【技术实现步骤摘要】
本公开涉及数字电路，具体涉及一种电平检测电路、检测方法、电子设备及可读介质。
技术介绍
1、电平检测是指通过检测输入电位高于或低于翻转电压来输出对应的电平信号。
2、在现有技术中，主要基于反相器以及施密特触发器实现电平检测。在基于反相器的检测方式中，当输入电压在翻转电压处发生抖动时，那么输出电压会发生反复翻转，从而导致输出不稳定。而在基于施密特触发器的检测方式中，其版图过程绕线较为复杂，需要消耗多余的金属层，从而会导致更多的寄生效应。
技术实现思路
1、为此，本公开提供一种电平检测电路、检测方法、电子设备及可读介质，以解决现有技术中输出电压不稳定以及版图过程绕线复杂的问题。
2、为了实现上述目的，本公开第一方面提供一种电平检测电路：包括：共用同一电压输入端与电压输出端的第一检测电路与第二检测电路；
3、所述第一检测电路包括：串联的第一pmos管与第二pmos管，以及根据所述电压输出端的输出电压控制导通状态的第三pmos管；
4、所述第三pmos管与所述第一pmos管、所述第二pmos管连接，所述第一pmos管、所述第三pmos管与电源电压端连接；
5、所述第二检测电路包括：串联的第一nmos管与第二nmos管，以及根据所述电压输出端的输出电压控制导通状态的第三nmos管；所述第三nmos管与所述第一nmos管、所述第二nmos管连接，所述第二nmos管、所述第三nmos管与接地端连接；
6、在所述电压输入端的输
7、在所述电压输入端的输入电压上升为大于第二阈值的情况下，所述第一nmos管、第二nmos管处于导通状态，所述第一nmos管的输出电压通过反相器输出至所述电压输出端，使得所述第三nmos管处于导通状态，所述第二检测电路形成正反馈，驱动所述电压输出端的输出电压由预设低电平转换至预设高电平。
8、在一种可选的实现方式中，所述第一阈值根据所述第二pmos管转换至导通状态的栅极电压值确定；
9、所述第一pmos管的栅极与所述电压输入端连接，所述第一pmos管的源极与所述电源电压端连接，所述第一pmos管的漏极与所述第二pmos管的源极连接；
10、所述第二pmos管的栅极与所述电压输入端连接，所述第二pmos管的漏极与所述反相器的输入端、所述第一nmos管的漏极连接，所述第二pmos管的源极与所述第一pmos管的漏极连接；
11、所述第三pmos管的栅极与所述电压输出端连接，所述第三pmos管的源极与所述电源电压端连接，所述第三pmos管的漏极与所述第一pmos管的漏极、所述第二pmos管的源极连接。
12、在一种可选的实现方式中，所述第二阈值根据所述第一nmos管转换至导通状态时的栅极电压值确定；
13、所述第一nmos管的栅极与所述电压输入端连接，所述第一nmos管的源极与所述第二nmos管的漏极连接，所述第一nmos管的漏极与所述反相器的输入端、所述第二pmos管的漏极连接；
14、所述第二nmos管的栅极与所述电压输入端连接，所述第二nmos管的源极与所述接地端连接，所述第二nmos管的漏极与所述第一nmos管的源极连接；
15、所述第三nmos管的栅极与所述电压输出端连接，所述第三nmos管的源极与所述接地端连接，所述第三nmos管的漏极与所述第一nmos管的源极、所述第二nmos管的漏极连接。
16、在一种可选的实现方式中，所述反相器的输入端与所述第二pmos管的漏极、所述第一nmos管的漏极连接，所述反相器的输出端与所述电压输出端连接。
17、在一种可选的实现方式中，所述反相器包括第四pmos管、第四nmos管；
18、所述第四pmos管的栅极与所述第二pmos管的漏极、所述第一nmos管的漏极连接，所述第四pmos管的源极与所述电源电压端连接，所述第四pmos管的漏极与所述第四nmos管的漏极、所述电压输出端连接；
19、所述第四nmos管的栅极与所述第二pmos管的漏极、所述第一nmos管的漏极连接，所述第四nmos管的源极与所述接地端连接，所述第四nmos管的漏极与所述第四pmos管的漏极、所述电压输出端连接。
20、在一种可选的实现方式中，所述第一pmos管与所述第三pmos管的尺寸比值处于第一比值区间，以使所述第二pmos管转换至导通状态的栅极电压值小于第一预设电压值，所述第一预设电压值根据所述电源电压端与所述接地端确定。
21、在一种可选的实现方式中，所述第二nmos管与所述第三nmos管的尺寸比值处于第二比值区间，以使所述第一nmos管转换至导通状态时的栅极电压值大于第二预设电压值，所述第二预设电压值根据所述电源电压端与所述接地端确定。
