在一些实施例中,所述第一芯片为控制芯片,所述第二芯片为射频芯片。
13、在一些实施例中,沿垂直于所述堆叠方向的第一方向,所述第一芯片的一侧凸伸超出所述第二芯片的外边缘、另一相对侧与所述第二芯片的外边缘平齐。
14、本专利技术提供的芯片封装结构,通过使第一芯片的部分凸伸超出第二芯片的外边缘形成凸出部,多个导电件位于第二封装套内与凸出部对应的位置,因此第一芯片与连接部电连接时不需要将引脚引出至第一芯片的周向外侧,可以在凸出部处与导电件进行连接,有利于降低芯片封装结构的整体体积,以便实现产品的小型化,而且由于多个导电件位于第二芯片的同一侧,因此,第二芯片远离导电件的侧部上的引脚在走线时不会受到导电件的影响,使其走线设计更为灵活。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括堆叠设置的多个芯片、沿堆叠方向延伸的多个导电件(12)、将多个所述芯片以及多个所述导电件(12)封装在内部的封装套组件(14)、以及位于所述封装套组件(14)外侧的基板(15),所述芯片包括沿堆叠方向排布的第一芯片(18)和第二芯片(20),所述封装套组件(14)包括将所述第一芯片(18)封装在内部的第一封装套(22)以及将所述第二芯片(20)和多个所述导电件(12)封装在内部的第二封装套(24),所述基板(15)位于所述第二封装套(24)远离所述第一封装套(22)的一侧,所述基板(15)包括连接部(16),所述第一芯片(18)和所述第二芯片(20)分别与所述连接部(16)电连接;
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一芯片(18)靠近所述第二芯片(20)的一侧设有第一互连引脚(281)和第一外连引脚(282),所述第二芯片(20)设有第二互连引脚(301)和第二外连引脚(302),所述第一互连引脚(281)和所述第二互连引脚(301)电连接,所述第二外连引脚(302)位于所述第二芯片(20)远离所述第一芯片(
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述连接部(16)包括与所述第一芯片(18)连接的第一连接部(161)以及与所述第二芯片(20)电连接的第二连接部(162),沿垂直于堆叠方向的方向上,所述第一连接部(161)位于所述基板(15)靠近所述导电件(12)的一端,所述第二连接部(162)位于所述基板(15)远离所述导电件(12)的一端。
4.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二芯片(20)靠近所述导电件(12)的侧部上的所述第二外连引脚(302)的数量少于所述第二芯片(20)远离所述导电件(12)的侧部上的所述第二外连引脚(302)的数量。
5.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二外连引脚(302)包括多个射频引脚(303),多个所述射频引脚(303)均位于所述第二芯片(20)远离所述导电件(12)的侧部,与所述射频引脚(303)电连接的所述连接部(16)位于所述基板(15)远离所述导电件(12)的一侧。
6.根据权利要求5所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二芯片(20)远离所述导电件(12)的侧部上的所述第二外连引脚(302)均为所述射频引脚(303)。
7.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二互连引脚(301)位于所述第二芯片(20)靠近所述第一芯片(18)的一侧,所述第二互连引脚(301)与对应所述第一互连引脚(281)相对设置,所述第一外连引脚(282)相比于所述第一互连引脚(281)更靠近所述导电件(12)。
8.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二互连引脚(301)位于所述第二芯片(20)远离所述第一芯片(18)的一侧并靠近所述导电件(12)设置,所述第二互连引脚(301)通过相应所述导电件(12)与所述第一互连引脚(281)电连接。
9.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二外连引脚(302)包括射频引脚(303)和电源引脚(304),所述射频引脚(303)位于所述第二芯片(20)远离所述导电件(12)的侧部,所述电源引脚(304)设于所述第二芯片(20)靠近所述导电件(12)的侧部。
10.根据权利要求1-9任一项所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一芯片(18)为控制芯片,所述第二芯片(20)为射频芯片;和/或,
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括堆叠设置的多个芯片、沿堆叠方向延伸的多个导电件(12)、将多个所述芯片以及多个所述导电件(12)封装在内部的封装套组件(14)、以及位于所述封装套组件(14)外侧的基板(15),所述芯片包括沿堆叠方向排布的第一芯片(18)和第二芯片(20),所述封装套组件(14)包括将所述第一芯片(18)封装在内部的第一封装套(22)以及将所述第二芯片(20)和多个所述导电件(12)封装在内部的第二封装套(24),所述基板(15)位于所述第二封装套(24)远离所述第一封装套(22)的一侧,所述基板(15)包括连接部(16),所述第一芯片(18)和所述第二芯片(20)分别与所述连接部(16)电连接;
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一芯片(18)靠近所述第二芯片(20)的一侧设有第一互连引脚(281)和第一外连引脚(282),所述第二芯片(20)设有第二互连引脚(301)和第二外连引脚(302),所述第一互连引脚(281)和所述第二互连引脚(301)电连接,所述第二外连引脚(302)位于所述第二芯片(20)远离所述第一芯片(18)的一侧并与所述连接部(16)电连接,所述第一外连引脚(282)通过所述导电件(12)与所述连接部(16)电连接。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述连接部(16)包括与所述第一芯片(18)连接的第一连接部(161)以及与所述第二芯片(20)电连接的第二连接部(162),沿垂直于堆叠方向的方向上,所述第一连接部(161)位于所述基板(15)靠近所述导电件(12)的一端,所述第二连接部(162)位于所述基板(15)远离所述导电件(12)的一端。
4.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第二芯片(20)靠近所述导电件(12)的侧部上...
【专利技术属性】
技术研发人员:张标,陈高鹏,
申请(专利权)人:烟台睿创微纳技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。