22、本公开第二方面提供一种电平检测方法，包括：在输入电压由高电平转换至低电平的过程中，在检测到所述输入电压小于第一阈值的情况下，根据上述的电平检测电路的第一检测电路，输出预设低电平的输出电压；
23、在输入电压由低电平转换至高电平的过程中，在检测到所述输入电压大于第二阈值的情况下，根据所述电平检测电路的第二检测电路，输出预设高电平的输出电压。
24、本公开第三方面提供一种电子设备，包括：一个或多个处理器；
25、存储装置，其上存储有一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现上述的电平检测方法；
26、一个或多个i/o接口，连接在所述处理器与存储器之间，配置为实现所述处理器与存储器的信息交互。
27、本公开第四方面提供一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现上述的电平检测方法。
28、本公开具有如下优点：
29、在本公开实施例中的电平检测电路，由共用同一电压输入端与电压输出端的第一检测电路与第二检测电路构成，其第一检测电路与第二检测电路中均采用了相同类型的mos管进行连接，从而有效避免了不同类型晶体管之间的交叉连接，简化了版图布线，进一步地，本公开实施例的电平检测电路具有两种翻转阈值，并通过反相器使第一检测电路、第二检测电路中的第三pmos管、第三nmos管能够分别在输入电压下降为小于第一阈值、输入电压上升为大于第二阈值时处于导通状态，以形成第一检测电路、第二检测电路的正反馈，从而，即使在输入电压发生抖动的情况下，也能够驱动电压输出端输出稳定的转换电压，提高输出稳定性。
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1.一种电平检测电路，其特征在于，包括：共用同一电压输入端与电压输出端的第一检测电路与第二检测电路；
2.根据权利要求1所述的电平检测电路，其特征在于，所述第一阈值根据所述第二PMOS管转换至导通状态的栅极电压值确定；
3.根据权利要求1所述的电平检测电路，其特征在于，所述第二阈值根据所述第一NMOS管转换至导通状态时的栅极电压值确定；
4.根据权利要求1所述的电平检测电路，其特征在于，所述反相器的输入端与所述第二PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的漏极连接，所述反相器的输出端与所述电压输出端连接。
5.根据权利要求4所述的电平检测电路，其特征在于，所述反相器包括第四PMOS管、第四NMOS管；
6.根据权利要求2所述的电平检测电路，其特征在于，所述第一PMOS管与所述第三PMOS管的尺寸比值处于第一比值区间，以使所述第二PMOS管转换至导通状态的栅极电压值小于第一预设电压值，所述第一预设电压值根据所述电源电压端与所述接地端确定。
7.根据权利要求3所述的电平检测电路，其特征在于，所述第二NMOS管与所述第
8.一种电平检测方法，其特征在于，所述方法包括：
9.一种电子设备，其特征在于，包括：
10.一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现根据权利要求8所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种电平检测电路，其特征在于，包括：共用同一电压输入端与电压输出端的第一检测电路与第二检测电路；
2.根据权利要求1所述的电平检测电路，其特征在于，所述第一阈值根据所述第二pmos管转换至导通状态的栅极电压值确定；
3.根据权利要求1所述的电平检测电路，其特征在于，所述第二阈值根据所述第一nmos管转换至导通状态时的栅极电压值确定；
4.根据权利要求1所述的电平检测电路，其特征在于，所述反相器的输入端与所述第二pmos管的漏极、所述第一nmos管的漏极连接，所述反相器的输出端与所述电压输出端连接。
5.根据权利要求4所述的电平检测电路，其特征在于，所述反相器包括第四pmos管、第四nmos管；
6.根据权利要求2所述的电...
【专利技术属性】
技术研发人员：张牛，刘伟，
申请(专利权)人：宏晶微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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